نتائج البحث
اذهب إلى التنقل
اذهب إلى البحث
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...٣ كيلوبايت (١١٩ كلمة) - ١٢:٣٣، ٢٤ أكتوبر ٢٠٢٣
- ...mple bipolar mirror.svg|تصغير|200px|شكل 1: مرآة حالية يتم تنفيذها باستخدام ترانزستورات ثنائية القطب n–p–n باستخدام مقاوم لضبط التيار المرجعي ''V''<sub>CC</sub>; ' يمكن أيضًا تنفيذ مرآة التيار الأساسية باستخدام ترانزستورات [[موسفت]]، كما هو موضح في الشكل 2. يعمل الترانزستور M<sub>1</sub> في وضع ال ...٦ كيلوبايت (١٣٣ كلمة) - ١٦:١٣، ٢٣ ديسمبر ٢٠٢٤
- .... ثانيًا، تتطلب المرآة انخفاضًا صغيرًا في الجهد للحفاظ على التشغيل (لإبقاء ترانزستورات الخرج للمرآة في الوضع النشط). ونتيجة لذلك، فإن مرآة التيار تحد من تأرجح جهد ...٧ كيلوبايت (١٢٢ كلمة) - ٢٣:٤١، ١٩ فبراير ٢٠٢٥
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١١ كيلوبايت (١٦٤ كلمة) - ١٦:٠٤، ٣٠ ديسمبر ٢٠٢٤
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١١ كيلوبايت (٢٦٨ كلمة) - ١٦:٢٨، ٣٠ ديسمبر ٢٠٢٤
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١٣ كيلوبايت (٣٥٤ كلمة) - ١٢:٣١، ٢٤ أكتوبر ٢٠٢٣
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١٤ كيلوبايت (٢٠٥ كلمات) - ١٧:٥٧، ٣٠ ديسمبر ٢٠٢٤
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١٤ كيلوبايت (٢٣٥ كلمة) - ٢٢:٤٤، ٢ مارس ٢٠٢٥
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...١٦ كيلوبايت (٤٢٢ كلمة) - ١٨:٠٤، ٣٠ ديسمبر ٢٠٢٤
- [[تصنيف:ترانزستورات]] ...٢١ كيلوبايت (٧٥٧ كلمة) - ١٨:٠٤، ٣٠ ديسمبر ٢٠٢٤
- ...تتطلب ترانزستور تأثير المجال عادة من 5 إلى 10 V ليغلق تماما. قد تزيد ترانزستورات تأثير المجال الطاقة أيضًا من التكلفة. ...٢٥ كيلوبايت (١٬٠١١ كلمة) - ٠٠:١٢، ٤ يناير ٢٠٢٣
- ...كون عندك كلٌ من (مقاحل أو ترانزستورات p المتأثرة بالحقل) p-FET و (مقاحل أو ترانزستورات n المتأثرة بالحقل) n-FET. ذلك بسبب أن الأنابيب النانوية أحادية الجدار هي p- تم تصنيع [[ترانزستور|مقاحل]] الأنابيب النانوية والمعروفة كذلك باسم [[ترانزستورات المفعول المجالي]] [[CNTFET]] لتقوم بمهام عملها في درجة حرارة الغرفة، بالإضا ...١٥٢ كيلوبايت (٤٬٨٤٢ كلمة) - ٠٨:٠٠، ١٣ فبراير ٢٠٢٥
- ...أشباه الموصولات]] في أواخر عقد الأربعينيات من القرن العشرين، تلاها [[موسفت|ترانزستورات الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه المُوصِلات]] المَبنيَّة على ركيزة من ...ص=48–59|لغة=en}}</ref> تجاوزت استعمالات الموسفت معالجات البيانات، واستخدمت ترانزستورات الموسفت بوصفها عنصر تخزين، وصنعت منها [[خلية ذاكرة (حوسبة)|خلايا ذاكرة]]، ف ...١٥٠ كيلوبايت (٢٬٣٥٨ كلمة) - ١٢:٥٦، ١٣ مارس ٢٠٢٥
- ...ون إل. مول|جون مول]] بنشر ورقة بحثيّة بعنوان: «سلوك الإشارات الكبيرة في في ترانزستورات الوصلة»،{{للهامش|7}} تضمّنت نموذجاً غير خطي لعمل وصلة PN،<ref name = "JOU-2 تُصنِّع شركات تجارية ترانزستورات ثنائية القطب وهي منتجاتها التجارية، ويرفق معها ورقة بيانات تحتوي على التوصي ...٢٧٨ كيلوبايت (١٢٬١٢٣ كلمة) - ٢٠:٤٨، ١٨ فبراير ٢٠٢٥
- ...م|الجرمانيوم]] أهمية تطبيقية في مجال [[هندسة الإلكترونيات الدقيقة]] لصناعة ترانزستورات [[موسفت]]؛<ref name=loo2013>Loo R, Vincent B, Gencarelli F, Merckling C, Ku ...٨٩ كيلوبايت (٣٬٧٣٠ كلمة) - ٠٥:٥٨، ٢٣ ديسمبر ٢٠٢٤