ملف:Threshold formation nowatermark.gif
اذهب إلى التنقل
اذهب إلى البحث
لا توجد دقة أعلى متوفرة.
Threshold_formation_nowatermark.gif (٧٢٢ × ٣٢٨ بكسل حجم الملف: ٢٦٧ كيلوبايت، نوع MIME: image/gif، ملفوف، ٢٤ إطارا، ٣٫٦ث)
ملخص
| الوصف |
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V.
OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire |
| التاريخ | |
| المصدر | عمل شخصي |
| المؤلف | Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris |
ترخيص
|
أنا، مالِك حقوق تأليف ونشر هذا العمل، أجعله في النِّطاق العامِّ، يسري هذا في أرجاء العالم كلِّه. في بعض البلدان، قد يكون هذا التَّرخيص غيرَ مُمكنٍ قانونيَّاً، في هذه الحالة: أمنح الجميع حق استخدام هذا العمل لأي غرض دون أي شرط ما لم يفرض القانون شروطًا إضافية. |
تاريخ الملف
اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.
| زمن/تاريخ | صورة مصغرة | الأبعاد | مستخدم | تعليق | |
|---|---|---|---|---|---|
| حالي | ١٧:٥٧، ٢٦ أغسطس ٢٠١٠ | | ٧٢٢ × ٣٢٨ (٢٦٧ كيلوبايت) | wikimediacommons>Zephyris | {{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o |
استخدام الملف
الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:
