ملف:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

من testwiki
اذهب إلى التنقل اذهب إلى البحث
الملف الأصلي (ملف SVG، أبعاده ٤٠١ × ٢٣٥ بكسل، حجم الملف: ٧ كيلوبايت)

هذا الملف من ويكيميديا كومنز ويمكن استخدامه بواسطة المشاريع الأخرى. الوصف على صفحة وصف الملف هناك معروض بالأسفل.

ملخص

الوصف
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
التاريخ (UTC)
المصدر
المؤلف


هذا رسمٌ مُعَدَّلٌ رقميَّاً من النسخة الأصليَّة. التعديلات هي: translation to german, thickness ratio fixed, colored. يُمكن الاطلاع على النسخة الأصليَّة هنا: High-k.svg. المُستخدم الذي أجرى التعديلات هو: Cepheiden.

ترخيص

أنا، صاحب حقوق التأليف والنشر لهذا العمل، أنشر هذا العمل تحت الرخص التالية:
w:ar:مشاع إبداعي
نسب العمل إلى مُؤَلِّفه الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل
هذا الملفُّ مُرخَّص بموجب رخصة المشاع الإبداعي نسبة المُصنَّف إِلى مُؤَلِّفه - المشاركة بالمثل 3.0 العامة Subject to disclaimers.
يحقُّ لك:
  • مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
  • إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
حسب الشروط التالية:
  • نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
  • الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
تمت إضافة علامة الترخيص لهذا الملف كجزء من رخصة جنو للوثائق الحرة تحديث الترخيص.
GNU head يسمح نسخ وتوزيع و/أو تعديل هذه الوثيقة تحت شروط رخصة جنو للوثائق الحرة، الإصدار 1.2 أو أي إصدار لاحق تنشره مؤسسة البرمجيات الحرة؛ دون أقسام ثابتة ودون نصوص أغلفة أمامية ودون نصوص أغلفة خلفية. نسخة من الرخصة تم تضمينها في القسم المسمى GNU Free Documentation License.
لك أن تختار الرخصة التي تناسبك.

سجلُّ الرَّفع الأصيل

This image is a derivative work of the following images:

  • File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

Uploaded with derivativeFX

الشروحات

أضف شرحاً من سطر واحد لما يُمثِّله هذا الملف

العناصر المصورة في هذا الملف

يُصوِّر

٢٠ فبراير 2010

٧٬٤٣٤ بايت

٢٣٥ بكسل

٤٠١ بكسل

تاريخ الملف

اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.

زمن/تاريخصورة مصغرةالأبعادمستخدمتعليق
حالي٠٩:٥٢، ٢٠ فبراير ٢٠١٠تصغير للنسخة بتاريخ ٠٩:٥٢، ٢٠ فبراير ٢٠١٠٤٠١ × ٢٣٥ (٧ كيلوبايت)wikimediacommons>Cepheidensvg fix

الصفحة التالية تستخدم هذا الملف: