عرض مصدر سيليكون

{{عن|[[عنصر كيميائي]]}}
{{ميز|سيليكون (مركب كيميائي)}}
{{معلومات سليكون}}
'''السيليكون''' {{#tag:ref|يُسمَّى أيضاً '''السيليسيوم'''|group="ملاحظة"}} هو [[عنصر كيميائي]] رمزه '''Si''' و[[عدد ذري|عدده الذرّي]] 14؛ يقع ضمن [[عناصر الدورة الثالثة]] وفي المرتبة الثانية في [[مجموعة الكربون|المجموعة الرابعة عشرة]] (المجموعة الرابعة وفق ترقيم [[عنصر مجموعة رئيسي|المجموعات الرئيسية]]) في [[الجدول الدوري]]. يُصنَّف السيليكون من [[شبه فلز|أشباه الفلزّات]]، ويوجد في الشروط القياسية على شكل صلب بلّوري هشّ ذي بريق معدني رمادي مزرق. السيليكون [[تكافؤ|رباعيّ التكافؤ]]، وهو ضعيف النشاط الكيميائي نسبياً، لكنّه يمتاز [[ألفة كيميائية|بألفته الكيميائية]] الكبيرة تجاه [[أكسجين|الأكسجين]].

كان [[يونس ياكوب بيرسيليوس]] أوّل من وصف هذا العنصر بشكله النقيّ على نحوٍ مفصّل، وذلك سنة 1823. يأتي السيليكون في المرتبة الثامنة وفقاً لترتيب [[وفرة العناصر الكيميائية]] في الكون على أساس الكتلة؛ ولكنّه نادراً ما يوجد في الأرض بشكله النقيّ الحرّ. إذ يوجد السيليكون في الطبيعة بشكلٍ سائدٍ على شكل [[ثنائي أكسيد السيليكون]]، وهو المكوّن الرئيسي [[رمل|للرمل]]؛ كما تنتشر [[سيليكات|السيليكات]] بشكلٍ كبيرٍ أيضاً في العديد من المعادن في [[القشرة الأرضية]]. تتألّف قرابة 90% من [[قشرة (جيولوجيا)|القشرة الأرضية]] من [[معادن السيليكات]]، ممّا يجعل السيليكون ثاني أكثر [[وفرة طبيعية للعناصر الكيميائية في القشرة الأرضية|العناصر الكيميائية وفرةً في القشرة الأرضية]] (قرابة 28% بالنسبة إلى الكتلة) بعد [[أكسجين|الأكسجين]].<ref>[http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/tables/elabund.html Element Abundance in Earth's Crust]، [[جامعة جورجيا|جامعة]] ولاية [[جورجيا]]، تاريخ الاطلاع 26-1-2014. {{استشهاد بويب |مسار=http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Tables/elabund.html |عنوان=نسخة مؤرشفة |تاريخ الوصول=13 فبراير 2018 |تاريخ أرشيف=19 نوفمبر 2017 |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20171119184345/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Tables/elabund.html |حالة المسار=dead }}</ref>

يُستخدَم معظم السيليكون تجارياً على شكل [[سيليكات]] دون الحاجة إلى عزل السيليكون بشكله الحرّ، وتتضمّن الأمثلة على هذه الاستخدامات دخوله على شكل [[سبك في قوالب رملية|رمل]] أو [[صلصال]] أو [[صخر]] في مجال الإنشاءات البنائية. كما تُستخدَم السيليكات في [[أسمنت بورتلاندي|الأسمنت البورتلاندي]] من أجل [[ملاط|الملاط]] و[[زخارف جصية|الزخارف الجصّية]]؛ كما تُمزَج مع الرمل و[[حصى|الحصى]] لتحضير [[خرسانة|الخرسانة]]؛ وتدخل أيضاً في تركيب [[خزف|الخزف]] و[[بورسلان|البورسلان]]؛ وكذلك في تركيب أنواع مختلفة من [[زجاج|الزجاج]]، مثل [[زجاج الصودا والجير]]. هناك المزيد من مركّبات السيليكون الأخرى، مثل [[كربيد السيليكون]]، والتي تُستخدَم في تصنيع [[ساحج|المواد الساحجة]] والمواد السيراميكية عالية المتانة. بالإضافة إلى ذلك فإنّ السيليكون هو أساس [[مبلمر|البوليميرات]] واسعة الانتشار التي تدعى [[سيليكون (مركب كيميائي)|بالسيليكونات]].

لعنصر السيليكون تأثير كبير على اقتصاد العالم الحديث منذ أواخر القرن العشرين إلى أوائل القرن الحادي والعشرين، ممّا أدّى إلى وصف تلك الفترة باسم «{{ط|العصر السيليكوني}}» (وهو مرادف لمُسمّيَات أخرى أكثر انتشاراً مثل [[عصر المعلومات]]). إذ أنّ السيليكون الحرّ مرتفع النقاوة أساسي في صناعة [[عنصر شبه موصل|أشباه الموصلات]] و[[موسفت|الترانزستورات]] و[[دارة متكاملة|شرائح الدارات المتكاملة]]؛ والتي هي المكوّنات الأساسية في صناعة [[إلكترونيات استهلاكية|الأجهزة الإلكترونية]] مثل [[حاسوب|الحواسيب]] و[[هاتف محمول|الهواتف المحمولة]]. للسيليكون العنصري الحرّ أيضاً تطبيقات في مجال تنقية [[فولاذ|الفولاذ]] وفي صبّ [[ألومنيوم|الألومنيوم]]، كما يُستخدَم لتحضير [[كيماويات نقية دقيقة|الكيماويات النقيّة الدقيقة]] (غالباً لصناعة [[سيليكا مدخنة|السيليكا المُدَخّنة]]).

لا يُعَدّ السيليكون العنصري الحرّ سامّاً بالنسبة للإنسان؛ وهو هامّ على شكل سيليكات بالنسبة لهيكل جسم الإنسان. تحتاج الحيوانات إلى كمّيّات قليلة من السيليكون؛<ref name="Niels"/> مع ذلك، فإنّ العديد من [[إسفنجيات|الإسفجنيّات]] والكائنات الحيّة الدقيقة مثل [[دياتوم|الدياتومات]] و[[شعوعيات|الشعوعيات]] تحتاج للسيليكون كي تصنع هياكلها. كما يتوضّع السيليكون في العديد من أنسجة النباتات.<ref name="Cutter">{{استشهاد بكتاب|الأخير=Cutter|الأول=Elizabeth G.|عنوان=Plant Anatomy. Part 1 Cells and Tissues|طبعة=2nd |ناشر=Edward Arnold|مكان=London|تاريخ=1978|isbn=978-0-7131-2639-6}}</ref>

== التاريخ ==
نظراً لوفرة مركّبات السيليكون الطبيعية في [[القشرة الأرضية]] فقد استُخدَم السيليكون منذ التاريخ القديم على شكل رمل وسيليكات في العديد من تطبيقات الحياة اليومية. فقد كان [[مرو (معدن)|المرو]] (الكوارتز) معروفاً للعديد من [[حضارة|الحضارات القديمة]] مثل حضارتي [[مصر القديمة|مصر]] و[[تاريخ الصين|الصين]] القديمَتين، وكذلك حضارة [[فينيقيا|الفينيقيين]]، عندما استخدم في صناعة [[مزهرية|الأواني]] و[[خرز|الحلي]]، وكذلك [[زجاج|الزجاج]]. كما استخدمت [[سيليكات|السيليكات]] المختلفة منذ القدم في تحضير [[ملاط|الملاط]] أثناء إنشاء [[مسكن|المساكن]] البشرية الأولى.<ref name="Britannica">{{استشهاد بويب |عنوان=Silicon |مسار=https://www.britannica.com/science/silicon |موقع=Encyclopedia Britannica |تاريخ الوصول=22 August 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210928084648/https://www.britannica.com/science/silicon | تاريخ أرشيف = 28 سبتمبر 2021 }}</ref>

=== الاكتشاف وأصل التسمية ===
[[ملف:Jöns_Jacob_Berzelius.jpg|تصغير|يمين|150 بك|اكتشف يونس ياكوب بيرسيليوس عنصر السيليكون سنة 1823.]]
خمّن [[أنطوان لافوازييه]] سنة 1787 أنّ [[ثنائي أكسيد السيليكون|السيليكا]] قد تكون [[أكسيد]]اً لعنصر كيميائي أساسي؛<ref>from [https://archive.org/details/elementschemist00kerrgoog/page/n217 p. 218] of: Lavoisier with Robert Kerr, trans., ''Elements of Chemistry'', … , 4th ed. (Edinburgh, Scotland: William Creech, 1799). (The original passage appears in: Lavoisier, ''Traité Élémentaire de Chimie'', (Paris, France: Cuchet, 1789), vol. 1, [https://books.google.com/books?id=hZch3yOrayUC&pg=PA174 p. 174].) {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210308073958/https://archive.org/details/elementschemist00kerrgoog/page/n217 |date=8 مارس 2021}}</ref> إلّا أنّ [[ألفة كيميائية|الألفة الكيميائية]] المرتفعة للسيليكون تجاه [[أكسجين|الأكسجين]] مرتفعة بشكل كبير، فلم يتمكّن بواسطة الوسائل المتاحة لديه آنذاك من [[اختزال (كيمياء)|اختزال]] الأكسيد وعزل هذا العنصر على شكله الحرّ.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}} ثمّ توالت المحاولات بهدف الحصول عليه، ومنها محاولة [[همفري ديفي]] سنة 1808، والتي قام حينها باقتراح تسمية «{{ط|سيليسيوم silicium}}» لهذا العنصر، وذلك من الكلمة [[اللغة اللاتينية|اللاتينية]] «{{ط|silicis}}» بمعنى [[صوان (حجر)|حجر الصوان]]، مع إضافة اللاحقة «{{ط|إيوم ium-}}» للاسم، إذ اعتقد أنّه من الفلزّات.<ref>Davy, Humphry (1808) [https://books.google.com/books?id=Kg9GAAAAMAAJ&pg=PA333 "Electro chemical researches, on the decomposition of the earths; with observations on the metals obtained from the alkaline earths, and on the amalgam procured from ammonia,"] ''Philosophical Transactions of the Royal Society'' [of London], '''98''' : 333–370. On [https://books.google.com/books?id=Kg9GAAAAMAAJ&pg=PA353 p. 353] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210420180129/https://books.google.com/books?id=Kg9GAAAAMAAJ&pg=PA333|date=2021-04-20}}</ref> لا تزال هذه التسمية معتمدة كاسم للعنصر في بعض اللغات، مثل [[اللغة الألمانية|الألمانية]] «{{ط|Silizium}}» و[[اللغة التركية|التركية]] «{{ط|silisyum}}» و[[اللغة القطلونية|الكتالونية]] «{{ط|silici}}». أمّا في بعض اللغات الأخرى فتُستخدَم [[ترجمة اقتراضية]] للجذر اللاتيني للإشارة إلى حجر الصوان، كما في [[اللغة الروسية|الروسية]] و[[اللغة الفنلندية|الفنلندية]] و[[اللغة التشيكية|التشيكية]].<ref>{{استشهاد بويب |مسار=http://elements.vanderkrogt.net/element.php?sym=si |عنوان=14 Silicon |ناشر=Elements.vanderkrogt.net |تاريخ الوصول=2008-09-12| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210922062505/https://elements.vanderkrogt.net/element.php?sym=si | تاريخ أرشيف = 22 سبتمبر 2021 }}</ref> أمّا تسمية «سيليكون» فقد اقترحها الكيميائي الإسكتلندي [[توماس تومسون (كيميائي)|توماس تومسون]] سنة 1817؛ فحافظ على الأصل اللغوي الذي استخدمه ديفي في تسميته، ولكنه أضاف اللاحقة «{{ط|أون on-}}»، لاعتقاده أنّ السيليكون هو من [[لا فلز|اللافلزات]]، على غرار [[بورون|البورون]] و[[كربون|الكربون]].<ref>Thomas Thomson, ''A System of Chemistry in Four Volumes'', 5th ed. (London: Baldwin, Cradock, and Joy, 1817), vol. 1. From [https://archive.org/details/bub_gb_zVA0AQAAMAAJ/page/n269 p. 252]." {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210307201139/https://archive.org/details/bub_gb_zVA0AQAAMAAJ/page/n269 |date=7 مارس 2021}}</ref>

يُعتَقد أنّ [[سيليكون لابلوري|السيليكون اللابلّوري]] كان قد حُضّر من قبل [[لوي جوزيف غي ـ لوساك]] و[[لوي جاك تينار]] سنة 1811، وذلك من خلال تسخين فلز [[بوتاسيوم|البوتاسيوم]] مع [[رباعي فلوريد السيليكون]]؛ لكنّهما لم يقوما بتنقية الناتج أو وصفه بدقّة أو بتمييزه على أنّه عنصر كيميائي جديد.<ref>Gay-Lussac and Thenard, ''Recherches physico-chimiques'' ... (Paris, France: Deterville, 1811), vol. 1, [https://books.google.com/books?id=ruITAAAAQAAJ&pg=PA313 pp. 313–314]؛ vol. 2, [https://books.google.com/books?id=w8YPAAAAQAAJ&pg=PA55# pp. 55–65]. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210421180833/https://books.google.com/books?id=ruITAAAAQAAJ&pg=PA313|date=2021-04-21}}</ref> تمكّن [[يونس ياكوب بيرسيليوس]] من تحضير السيليكون اللابلّوري سنة 1823، وذلك باستخدام طريقة شبيهة تقريباً بالطريقة التي اتّبعها غي-لوساك، وذلك باختزال [[سداسي فلوروسيليكات البوتاسيوم]] بمصهور البوتاسيوم، ولكنّه قام بالتنقية بإعادة غسل الناتج لعدّة مرّات؛<ref>Berzelius, J. (presented: 1823; published: 1824) [https://books.google.com/books?id=pJlPAAAAYAAJ&pg=PA46 "Undersökning af flusspatssyran och dess märkvärdigaste föreningar"] (Investigation of hydrofluoric acid and of its most noteworthy compounds), ''Kongliga Vetenskaps-Academiens Handlingar'' [Proceedings of the Royal Science Academy], '''12''' : 46–98. The isolation of silicon and its characterization are detailed in the section titled "Flussspatssyrad kisseljords sönderdelning med kalium," pp. 46–68 {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210627232114/https://books.google.com/books?id=pJlPAAAAYAAJ&pg=PA46|date=2021-06-27}}</ref> ولذلك فإنّ الفضل في اكتشاف هذا العنصر يُنسَب إليه.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |عنوان =The discovery of the elements: XII. Other elements isolated with the aid of potassium and sodium: beryllium, boron, silicon, and aluminum|الأخير = Weeks |الأول=Mary Elvira |تاريخ=1932 |صحيفة=Journal of Chemical Education|المجلد=9|العدد=8|صفحات=1386–1412 |bibcode=1932JChEd...9.1386W|doi =10.1021/ed009p1386}}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة |تاريخ=2007 |صحيفة=Russian Journal of Applied Chemistry |doi=10.1134/S1070427207120397 |عنوان=Silicon era |الأخير1=Voronkov |الأول1 = M.G. |المجلد=80|صفحة=2190 |العدد=12|s2cid=195240638 }}</ref> وفي السنة ذاتها تمكّن بيرسيليوس من تحضير [[رباعي كلوريد السيليكون]]؛ في حين أنّ مركّب [[رباعي فلوريد السيليكون]] كان معروفاً ومُحَضّراً من ذي قبل، إذ تمكّن [[كارل فلهلم شيله]] من إنجاز ذلك سنة 1771 حين قام بحلّ السيليكا في [[حمض الهيدروفلوريك]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}}

لم يُحضَّر الشكل البلّوري من السيليكون إلّا بعد مضي 31 سنة، حين تمكّن [[هنري إتيان سانت كلير ديفيل]] من فعل ذلك أثناء تجاربه لتحضير [[ألومنيوم|الألومنيوم]]؛<ref>Henri Sainte-Claire Deville (1854) [https://books.google.com/books?id=C3VFAAAAcAAJ&pg=PA321 "Note sur deux procédés de préparation de l'aluminium et sur une nouvelle forme du silicium"] & H. Sainte-Claire Deville (1855) [https://books.google.com/books?id=tZhDAQAAIAAJ&pg=PA1034 "Du silicium et du titane"] (On silicon and titanium), ''Comptes rendus'', '''40''': 1034–1036. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210424103014/https://books.google.com/books?id=C3VFAAAAcAAJ&pg=PA321|date=2021-04-24}}</ref><ref>[http://elements.etacude.com/Si.php Information on silicon – history, thermodynamic, chemical, physical and electronic properties: Etacude.com]. Elements.etacude.com. Retrieved on 2011-08-07. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20170713190348/http://elements.etacude.com:80/Si.php|date=2017-07-13}}</ref> وذلك [[تحليل كهربائي|بالتحليل الكهربائي]] لمزيج من [[كلوريد الصوديوم]] و[[كلوريد الألومنيوم]] المُشوّب بقرابة 10% من السيليكون، فحصل على شكل بلّوري غير نقي من السيليكون قرابة سنة 1854.<ref>[http://nautilus.fis.uc.pt/st2.5/scenes-e/elem/e01410.html Silicon: History] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20110727141021/http://nautilus.fis.uc.pt/st2.5/scenes-e/elem/e01410.html |date=2011-07-27 }}. Nautilus.fis.uc.pt. Retrieved on 2011-08-07.</ref> طُوّرت لاحقاً طرق أكثر اقتصادية من أجل عزل [[تآصل|متآصلات]] هذا العنصر؛ كما استمرّت الأبحاث في كيمياء السيليكون، فاكتشف [[فريدرش فولر]] مركّبات [[هيدريد]] السيليكون المتطايرة، واصطنع [[ثلاثي كلورو السيلان]] سنة 1857، ثمّ مركّب [[سيلان (مركب كيميائي)|السيلان]] سنة 1858.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=337–340}} كما قام [[شارل فريدل]] و[[جيمس كرافتس]] سنة 1863 بتحضير أوّل [[مركب سيليكون عضوي|مركّب سيليكون عضوي]]، وهو رباعي إيثيل السيلان. في أوائل القرن العشرين تمكّن العلماء من إجراء دراسات أوسع على مركّبات السيليكون لمعرفة خواصها، فكرّس [[ألفرد شتوك]] أبحاثه لدراسة مركّبات [[سيلانات|السيلانات]]؛{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=337–340}} في حين تخصّص [[فريدريك كيبنغ]] بدراسة مركّبات السيليكون العضوية.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}}

ساهم التطوّر في مختلف مناحي العلوم في زيادة فهم كيمياء السيليكون، فنجح [[وليام لورنس براغ]] بفضل أعماله على [[دراسة البلورات بالأشعة السينية|دراسة البلّورات بالأشعّة السينية]] في شرح بنية [[سيليكات|السيليكات]]؛ كما ساعد [[لينوس باولنغ]] في تقدّم [[كيمياء البلورات|كيمياء البلّورات]]، و[[فيكتور غولدشميت]] في تطوير مفاهيم [[كيمياء أرضية|الجيوكيمياء]]. شهد أواسط القرن العشرين تطوّر المعارف الصناعية فيما يخصّ [[سيلوكسان|السيلوكسانات]] والبوليميرات [[سيليكون (مركب كيميائي)|السيليكونية]] [[بوليمر مرن|المرنة]]. في أواخر القرن العشرين جرى التمكّن من فهم البنية البلّورية [[سيليسيد|للسيليسيدات]]، بالإضافة إلى فهم [[فيزياء الجوامد|المبدأ الفيزيائي]] عند [[إشابة]] [[شبه موصل|أشباه الموصلات]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}}

=== أشباه الموصلات السيليكونية ===
لم يتضمّن أوّل [[عنصر شبه موصل|جهاز شبه موصل]] عنصر السيليكون؛ لأنّه كان مصنوعاً من [[غالينا|الغالينا]] (زرنيخيد الرصاص)، بما في ذلك [[مكشاف بلوري|المكشاف البلّوري]] الذي اخترعه [[كارل فرديناند براون]] سنة 1874، والآخر الذي اخترعه [[جاجاديش تشاندرا بوس]] سنة 1901.<ref name="computerhistory-timeline">{{استشهاد بويب |عنوان=Timeline |مسار=https://www.computerhistory.org/siliconengine/timeline/ |موقع=The Silicon Engine |ناشر=[[متحف تاريخ الحاسوب]] |تاريخ الوصول=22 August 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210705015001/https://www.computerhistory.org/siliconengine/timeline/ | تاريخ أرشيف = 5 يوليو 2021 }}</ref><ref name="computerhistory-1901">{{استشهاد بويب |عنوان=1901: Semiconductor Rectifiers Patented as "Cat's Whisker" Detectors |مسار=https://www.computerhistory.org/siliconengine/semiconductor-rectifiers-patented-as-cats-whisker-detectors/ |موقع=The Silicon Engine |ناشر=[[متحف تاريخ الحاسوب]] |تاريخ الوصول=23 August 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210425111254/https://www.computerhistory.org/siliconengine/semiconductor-rectifiers-patented-as-cats-whisker-detectors/ | تاريخ أرشيف = 25 أبريل 2021 }}</ref> أمّا أوّل جهاز شبه موصل مصنوع من السيليكون فكان من اختراع [[غرينليف ويتتير بيكارد]] سنة 1906.<ref name="computerhistory-1901"/> في سنة 1940 اكتشف [[راسل أول|راسل أُول]] [[وصلة الموجب والسالب]] {{#tag:ref|p-n junction|group="ملاحظة"}} و[[تأثير ضوئي جهدي|التأثير الضوئي الجهدي]] في السيليكون؛ وفي سنة 1941 جرى تطوير التقنيات لإنتاج [[بلورة أحادية|بلّورات أحادية مفردة]] من السيليكون و[[جرمانيوم|الجرمانيوم]] لأغراض عسكرية أثناء [[الحرب العالمية الثانية]].<ref name="computerhistory-timeline"/> في سنة 1947 قادت أبحاث [[ويليام شوكلي|وليام شوكلي]] و[[جون باردين]] و[[والتر براتين]] إلى تصنيع أوّل [[ترانزستور]]، والذي كان يعمل على مبدأ [[ترانزستور التلامس النقطي|التلامس النقطي]]؛ ممّا أدّى إلى حصولهم على [[جائزة نوبل في الفيزياء]]؛ لكنّه كان مصنوعاً من الجرمانيوم.<ref>{{استشهاد بويب |عنوان=1947: Invention of the Point-Contact Transistor |مسار=https://www.computerhistory.org/siliconengine/invention-of-the-point-contact-transistor/ |موقع=The Silicon Engine |ناشر=Computer History Museum |تاريخ الوصول=23 August 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210930151529/https://www.computerhistory.org/siliconengine/invention-of-the-point-contact-transistor/ | تاريخ أرشيف = 30 سبتمبر 2021 }}</ref> لاحقاً وفي سنة 1954 تمكّن {{ط|موريس تاننباوم}} {{#tag:ref|Morris Tanenbaum|group="ملاحظة"}} من تصنيع أوّل [[ترانزستور ثنائي القطب]] من السيليكون في [[مختبرات بل]].<ref>{{استشهاد بويب |عنوان=1954: Morris Tanenbaum fabricates the first silicon transistor at Bell Labs |مسار=https://www.computerhistory.org/siliconengine/silicon-transistors-offer-superior-operating-characteristics/ |موقع=The Silicon Engine |ناشر=Computer History Museum |تاريخ الوصول=23 August 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210417205549/https://www.computerhistory.org/siliconengine/silicon-transistors-offer-superior-operating-characteristics/ | تاريخ أرشيف = 17 أبريل 2021 }}</ref> في سنة 1955 وفي مختبرات بل أيضاً اكتشف كلّ من {{ط|كارل فروش}} و{{ط|لينوكلن ديريك}} {{#tag:ref|Carl Frosch and Lincoln Derick|group="ملاحظة"}}، أنّه يمكن لثنائي أكسيد السيليكون أن ينمو على السيليكون؛<ref name="Bassett22">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Bassett |الأول1=Ross Knox |عنوان=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology |تاريخ=2007 |ناشر=Johns Hopkins University Press |isbn=978-0-8018-8639-3 |صفحات=22–23 |مسار=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200724115552/https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22 | تاريخ أرشيف = 24 يوليو 2020 }}</ref> ثمّ اقترحا لاحقاً أنّه يمكن بذلك حجب أسطح السيليكون أثناء عمليّات [[انتشار جزيئي|الانتشار الجزيئي]].<ref name="Saxena">{{استشهاد بكتاب |الأخير= Saxena|الأول= A. |عنوان = Invention of integrated circuits: untold important facts |مسار = https://books.google.com/books?id=z7738Wq-j-8C |ناشر = World Scientific |سلسلة = International series on advances in solid state electronics and technology |سنة = 2009 |isbn = 978-981-281-445-6 |صفحات = 96–97| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210424132146/https://books.google.com/books?id=z7738Wq-j-8C | تاريخ أرشيف = 24 أبريل 2021 }}</ref>؛

في السنوات الأولى في [[صناعة أشباه الموصلات]] وحتى نهايات خمسينيات القرن العشرين كان الجرمانيوم هو العنصر السائد في تركيب الترانزستورات وأجهزة أشباه الموصلات الأخرى؛ وذلك نظراً للاعتقاد أنّ أداء الجرمانيوم أفضل من غيره بسبب قدرته على إظهار خواص أفضل فيما يتعلّق [[حركية الإلكترون|بحركية الإلكترون]].<ref name="Dabrowski6">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Dabrowski |الأول1=Jarek |الأخير2=Müssig |الأول2=Hans-Joachim |الفصل=6.1. Introduction |عنوان=Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World |تاريخ=2000 |ناشر=World Scientific |isbn=978-981-02-3286-3 |صفحات=[https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/344 344–346] |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=ZlefXcP3tQAC&pg=PA344 |مسار=https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/344 | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210909232744/https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/344 | تاريخ أرشيف = 9 سبتمبر 2021 }}</ref><ref name="Heywang">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Heywang |الأول1=W. |الأخير2=Zaininger |الأول2=K.H. |الفصل=2.2. Early history |عنوان=Silicon: Evolution and Future of a Technology |تاريخ=2013 |ناشر=Springer Science & Business Media |isbn=978-3-662-09897-4 |صفحات=26–28 |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=Qxj_CAAAQBAJ&pg=PA26}}</ref> لم يكن أداء الترانزستورات المصنوعة من السيليكون مرضياً في البدايات بسبب محدودية الموصلية الكهربائية، وذلك نظراً لعدم استقرار الحالات السطحية الإلكترونية [[ميكانيكا الكم|كمومياً]]،<ref name="Feldman">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Feldman |الأول1=Leonard C. |الفصل=Introduction |عنوان=Fundamental Aspects of Silicon Oxidation |تاريخ=2001 |ناشر=Springer Science & Business Media |isbn=978-3-540-41682-1 |صفحات=1–11 |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=sV4y2-mWGNIC&pg=PA1}}</ref> إذ أن [[إلكترون|الإلكترونات]] كانت تحتجز بسبب [[رابطة متدلية|الروابط المتدلية]] الناشئة عند السطح.<ref name="Kooi">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Kooi |الأول1=E. |الأخير2=Schmitz |الأول2=A. |الفصل=Brief Notes on the History of Gate Dielectrics in MOS Devices |عنوان=High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications |تاريخ=2005 |ناشر=Springer Science & Business Media |isbn=978-3-540-21081-8 |صفحات=33–44 |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=kaSmXepnqCMC&pg=PA33}}</ref>
[[ملف:Silicon wafer with mirror finish.jpg|تصغير|معدول|[[رقاقة]] سيليكون]]
حدثت قفزة نوعية في صناعة أشباه الموصلات السيليكونية عندما تمكّن المهندس [[محمد محمد عطا الله|محمد عطا الله]] من تطوير عملية [[تخميل|التخميل السطحي]] بواسطة [[أكسدة حرارية|الأكسدة الحرارية]] في مختبرات بل في أواخر خمسينيات القرن العشرين،<ref name="Heywang"/><ref name="Kooi"/><ref name="Black">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Black |الأول1=Lachlan E. |عنوان=New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface |تاريخ=2016 |ناشر=Springer Science+Business Media |isbn=978-3-319-32521-7 |صفحة=17 |مسار=https://books.google.com/books?id=laYFDAAAQBAJ&pg=PA17| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210816121632/https://books.google.com/books?id=laYFDAAAQBAJ&pg=PA17 | تاريخ أرشيف = 16 أغسطس 2021 }}</ref> عندما اكتشف أنّ تشكيل طبقة من أكسيد السيليكون على سطح السيليكون حرارياً قلّل بشكل كبير من تركيز [[مستوى طاقة|السويات الإلكترونية]] عليه،<ref name="Black"/> ممّا أدّى إلى زيادة الاستقرار الإلكتروني لأسطح السيليكون.<ref name="Lecuyer">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Lécuyer |الأول1=Christophe |الأخير2=Brock |الأول2=David C. |عنوان=Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor |تاريخ=2010 |ناشر=MIT Press|isbn=978-0-262-29432-4 |صفحة=111 |مسار=https://books.google.com/books?id=LaZpUpkG70QC&pg=PA111| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210616071343/https://books.google.com/books?id=LaZpUpkG70QC | تاريخ أرشيف = 16 يونيو 2021 }}</ref> نشر عطا الله نتائج أبحاثه بين سنتي 1957 و1958؛<ref name="Lojek">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Lojek |الأول1=Bo |عنوان=History of Semiconductor Engineering |مسار=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697 |تاريخ=2007 |ناشر=Springer Science & Business Media |isbn=978-3-540-34258-8 |صفحات=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/120 120]& 321–323| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210812150119/https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697 | تاريخ أرشيف = 12 أغسطس 2021 }}</ref><ref name="Bassett46">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Bassett |الأول1=Ross Knox |عنوان=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology |تاريخ=2007 |ناشر=Johns Hopkins University Press |isbn=978-0-8018-8639-3 |صفحة=46 |مسار=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA46| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200727075911/https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA46 | تاريخ أرشيف = 27 يوليو 2020 }}</ref> وكان لذلك تأثير كبير على صناعة أشباه الموصلات السيليكونية،<ref name="Saxena"/> فقد تفوّق السيليكون بذلك على الجرمانيوم؛ ، ومهّد الطريق لحدوث ثورة السيليكون؛<ref name="Heywang"/><ref name="Feldman"/><ref name="Sah">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير=Sah |الأول=Chih-Tang |عنوان=Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI |صحيفة=Proceedings of the IEEE |تاريخ=October 1988 |المجلد=76 |العدد=10 |صفحات=1280–1326 (1290) |doi=10.1109/5.16328 |مسار=http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf |issn=0018-9219 |bibcode=1988IEEEP..76.1280S | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200726192741/http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf | تاريخ أرشيف = 26 يوليو 2020 }}</ref> ولقد تمثّل ذلك لاحقاً في اختراعه لترانزستور [[موسفت]]{{#tag:ref|MOSFET|group="ملاحظة"}} مع زميله [[داون كانغ]] سنة 1959؛<ref name="Feldman"/> بالإضافة إلى فتح الباب إلى حدوث تطور في صناعة أشباه الموصلات السيليكونية مثل [[عملية سطحية|التقنية السطحية]] التي طوّرها [[جان هورني]] في شركة [[فيرتشايلد لأشباه الموصلات]] {{#tag:ref|Fairchild Semiconductor|group="ملاحظة"}} سنة 1958؛ وكذلك لاختراع [[دارة متكاملة|الدارة المتكاملة]] من قبل [[روبرت نويس]] سنة 1959.<ref name="Bassett46"/><ref name="Sah"/><ref name="Wolf">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Wolf |الأول1=Stanley |عنوان=A review of IC isolation technologies |صحيفة=Solid State Technology |تاريخ=March 1992 |صفحة=63 |مسار=http://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE%7CA12308297| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20201028204059/https://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE|A12308297 | تاريخ أرشيف = 28 أكتوبر 2020 }}</ref> تطوّر الأمر لاحقاً لاعتماد شكل موحّد في إدماج رقائق السيليكون في [[تصنيع عناصر أشباه الموصلات]] في الدارات المتكاملة.<ref name="Moskowitz">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Moskowitz |الأول1=Sanford L. |عنوان=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century |تاريخ=2016 |ناشر=John Wiley & Sons |isbn=978-0-470-50892-3 |صفحات=165–167 |مسار=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200729154712/https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165 | تاريخ أرشيف = 29 يوليو 2020 }}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Donovan |الأول1=R. P. |عنوان=The Oxide-Silicon Interface |صحيفة=Fifth Annual Symposium on the Physics of Failure in Electronics |تاريخ=November 1966 |صفحات=199–231 |doi=10.1109/IRPS.1966.362364}}</ref>

=== العصر السيليكوني ===
يشير مصطلح «العصر السيليكوني» (أو عصر السيليكون) إلى الفترة الزمنية أواخر [[القرن 20|القرن العشرين]] وأوائل [[القرن 21|القرن الحادي والعشرين]]؛<ref name="Feldman"/><ref name="Dabrowski">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Dabrowski |الأول1=Jarek |الأخير2=Müssig |الأول2=Hans-Joachim |الفصل=1.2. The Silicon Age |عنوان=Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World |تاريخ=2000 |ناشر=World Scientific |isbn=978-981-02-3286-3 |صفحات=[https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/3 3–13] |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=ZlefXcP3tQAC&pg=PA3 |مسار=https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/3 | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210228024844/https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/3 | تاريخ أرشيف = 28 فبراير 2021 }}</ref><ref name="Siffert">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Siffert |الأول1=Paul |الأخير2=Krimmel |الأول2=Eberhard |الفصل=Preface |عنوان=Silicon: Evolution and Future of a Technology |تاريخ=2013 |ناشر=[[شبرينغر|شبغنكا]] |isbn=978-3-662-09897-4 |مسار الفصل=https://books.google.com/books?id=Qxj_CAAAQBAJ&pg=PR5}}</ref> وذلك نظراً لكون السيليكون العنصر المهيمن والسائد في [[عصر المعلومات]]، وذلك بشكل مشابه لتسميات عصور اقترنت بالمواد السائدة حينها، مثل [[العصر الحجري]] و[[العصر البرونزي]] و[[العصر الحديدي]] في [[نظام العصور الثلاث]] الموافق.<ref name="Feldman"/> أدّى اختراع الموسفت إلى إطلاق شرارة [[ثورة رقمية|الثورة الرقمية]] و[[ثورة المعلومات]]؛<ref name="Feldman"/><ref name="Dabrowski"/><ref>{{استشهاد بويب |عنوان=100 incredible years of physics – materials science |مسار=https://beta.iop.org/100-incredible-years-physics-materials-science |موقع=[[معهد الفيزياء (لندن)|معهد الفيزياء]] |تاريخ=December 2019 |تاريخ الوصول=10 December 2019 |تاريخ أرشيف=10 ديسمبر 2019 |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20191210134939/https://beta.iop.org/100-incredible-years-physics-materials-science |حالة المسار=dead }}</ref> كما مكّن صغر حجمه من [[قانون مور|زيادة الإنتاج]] بشكل أسي،<ref name="computerhistory2018">{{استشهاد بويب |عنوان=13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History |مسار=https://www.computerhistory.org/atchm/13-sextillion-counting-the-long-winding-road-to-the-most-frequently-manufactured-human-artifact-in-history/ |تاريخ=April 2, 2018 |موقع=Computer History Museum |تاريخ الوصول=28 July 2019| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20201112021401/https://computerhistory.org/blog/13-sextillion-counting-the-long-winding-road-to-the-most-frequently-manufactured-human-artifact-in-history/?key=13-sextillion-counting-the-long-winding-road-to-the-most-frequently-manufactured-human-artifact-in-history | تاريخ أرشيف = 12 نوفمبر 2020 }}</ref> ودخول الترانزستور في مختلف مناحي الحياة اليومية.<ref name="Moskowitz"/> كما ازداد عدد الشركات المختصّة في تقنيات أشباه الموصلات بشكل كبير، فأُطلِقَت تسميات حاوية على لفظ السيليكون للإشارة إلى تجمّعها، وأشهر مثال على ذلك هو [[وادي السيليكون]] في ولاية [[كاليفورنيا]] الأمريكية.<ref>Uskali, T., and Nordfors, D. (2007, 23 May). The role of journalism in creating the metaphor of Silicon Valley. Paper presented at Innovation Journalism 4 Conference, Stanford University, Palo Alto, Calif.{{استشهاد بويب |مسار=http://www.innovationjournalism.org/ij4/presentations/turouskalidavidnordfors.pdf |عنوان=Archived copy |تاريخ الوصول=2016-08-08 |حالة المسار=dead |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20120907002807/http://www.innovationjournalism.org/ij4/presentations/turouskalidavidnordfors.pdf |تاريخ أرشيف=2012-09-07 }}, retrieved 8 August 2016</ref>

== الوفرة الطبيعية ==
[[ملف:Quartz, Tibet.jpg|160px|تصغير|يسار|تجمّع من بلّورات [[مرو (معدن)|المرو]] (الكوارتز)، وهو معدن متوفّر طبيعياً ويتألّف من شبكة صلبة من ثنائي أكسيد السيليكون SiO<sub>2</sub>.]]
يأتي السيليكون في المرتبة الثامنة تبعاً لترتيب [[وفرة العناصر الكيميائية]] في [[الكون]]؛<ref name="croswell">{{استشهاد بكتاب | الأخير = Croswell | الأول = Ken | عنوان = Alchemy of the Heavens | ناشر = Anchor | تاريخ = February 1996 | مسار = http://kencroswell.com/alchemy.html | isbn = 0-385-47214-5 | حالة المسار = live | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20110513233910/http://www.kencroswell.com/alchemy.html | تاريخ أرشيف = 2011-05-13 }}</ref> أمّا في كوكب [[الأرض]] فيشكّل السيليكون 27.7% من وزن [[القشرة الأرضية]]، وهو يأتي بذلك في المرتبة الثانية بعد [[أكسجين|الأكسجين]] (45.5% وزناً).<ref>{{استشهاد بكتاب|مسار = http://books.google.com/books?id=MrlUAAAAYAAJ&pg=SL1-PA54|عنوان = Geological Survey professional paper|مؤلف = Geological Survey (U.S.)|سنة = 1975| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170331224518/https://books.google.com/books?id=MrlUAAAAYAAJ&pg=SL1-PA54 | تاريخ أرشيف = 31 مارس 2017 }}</ref> وينتشر السيليكون بشكل كبير على هيئة [[ثنائي أكسيد السيليكون]]، إن كان على هيئة [[رمل|الرمل]]، أو على شكل معادن، والتي يًصنّف بعضها ضمن [[حجر كريم|الأحجار الكريمة]] مثل [[مرو (معدن)|المرو]] (الكوارتز)، أو [[جمشت|الجمشت]] (الأماثيست)، أو [[عقيق|العقيق]]، أو [[يشب (حجر)|اليشب]]، أو [[أوبال|الأوبال]]. ينتشر السيليكون أيضاً في القشرة الأرضية على شكل [[معادن السيليكات]] المختلفة، والتي تدخل في تركيب [[صخر|الصخور]]، مثل [[ميكا (معدن)|الميكا]] و[[أسبست|الأسبست]] و[[صلصال|الصلصال]] و[[فلسبار|الفلسبار]] و[[حجر رملي|الحجر الرملي]]. يمكن أن يُعثَر على السيليكون أحياناً على شكل [[عنصر طبيعي]] حرّ في عدّة أماكن من العالم.<ref>{{استشهاد بويب| مسار = https://www.mindat.org/min-3659.html| عنوان = Silicon| ناشر =mindat.org
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210507070346/https://www.mindat.org/min-3659.html | تاريخ أرشيف = 7 مايو 2021 }}</ref><ref name="KorzhinskyTkachenko1995">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Korzhinsky |الأول1=M.A. |الأخير2=Tkachenko |الأول2=S.I. |الأخير3=Shmulovich |الأول3=K.I. |الأخير4=Steinberg |الأول4=G.S. |عنوان=Native AI and Si formation |صحيفة=Nature |المجلد=375 |العدد=6532 |سنة=1995 |صفحات=544 |issn=0028-0836 |doi=10.1038/375544a0 |bibcode=1995Natur.375..544K|s2cid=39954119 }}</ref><ref>{{استشهاد|الأخير=Cordua|الأول=Courtesy of Dr Bill|عنوان=English: PDF file entitled: "Silicon, Silica, Silicates and Silicone"|تاريخ=1998-01-10|مسار=https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Silicon.pdf|تاريخ الوصول=2016-03-29 |حالة المسار=dead |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20160418045940/https://commons.wikimedia.org/wiki/File%3ASilicon.pdf |تاريخ أرشيف=2016-04-18}}</ref>

يدخل السيليكون أيضاً في تركيب الطبقات الأعمق، حيث جرى [[جرم متباين|التباين]] أثناء [[تاريخ الأرض|نشوء كوكب الأرض]]؛ فتحوي [[بنية الأرض|نواة الأرض]] على التركيب التقريبي Fe<sub>25</sub>Ni<sub>2</sub>Co<sub>0.1</sub>S<sub>3</sub>؛ أمّا [[وشاح (جيولوجيا)|الوشاح]] فيتألّف بشكل أعظمي من أكاسيد كثيفة ومن [[معادن السيليكات]] مثل [[زبرجد زيتوني|الأوليفين]]؛ أمّا المعادن السيليكونية الأخفّ مثل [[ألومينوسيليكات|الألومينوسيليكات]] فهي تدخل في تركيب القشرة.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=329–330}} إنّ تبلور [[صخر ناري|الصخور النارية]] من [[صهارة|الصهارة]] (الماغما) يعتمد على عددٍ من العوامل، منها التركيب الكيميائي للصهارة، ومعدّل التبرّد، والخواص الذاتية المميّزة للمعادن الداخلة في تركيب تلك الصخور ويشمل ذلك [[طاقة الشبكة البلورية]] و[[نقطة الانصهار]] ودرجة تعقّد [[بنية بلورية|البنية البلورية]]. عندما تتبرّد الصهارة فإنّ الأوليفين هو أوّل ما يتشكّل، يتبعه [[بيروكسين|البيروكسين]] و[[مجموعة الأمفيبول|الأمفيبول]] وميكا [[بيوتيت|البيوتيت]] و[[أرثوكلاز|الأورثوكلاس]] وميكا [[مسكوفيت|المسكوفيت]] و[[مرو (معدن)|المرو]] (الكوارتز) و[[زيوليت|الزيوليت]]، ثم أخيراً المعادن الهيدروحرارية. يُبدي هذا التتابع نزعةً باتجاه تعقّد بنية وحدات [[سيليكات|السيليكات]] إبّان التبرّد، كما يبدي أيضاً دخول أنيونات [[فلوريد|الفلوريد]] بالإضافة إلى [[أكسيد|الأكاسيد]] في البنية؛ علاوةً على ذلك فإنّ [[تحول|التحوّل]] الحاصل عند درجات حرارة وضغوط مرتفعة يؤدّي إلى حدوث تنوّع أكبر من معادن السيليكات.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=329–330}}

تحوي [[محيط (جغرافيا)|المحيطات]] كمّيّة معتبرة من السيليكون، وذلك غالباً على شكل [[حمض السيليسيك]]؛ والذي ينشأ عبر ما يُعرَف باسم «دورة السيليكا»، وفيها تتفاعل معادن السيليكات، مثل [[سيليكات الكالسيوم]]، بشكل مستمرّ مع [[حمض الكربونيك]] المنحلّ في مياه المحيطات، ليتشكّل في البداية ميتّا حمض السيليسيك غير المنحلّ:
:<math>\mathrm{CaSiO_3 + H_2CO_3 \longrightarrow CaCO_3 + SiO(OH)_2}</math>
والذي يتفاعل مع حمض الكربونيك لاحقاً ليشكّل أورثو حمض السيليسيك المنحلّ:
:<math>\mathrm{SiO(OH)_2 + H_2CO_3 \rightleftharpoons Si(OH)_4 + CO_2}</math>

يتفكّك حمض السيليسيك ليعطي ثنائي أكسيد السيليكون والماء، ثم يتفاعل [[أكسيد الكالسيوم]] مع ثنائي أكسيد السيليكون لتنغلق الدورة بتشكّل سيليكات الكالسيوم؛ مع العلم أن انغلاق هذه الدورة يتطلّب مرور عدّة ملايين من السنين:
:<math>1.) \ \mathrm{Si(OH)_4 \longrightarrow SiO_2 + 2 \ H_2O}</math>
:<math>2.) \ \mathrm{CaO + SiO_2 \longrightarrow CaSiO_3}</math>

هناك أربعة مصادر لتدفّق السيليكون إلى المحيطات، وتتضمّن [[تجوية|التجوية]] الكيميائية للصخور على اليابسة وكذلك النقل عبر الأنهار، وانحلال [[رواسب برية|الرواسب البرية]]، بالإضافة إلى التفاعل بين [[بازلت|البازلت]] المغمور وبين [[توزيع حرمائي|التيارات الحرمائية]]. تتداخل مصادر السيليكون تلك مع الدورة الحيوية الجيوكيميائية ضمن المحيطات.<ref name="The World Ocean Silica Cycle">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Tréguer |الأول1=Paul J. |الأخير2=De La Rocha |الأول2=Christina L. |عنوان=The World Ocean Silica Cycle |صحيفة=Annual Review of Marine Science |تاريخ=3 January 2013 |المجلد=5 |العدد=1 |صفحات=477–501 |doi=10.1146/annurev-marine-121211-172346|pmid=22809182 }}</ref> إنّ قرابة ربع كمّيّة [[غبار]] الرمال المهبوب إلى المحيطات هو على شكل [[جسيمات معلقة|جسيمات دقيقة]] من السيليكون، وتقدّر تلك الكمّيّة بين 80-240 ميغاطن. ولكن تلك النسبة تبقى أقلّ من كمّيّة تدفّق السيليكون إلى المحيطات عبر النقل النهري.<ref name="Atmospheric transport of silicon">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Tegen |الأول1=Ina |الأخير2=Kohfeld |الأول2=Karen |عنوان=Atmospheric transport of silicon |تاريخ=2006 |ناشر=Island Press |isbn=1-59726-115-7 |صفحات=81–91}}</ref> تأتي كمّيّات الغبار الرملي إلى القسم الشمالي من [[المحيط الأطلسي]] و[[المحيط الهادئ|المحيط الهادي]] من [[الصحراء الكبرى]] و[[صحراء جوبي]]، على الترتيب.<ref name="The World Ocean Silica Cycle"/>

=== السيليكا ===
السيليكا هي الاسم الشائع لمركّب [[ثنائي أكسيد السيليكون]] SiO<sub>2</sub>، وهي توجد في الطبيعة في عدّة [[بنية بلورية|ترتيبات بلّورية]] مختلفة، وأكثرها شيوعاً نمط [[مرو (معدن)|الكوارتز]] (المرو)، وهو مكوّن رئيسي في العديد من الصخور مثل [[جرانيت|الغرانيت]] و[[حجر رملي|الحجر الرملي]]. يوجد الكوارتز في الشكل النقي على هيئة {{ط|الكوارتز الشفاف}} (البلّور الصخري) {{#tag:ref|rock crystal|group="ملاحظة"}}، أمّا الأشكال غير النقية فهي تعرَف تحت أسماء {{ط|الكوارتز الوردي}} {{#tag:ref|rose quartz|group="ملاحظة"}} و[[كوارتز دخاني|الكوارتز الدخاني]] (أو الموريون) {{#tag:ref|morion|group="ملاحظة"}} و[[جمشت|الجمشت]] (الأميثيست) {{#tag:ref|amethyst|group="ملاحظة"}} والسترين {{#tag:ref|citrine|group="ملاحظة"}}. توجد أنواع أخرى معروفة ضعيفة التبلور للكوارتز مثل [[عقيق|العقيق]] بأصنافه من [[عقيق أبيض|العقيق الأبيض]] و[[عقيق أحمر|العقيق الأحمر]] (الينع) و[[جزع (حجر كريم)|العقيق اليماني]]، وكذلك [[يشب (حجر)|اليشب]] و[[كريسوبراس|الكريسوبراس]] و[[حجر دم|حجر الدم]] (الهليوتروب) {{#tag:ref|heliotrope|group="ملاحظة"}} و[[صوان (حجر)|حجر الصوان]]. توجد هناك تحويرات أخرى لثنائي أكسيد السيليكون في عددٍ من المعادن، والتي تتضمّن [[تريديميت|التريديميت]] و[[كريستوباليت|الكريستوباليت]]، بالإضافة إلى معادن أخرى أقلّ شهرة مثل [[كوزيت|الكوزيت]] و[[ستيشوفيت|الستيشوفيت]]. توجد السيليكا أيضاً على شكل تراب ناعم، فهي المكوّن الرئيسي في [[تراب المشطورات]] (الدياتوميت)، كما توجد على شكل [[تزجيج|مزجّج]] في معدن [[تكتيت|التكتيت]] و[[سبج (حجر كريم)|حجر السبج]] (الأوبسديان) {{#tag:ref|obsidian|group="ملاحظة"}}، وعلى شكل نادر في معدن [[ليتشاتيليريت|الليتشاتيليريت]]. هناك أنماط مصطنعة أيضاً من السيليكا، مثل [[كيتيت|الكيتيت]]. كما يتألّف [[أوبال|الأوبال]] من تكتّلات بلّورية معقّدة من ثنائي أكسيد السيليكون المُميَّه جزئياً.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=342–347}}

<gallery>
ملف:Quartz, Tibet.jpg|الكوارتز (المرو)
File:Quartz - Agateplate, redbrown-white.jpg|العقيق
File:Tridymite tabulars - Ochtendung, Eifel, Germany.jpg|التريديميت
File:Cristobalite-Fayalite-40048.jpg|الكريستوباليت
File:Coesiteimage.jpg|الكوزيت
</gallery>

=== معادن السيليكات ===
{{أيضا|معادن السيليكات}}
إنّ قرابة 95% من صخور [[القشرة الأرضية]] مكونة من السيليكا أو [[معادن السيليكات]] أو [[ألومينوسيليكات|الألومينوسيليكات]]، وهذا ينعكس على كون عناصر الأكسجين والسيليكون والألومنيوم الأكثر وفرةً في القشرة الأرضية، على الترتيب.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=347–359}} يمكن لمعادن السيليكات والألومينوسيليكات أن تتباين تبعاً للبنية وعند [[قياس اتحادية العناصر]]، وبذلك يمكن تصنيفها اعتماداً على مبادئ بنيوية عامة. يكون لتكرار وحدات {SiO<sub>4</sub>} رباعية السطوح الأمر المشترك بين جميع تلك المركّبات، وذلك إمّا على شكل بنىً منفصلة بحدّ ذاتها، أو مشتركة مع بعضها ضمن وحدات أكبر بالاشتراك بذرّات الأكسجين الموجودة على الرؤوس.<ref group="ar">{{استشهاد بكتاب
|الأخير1   = تاربوك
|الأول1    = إدوارد 
|الأخير2   = لوتجينس
|الأول2    = فريدريك 
|الأخير3   = تازا
|الأول3    = دينيس 
|عنوان = الأرض مقدمة في الجيولوجيا الفيزيائية
|صفحة = 93
|سنة     = 2014
|ناشر  = العبيكان للنشر
| مسار   = https://www.google.com/books/edition/%D8%A7%D9%84%D8%A3%D8%B1%D8%B6/uhhLCgAAQBAJ?hl=de&gbpv=0
|isbn = 9786035032278
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211014010654/https://www.google.com/books/edition/الأرض/uhhLCgAAQBAJ?hl=de&gbpv=0 | تاريخ أرشيف = 14 أكتوبر 2021 }}</ref> بالتالي يمكن تقسيم السيليكات إلى {{ط|نيزوسيليكات}} {{#tag:ref|''neso''-silicates|group="ملاحظة"}}، وهي ذات وحدات {SiO<sub>4</sub>} متمايزة، ولا تشترك بذرّات أكسجين؛ وإلى {{ط|سوروسيليكات}} {{#tag:ref|''soro''-silicates|group="ملاحظة"}}، وهي ذات وحدات {Si<sub>2</sub>O<sub>7</sub>} متمايزة، وتشترك بذرّة أكسجين واحدة؛ وإلى {{ط|سيليكات حلقية}} (سيكلوسيليكات) {{#tag:ref|''cyclo''-silicates|group="ملاحظة"}}، وهي ذات بنى حلقية مغلقة؛ وإلى {{ط|إينوسيليكات}} {{#tag:ref|''ino''-silicates|group="ملاحظة"}}، وهي ذات بنية حلقية مستمرة أو على شكل شريطي، وتشترك بذرّتي أكسجين؛ وإلى {{ط|فيلوسيليكات}} {{#tag:ref|''phyllo''-silicates|group="ملاحظة"}} وهي ذات بنى صفائحية مستمرة، وتشترك بثلاث ذرّات أكسجين؛ وإلى {{ط|تكتوسيليكات}} {{#tag:ref|''tecto''-silicates|group="ملاحظة"}}، وهي ذات هياكل ثلاثية الأبعاد مستمرّة، وتشترك بأربع ذرّات أكسجين.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=347–359}}

[[ملف:Zeolite-ZSM-5-vdW.png|تصغير|150 بك|يمين|بنية نمطيّة للزيوليت]]

تنتمي مركّبات الأورثوسيليكات {{#tag:ref|orthosilicates|group="ملاحظة"}}، والتي تحمل الصيغة العامة M<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub> من فصيلة النيزوسيليكات، وهي تختلف بعدد المواقع التناسقية حسب الفلزّ المرافق M، ففي أوروثوسيليكات البيريليوم ([[فيناكيت|الفيناكيت]]) هناك أربع مواقع تناسقية؛ أمّا باقي الفلزّات، مثل [[مغنيسيوم|المغنيسيوم]] و[[منغنيز|المنغنيز]] و[[حديد|الحديد]] و[[زنك|الزنك]]، فهناك ستّة مواقع تناسقية، كما في [[زبرجد زيتوني|الزبرجد الزيتوني]] (الأوليفين)؛ في حين أنّ [[زركونيوم|الزركونيوم]] يتطلّب ثمانية مواقع تناسقية كما هو الحال في [[زركون|الزركون]] ZrSiO<sub>4</sub>، وذلك بسبب كبر [[نصف القطر الأيوني]] (84 بيكومتر) لأيون الزركونيوم الرباعي.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=347–359}} أمّا مركّبات الميتاسيليكات السلسلية {{su|b=∞}}<nowiki>{</nowiki>{{su|p=2−|b=3}}SiO} فهي تتشكّل من تشارك زوايا سلسلة لامتناهية من رباعيات السطوح {SiO<sub>4</sub>}؛ ولكن تظهر هناك تباينات نظراً لاختلاف المسافات المتكرّرة للتشكيل الهندسي على طول خطّ رباعيات السطوح. ولكن أكثر مسافة تكرار شيوعاً هي 2، كما هو الحال في معادن [[بيروكسين|البيروكسين]]، على الرغم من أنّ مسافات تكرار من 1 أو 3 أو 4 أو 5 أو 6 أو 7 أو 9 هي معروفة أيضاً. يمكن لتلك السلاسل أن تتشابك مع بعضها لتشكّل سلاسل مزدوجة أو شرائط، كما هو الحال في معادن [[أسبست|الأسبست]]، والتي تتضمّن أيضاً سلاسل متكرّرة من حلقات رباعية السطوح.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=347–359}}

إنّ السيليكات الطبقية، مثل معادن الصلصال و[[ميكا (معدن)|الميكا]]، هي شائعة جداً، وهي غالباً ما تتشكّل من التشابك الأفقي لسلاسل الميتاسيليكات {{#tag:ref|metasilicates|group="ملاحظة"}}، أو من التكاثف المستوي للوحدات الأصغر. مثال على ذلك هو معدن [[كاولينيت|الكاولينيت]] [Al<sub>2</sub>(OH)<sub>4</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>5</sub>]، والذي يمكن أن تحدث فيه استبدالات مختلفة، بأن يَحلّ أنيون الفلوريد مكان الهيدروكسيل، أو كاتيون المغنيسيوم الثنائي مكان الألومنيوم الثلاثي، وغير ذلك. من جهة أخرى، فإنّه عادةً ما يكون الهيكل ثلاثي الأبعاد من [[ألومينوسيليكات|الألومينوسليكات]] معقّداً جدّاً، ويمكن أن يُبَسّط فهمها انطلاقاً من بنية SiO<sub>2</sub> ثلاثية الأبعاد، ثم استبدال نصف ذرات السيليكون الرباعي <sup>IV</sup>Si بذرّات ألومنيوم ثلاثي <sup>III</sup>Al، ممّا يتطلّب وجود [[أيون مقابل|كاتيونات إضافية مقابلة]] لتعديل الشحنة الكهربائية. تتضمّن الأمثلة عليها كلّ من معادن [[فلسبار|الفلسبار]] (وهي أكثر صنف من المعادن انتشاراً على الأرض) و[[زيوليت|الزيوليت]]، وكذلك [[صبغة اللازورد]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=347–359}}

== الإنتاج ==
[[ملف:Ferrosilicon.JPG|تصغير|upright=0.9|فرّوسيليكون]]
يمكن أن يُنتَج السيليكون بدرجات نقاوة مختلفة، وذلك حسب مجال التطبيق اللاحق له؛ فيُميّز بين {{ط|درجة النقاوة التعدينية}} (98–99 %){{#tag:ref|Si<sub>mg</sub> / metallurgical grade|group="ملاحظة"}}؛ و{{ط|درجة النقاوة الشمسية}} {{#tag:ref|Si<sub>sg</sub> / solar grade|group="ملاحظة"}} (للاستخدام في [[خلية شمسية|الخلايا الشمسية]] يجب أن تكون نسبة الشوائب أقلّ من 0.01%)؛ و{{ط|درجة النقاوة الإلكترونية}} {{#tag:ref|Si<sub>eg</sub> / electronic grade|group="ملاحظة"}} (نسبة الشوائب أقلّ من جزء واحد في <sup>10</sup>10 جزء). تستخدم درجة النقاوة الإلكترونية في [[صناعة أشباه الموصلات]]؛ وفي بعض الحالات الخاصّة ينبغي أن تكون نسبة الشوائب أقلّ من جزء واحد في <sup>12</sup>10 جزء.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}} .

=== السيليكون الخام ===
يُنتَج السيليكون بنقاوة تتراوح بين 96–99% من اختزال [[كوارتزيت|الكوارتزيت]] أو الرمل باستخدام [[فحم الكوك]] النقيّ،<ref group="ar">{{استشهاد بكتاب
|الأخير   =  تشِن
|الأول    = سي جوليان
|عنوان = فيزياء الطاقة الشمسية
|العنوان الأجنبي = {{رمز لغة|en|Physics of Solar Energy}}
|صفحة = 309
|سنة     = 2021
|سنة النشر الأصلية = 2011
|مكان = وندسور، المملكة المتحدة
|ناشر  = مؤسسة هنداوي
|مترجم = مصطفى محمد فؤاد
| مسار   = https://www.google.com/books/edition/%D9%81%D9%8A%D8%B2%D9%8A%D8%A7%D8%A1_%D8%A7%D9%84%D8%B7%D8%A7%D9%82%D8%A9_%D8%A7%D9%84%D8%B4%D9%85%D8%B3%D9%8A%D8%A9/EDI1EAAAQBAJ?hl=de&gbpv=1
|isbn = 9781527319738
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210810232044/https://books.google.com/books?id=EDI1EAAAQBAJ&newbks=0&printsec=frontcover&hl=de | تاريخ أرشيف = 10 أغسطس 2021 }}</ref> وذلك داخل [[فرن القوس الكهربائي]] عند درجات حرارة تصل إلى قرابة 2000 °س، مع وجود زيادة من [[ثنائي أكسيد السيليكون]] SiO<sub>2</sub> من أجل إيقاف [[كربيد السيليكون]] SiC من التجمّع والتكتّل:{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}}

:<chem>SiO2 + 2 C -> Si + 2 CO</chem>
:<chem>2 SiC + SiO2 -> 3 Si + 2 CO</chem>

يُعرَف هذا التفاعل باسم «الاختزال الكربوحراري» لثنائي أكسيد السيليكون، وهو عادةً ما يجرى بوجود خردة الحديد مع وجود كمّيّات ضئيلة من [[فسفور|الفوسفور]] و[[كبريت|الكبريت]]، ممّا يؤدّي إلى الحصول على سبيكة [[فروسيليكون|الفرّوسيليكون]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}} وهي سبيكة مكوّنة من [[حديد|الحديد]] والسيليكون بنسب متفاوتة، وتعدّ الشكل الرئيس الذي يُنتَج ويُسوَّق فيه السيليكون، لأنها تشكّل قرابة 80% من الإنتاج العالمي له.
:<math>\mathrm{SiO_2 + 2 \ C + Fe \longrightarrow FeSi + 2 \ CO}</math>

[[ملف:Silizium pulver.jpg|تصغير|يمين|130 بك|مسحوق سيليكون ذو نقاوة تعدينية]]
تعدّ [[الصين]] الرائدة في إنتاج السيليكون على هذا الشكل، وذلك بطاقة إنتاج تصل إلى 4.6 مليون طنّ سنوياً (ما يعادل ثلثي الإنتاج العالمي)؛ تليها [[روسيا]] (610 آلاف طنّ)، ثمّ [[النرويج]] (330 ألف طنّ)، ثمّ [[البرازيل]] (240 ألف طنّ)، ثمّ [[الولايات المتحدة]] الأمريكية (170 ألف طنّ)؛ وذلك وفق بيانات سنة 2011.<ref>{{استشهاد بويب |مسار=http://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/silicon/mcs-2011-simet.pdf |ناشر=USGS |عنوان=Silicon Commodities Report 2011 |تاريخ الوصول=2011-10-20| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170709121719/https://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/silicon/mcs-2011-simet.pdf | تاريخ أرشيف = 9 يوليو 2017 }}</ref> يُستحصَل على السيليكون وفق هذه الأساليب بدرجة نقاوة تعدينية؛ ويُستخدَم بشكل أساسي في صناعة الحديد والفولاذ؛{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}} وكذلك في إنتاج [[سيلانات|السيلانات]] وفق [[عملية مولر-روتشو]]، والتي تُستخدَم في تحضير [[سيليكون (مركب كيميائي)|السيليكونات]].<ref name=Roesch>{{Ullmann|author=Rösch, L.|author2=John, P.|author3=Reitmeier, R.|title=Organic Silicon Compounds|year=2003|doi=10.1002/14356007.a24_021}}.</ref>

تتضمّن الأساليب الأخرى لإنتاج السيليكون بدرجة نقاوة تعدينية كلّ من عملية «الاختزال الألومينوحراري»، والتي يستخدم فيها [[ألومنيوم|الألومنيوم]] لاختزال ثنائي أكسيد السيليكون:{{sfn|Zulehner|Neuer|Rau|2005|pp=574}}

:<chem>3 SiO2 + 4 Al -> 3 Si + 2 Al2O3</chem>

وكذلك إجراء عملية [[تفكك حراري]] لمركّب [[سيلان (مركب كيميائي)|السيلان]] أو [[رباعي يوديد السيليكون]]؛ أو اختزال [[سداسي فلوروسيليكات الصوديوم]] باستخدام فلزّ [[صوديوم|الصوديوم]].

=== سيليكون الخلايا الشمسية ===
تتطلّب صناعة [[خلية شمسية|الخلايا الشمسية]] أن يكون السيليكون بدرجة نقاوة أعلى من 99.99%؛ يمكن الوصول إلى تلك النسبة عن طريق اختزال [[رباعي كلوريد السيليكون]] أو [[ثلاثي كلورو السيلان]]. يمكن الحصول على تلك المركّبات الكلورية من السيليكون بمعالجة السيليكون الخام ذي درجة النقاوة التعدينية بغاز [[كلوريد الهيدروجين]] عند درجات حرارة تتراوح بين 300–350 °س، داخل [[مفاعل فرشة مميعة|مفاعل فرشة مُمَيّعة]]:
:<math>\mathrm{Si + 3 \ HCl \longrightarrow H_2 + HSiCl_3}</math>

تعدّ المركّبات الكلورية للسيليكون من المركّبات [[تطايرية|المتطايرة]]، بالتالي يمكن تنقيتها بتكرار عملية [[تقطير بالتجزئة|التقطير بالتجزئة]]؛ ثمّ بإجراء عملية تفكيك حراري لتلك المركّبات النقية عند درجات حرارة تتراوح بين 1000–1200 °س؛<ref>Erhard Sirtl, Konrad Reuschel: Über die Reduktion von Chlorsilanen mit Wasserstoff. In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. Band 332, Nr. 3–4, Oktober 1964, S. 113–123, doi:10.1002/zaac.19643320302</ref> أو بإجراء عملية اختزال حراري باستخدام بخار [[زنك|الزنك]] عالي النقاوة عند درجات حرارة قرابة 950 °س.<ref>Marcello Pirani: Elektrothermie Die elektrische Erzeugung und technische Anwendung hoher Temperaturen. Springer-Verlag, 2013, ISBN 978-3-642-92778-2, S. 129</ref>

:<math>\mathrm{SiCl_4 +  2 \ Zn \longrightarrow Si + 2 \ ZnCl_2}</math>

يمكن إجراء عملية استحصال السيليكون دون الحاجة إلى استخدام المشتقّات الكلورية وذلك وفق عملية [[تفكك حراري]] لمركّب [[سيلان (مركب كيميائي)|السيلان]]:<ref>Hermann Sicius: Kohlenstoffgruppe: Elemente der vierten Hauptgruppe Eine Reise durch das Periodensystem. Springer-Verlag, 2015, ISBN 978-3-658-11166-3, S. 21</ref>

:<math>\mathrm{SiH_4 \longrightarrow 2 \ H_2 + Si}</math>

=== سيليكون شبه الموصلات ===
[[ملف:Monokristalines Silizium für die Waferherstellung.jpg|تصغير|150 بك|بلّورة أحادية من السيليكون]]
ينبغي أن يكون السيليكون المستخدم في [[هندسة الإلكترونيات الدقيقة]] ذا نقاوة مرتفعة للغاية ({{ط|درجة النقاوة الإلكترونية}})؛ فعلى سبيل المثال تُسوِّق شركة [[شين-إتسو للكيماويات]] اليابانية [[بلورة مخلقة|لبلّورات مخلقة أحادية]] من السيليكون بنقاوة 99.999999999%.<ref>{{استشهاد بويب| مسار = http://www.shinetsu.co.jp/en/products/semicon.html| عنوان = Semiconductor Materials Division| ناشر = shinetsu.co.jp| تاريخ الوصول = 1 مايو 2021| تاريخ أرشيف = 8 مايو 2013| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20130508011712/http://www.shinetsu.co.jp/en/products/semicon.html| حالة المسار = bot: unknown}}</ref> للوصول إلى درجة النقاوة المرتفعة جدّاً هذه يُعالَج السيليكون الخامّ المتوفّر على شكل كتل إسفنجية من عمليات التحضير السابقة وفق أساليب خاصّة من أجل تشكيل [[بلورة أحادية|بلّورات أحادية مفردة]] أسطوانية الشكل وفق [[عملية تشوخرالسكي]]؛ أو أن تخضع لعملية تنقية لاحقة وفق أسلوب [[صهر نطاقي|الصهر النطاقي]].

وفق [[عملية تشوخرالسكي]] يؤخَذ سيليكون الخلايا الشمسية ويُصهَر في بواتق من الكوارتز النقي؛ ثم توضَع [[نواة تبلور]] من بلّورة سيليكون مرتفع النقاوة في المصهور ثم تُدوّر وتُسحَب إلى الأعلى ببطء، وبذلك يتبلور السيليكون على هيئة بلّورة أحادية منفردة، وتبقى الشوائب في المصهور الموجود في البوتقة. يعتمد المبدأ الفيزيائي لعملية التنقية هذه على [[انخفاض نقطة التجمد|انخفاض نقطة التجمّد]]، وعلى ميل المواد للتبلور على شكل نقي. أمّا في أسلوب [[صهر نطاقي|الصهر النطاقي]] فيُستخدَم [[تسخين بالحث الكهرومغناطيسي|التسخين بالحثّ الكهرومغناطيسي]] لتسخين السيليكون وصهره، ثمّ بتمرير [[بلورة مخلقة]] أحادية من السيليكون على تماس مباشر على سطح المصهور، ممّا يؤدّي إلى هجرة الشوائب إلى الطور السائل، ويبقى السيليكون بدرجة نقاوة مرتفعة. يُسوّق الشكل النهائي من السيليكون مرتفع النقاوة على شكل [[رقاقة|رقائق]] {{#tag:ref|Wafer|group="ملاحظة"}}.

يُستخدَم السيليكون بدرجة النقاوة الإلكترونية في صناعة [[معالج دقيق|المعالجات]] ووسائط [[تخزين البيانات]] و[[ترانزستور|الترانزستورات]] وغيرها. من أجل استخدامه في تلك التطبيقات الإلكترونية ينبغي أن يتمتّع السيليكون بخواص [[شبه موصل]]ة، ولذلك فإنّه [[إشابة|يُشاب]] بذرّات عناصر أخرى ملائمة مثل [[إنديوم|الإنديوم]] أو [[إثمد|الإثمد]] أو [[زرنيخ|الزرنيخ]] أو [[بورون|البورون]] أو [[فسفور|الفوسفور]]؛ ممّا يؤدّي إلى نشوء ظاهرة [[وصلة الموجب والسالب]]، ممّا يؤدي بالتالي إلى إمكانية التحكّم الإلكتروني، وهذا ما يجعله ملائماً [[تصنيع عناصر أشباه الموصلات|لتصنيع عناصر أشباه الموصلات]]. يمكن أن يُحوّل [[سيليكون لابلوري|السيليكون اللابلوري]] بواسطة [[ليزر إكسيمر]] إلى سيليكون متعدّد التبلور، وذلك له أهمية في صناعة [[ترانزستور الغشاء الرقيق]] على سبيل المثال.

=== التحضير المخبري ===
يمكن الحصول على السيليكون مخبرياً من [[اختزال (كيمياء)|اختزال]] [[ثنائي أكسيد السيليكون]] أو [[رباعي فلوريد السيليكون]] باستخدام فلزّات [[مغنيسيوم|المغنيسيوم]] أو [[ألومنيوم|الألومنيوم]]:

:<math>\mathrm{SiO_2 + 2 \ Mg \longrightarrow Si + 2 \ MgO}</math>
:<math>\mathrm{3 \ SiF_4 + 4 \ Al \longrightarrow 3 \ Si + 4 \ AlF_3}</math>

كما يمكن الحصول على السيليكون [[مادة لابلورية|اللابلوري]] من [[سيليسيد|السيليسيدات]]:

:<math>\mathrm{CaSi_2 + 2 \ HCl \longrightarrow 2 \ Si + CaCl_2 +  H_2}</math>

== النظائر ==
{{أيضا|نظائر السيليكون}}
يتكوّن السيليكون المتوفّر طبيعياً من 3 [[نظير مستقر|نظائر مستقرة]] ألا وهي سيليكون-28 <sup>28</sup>Si ([[وفرة طبيعية]] 92.23%)، وسيليكون-29 <sup>29</sup>Si (وفرة طبيعية 4.67%)، وسيليكون-30 <sup>30</sup>Si (وفرة طبيعية 3.10%).<ref name = "NNDC">{{استشهاد بويب|مسار = http://www.nndc.bnl.gov/chart/|مؤلف = NNDC contributors|محرر = Alejandro A. Sonzogni (Database Manager)|عنوان = Chart of Nuclides|ناشر = National Nuclear Data Center, Brookhaven National Laboratory|تاريخ الوصول = 2008-09-13|سنة = 2008|مكان = Upton (NY)| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181010070007/http://www.nndc.bnl.gov/chart/ | تاريخ أرشيف = 10 أكتوبر 2018 }}</ref> ومن بين هذه النظائر، فإنّ السيليكون-29 <sup>29</sup>Si هو ما يستخدم في [[رنين مغناطيسي نووي|الرنين النووي المغناطيسي]] و[[رنين مغناطيسي إلكتروني|الرنين المغناطيسي الإلكتروني]]؛<ref>{{استشهاد بويب| مسار = http://www.nyu.edu/cgi-bin/cgiwrap/aj39/NMRmap.cgi|تاريخ الوصول = 2011-10-20| عنوان = Interactive NMR Frequency Map| مؤلف =Jerschow, Alexej|ناشر = New York University| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210629200522/https://www.nyu.edu/cgi-bin/cgiwrap/aj39/NMRmap.cgi | تاريخ أرشيف = 29 يونيو 2021 }}</ref> لأنّه الوحيد الذي لديه مغزل نووي (''I'' = {{كسر|1|2}}).{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}} تُنتَج هذه النظائر الثلاثة جميعها في [[مستعر أعظم نوع Ia|المستعرات الأعظمية من النوع Ia]]؛<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Seitenzahl |الأول1=Ivo Rolf |الأخير2=Townsley |الأول2=Dean M. |عنوان=Nucleosynthesis in Thermonuclear Supernovae |مسار=https://archive.org/details/arxiv-1704.00415 |صحيفة=Handbook of Supernovae |تاريخ=2017 |صفحات=1955–1978 |doi=10.1007/978-3-319-21846-5_87|arxiv=1704.00415 }}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Khokhlov |الأول1=A. M. |الأخير2=Oran |الأول2=E. S. |الأخير3=Wheeler |الأول3=J. C. |عنوان=Deflagration‐to‐Detonation Transition in Thermonuclear Supernovae |صحيفة=The Astrophysical Journal |تاريخ=April 1997 |المجلد=478 |العدد=2 |صفحات=678–688 |doi=10.1086/303815}}</ref> وذلك من خلال [[عملية احتراق الأكسجين]]؛ كما يُنتَج النظير <sup>28</sup>Si في [[عملية ألفا]]، ولذلك فهو الأكثر وفرة. تُعرَف عملية اندماج نوى السيليكون-28 <sup>28</sup>Si مع [[جسيم ألفا|جسيمات ألفا]] أثناء عمليات إعادة الترتيب المرافقة [[انحلال ضوئي|للانحلال الضوئي]] في النجوم باسم «[[عملية احتراق السيليكون]]»، وهي المرحلة الأخيرة في [[تفاعلات الانصهار النجمي]] قبل الانهيار السريع والانفجار السريع لتلك النجوم لتصبح [[مستعر أعظم نوع 2|مستعرات أعظمية من النوع 2]].<ref name="Cameron">{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير1=Cameron |الأول1=A.G.W. |سنة=1973 |عنوان=Abundance of the Elements in the Solar System |مسار=http://pubs.giss.nasa.gov/docs/1973/1973_Cameron_1.pdf |صحيفة=Space Science Reviews |المجلد=15 |العدد=1 |صفحات=121–146 |doi=10.1007/BF00172440 |bibcode=1973SSRv...15..121C |s2cid=120201972 |حالة المسار=dead |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20111021030549/http://pubs.giss.nasa.gov/docs/1973/1973_Cameron_1.pdf |تاريخ أرشيف=2011-10-21 }}</ref>

هناك عشرون [[نويدة مشعة|نظيراً مشعّاً]] للسيليكون، وأكثرها استقراراً هو السيليكون-32 <sup>32</sup>Si، ويبلغ [[عمر النصف]] له 153 سنة؛ والسيليكون-31 <sup>31</sup>Si، والذي يبلغ عمر النصف له 157.3 دقيقة.<ref name = "NNDC"/> إنّ جميع النظائر [[اضمحلال نشاط إشعاعي|المشعّة]] المتبقيّة لا يتجاوز لها عمر النصف السبع ثوان، ومعظم أعمار النصف تلك أقلّ من عُشر الثانية.<ref name = "NNDC"/> يوجد هناك [[مصاوغ نووي]] وحيد للسيليكون (<sup>34m</sup>Si)، ويبلغ عمر النصف له أقل من 210 نانوثانية.<ref name = "NNDC"/> يخضع النظير <sup>32</sup>Si [[اضمحلال بيتا|لاضمحلال بيتا]] ضعيف الشدّة إلى [[نظائر الفسفور|فوسفور-32]] <sup>32</sup>P، ومنه إلى النظير المستقرّ [[نظائر الكبريت|كبريت-32]] <sup>32</sup>S. يمكن أن ينتج النظير سيليكون-31 <sup>31</sup>Si من [[تنشيط نيوتروني|التنشيط النيوتروني]] للسيليكون الطبيعي، وهذا ما يجعله مفيداً في مجال [[تحليل كمي (كيمياء)|التحليل الكمي]]، إذ يمكن الكشف عنه بسهولة من اضمحلال بيتّا النمطي إلى النظير فوسفور-31 <sup>31</sup>P، ويحمل الإلكترون المنبعث طاقة مقدارها 1.48 ميغا [[إلكترون فولت]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=330–331}} يتراوح متوسط [[عدد كتلي|عدد الكتلة]] لنظائر السيليكون بين 22 إلى 44؛<ref name = "NNDC"/> و[[اضمحلال نشاط إشعاعي#معدل تحلل|نمط الاضمحلال]] المشترك للنظائر التي أعداد كتلتها أقلّ من السيليكون-28 هو نمط [[اضمحلال بيتا|β<sup>+</sup>]]، مشكّلاً في المقام الأول [[نظائر الألومنيوم]] (13 بروتون) [[ناتج اضمحلال|كنواتج اضمحلال]].<ref name = "NNDC"/> أمّا نمط التحلّل الأكثر شيوعًا للنظائر التي أعداد كتلتها أكبر من السيليكون-30 فهو [[اضمحلال بيتا|β<sup>−</sup>]]، وفيه تتشكّل في المقام الأول [[نظائر الفسفور|نظائر الفوسفور]] (15 بروتون) كنواتج اضمحلال.<ref name = "NNDC"/>

يمكن للسيليكون أن يصل إلى المحيطات عبر المياه الجوفية والنقل النهري. تتوفر الواردات الضخمة من المياه الجوفية على تركيب نظائري مميّز عن واردات النقل النهري؛ ويساهم ذلك التباين النظائري بين المياه الجوفية ومياه النقل البحري في حدوث اختلاف في قيم النظير سيليكون-30 <sup>30</sup>Si، وذلك يستخدم كمقياس للنشاط الجيولوجي في المحيطات.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Reynolds |الأول1=B. C. |عنوان=Modeling the modern marine δ 30 Si distribution: MODELING THE MODERN MARINE δ 30 Si DISTRIBUTION |صحيفة=Global Biogeochemical Cycles |تاريخ=June 2009 |المجلد=23 |العدد=2 |صفحات=1–13 |doi=10.1029/2008GB003266}}</ref>

== الخواص الفيزيائية ==
[[ملف:Covalent bonding in silicon-ar.svg|تصغير|الروابط التساهمية في السيليكون]]
يوجد السيليكون في الشروط القياسية من الضغط ودرجة الحرارة على شكل صلب رمادي ذي بريق أزرق، وهو يُصنّف ضمن [[شبه فلز|أشباه الفلزات]]. يظهر السيليكون خاصّية [[تمدد حراري سلبي|التمدّد الحراري السلبي]] مثل الماء، أي أن [[كثافة|كثافته]] في الطور السائل أعلى بقرابة 10-11% من قيمتها في الطور الصلب.

=== البنية الذرية ===
لذرّة السيليكون أربعة عشر [[إلكترون]]اً؛ وهي تكون في [[حالة قاعية|الحالة القاعية]] ذات [[توزيع إلكتروني]] على الشكل [[نيون|Ne]]] 3s<sup>2</sup> 3p<sup>2</sup>]. إذاً توجد أربعة [[إلكترون تكافؤ|إلكترونات تكافؤ]] في الغلاف الإلكتروني الخارجي، بالتالي بإمكان ذرّة السيليكون أن تحقّق [[قاعدة الثمانيات]] وأن تتبنّى الترتيب الإلكتروني المستقرّ [[آرغون|للآرغون]] بتشكيل أربع [[رابطة تساهمية|روابط تساهمية]] لتعطي مركّبات كيميائية على النمط SiX<sub>4</sub>، والتي يكون لها [[بنية جزيئية رباعية السطوح]] ذات [[تهجين مداري]] من النمط sp<sup>3</sup>، تحتلّ فيها ذرّة السيليكون المركز، والذرّات الأربع الأخرى على قمم رباعي السطوح.{{sfn|King|1995|pp=xiii–xviii}} تبلغ قيم أوّل أربع [[طاقة تأين|طاقات تأين]] للسيليكون 786.3 و 1576.5 و 3228.3 و 4354.4 كيلوجول/مول، على الترتيب. تعدّ تلك القيم مرتفعة بالشكل الكافي لاستثناء احتمالية أن تكون كيمياء هذا العنصر ذات سمة أيونية؛ إذ تهيمن عليها السمة التساهمية بالفعل. بالنظر إلى [[اتجاهات دورية|الاتجاهات الدورية]] فإنّ نصف قطر ذرّة السيليكون في روابطها التساهمية الأحادية (117.6 [[بيكومتر]]) يقع وسطاً بين تلك القيم الموافقة لذرّة [[كربون|الكربون]] (77.2 بيكومتر) ولذرّة [[جرمانيوم|الجرمانيوم]] (122.3 بيكومتر)؛ في حين أنّ القيمة الافتراضية لنصف القطر الأيوني لذرّة السيليكون قد تكون قرابة 40 بيكومتر.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=372}}

[[ملف:Silicon-unit-cell-3D-balls.png|تصغير|يمين|125 بك|يتبلور السيليكون على هيئة مكعّب بلوري ماسي]]
=== البنية البلورية ===
يتبلور السيليكون في الشروط القياسية على شكل بنية تساهمية ضخمة على هيئة [[بنية بلورية|شبكة بلّورية]] ثلاثية الأبعاد لها [[بنية الألماس المكعبة|بنية الألماس المكعّبة]]، ممّا يفسّر الارتفاع النسبي لنقطة الانصهار (1414 °س)، إذ يتطلّب تكسير هذه الروابط التساهمية وتحطيمها الكثير من الطاقة. لا توجد [[تآصل|متآصلات]] من السيليكون عند الضغوط العادية؛ إلّا أنّه يتبنّى أشكالاً بلّورية مختلفة عند ضغوط مرتفعة؛ إذ تؤدّي زيادة الضغط إلى زيادة [[عدد تناسقي|العدد التناسقي]]، ممّا يولّد متآصلاً ذا [[تعبئة متراصة|تعبئة متراصّة]] عند قرابة 40 [[باسكال (وحدة)|غيغاباسكال]]. يغلي السيليكون عند 3265 °س، ورغم الارتفاع النسبي لتلك القيمة فإنها تبقى أقلّ من قيمة نقطة تسامي [[مجانس (كيمياء)|مجانسه]] الكربون (3642 °س)؛ كما أنّ للسيليكون [[حرارة تبخر|حرارة تبخّر]] أقلّ من الكربون، وذلك يتوافق مع حقيقة أنّ الرابطة Si–Si أضعف من الرابطة C–C.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=331-335}} بيّنت الأبحاث أنّه بالإمكان إنشاء بنية من رقائق [[سيليسين|السيليسين]] بشكل مشابه [[غرافين|للغرافين]].<ref name=Aufray2010>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Aufray |الأول1=B. |الأخير2=Kara |الأول2= A. | الأخير3=Vizzini |الأول3=S. B. |الأخير4=Oughaddou |الأول4=H. |الأخير5=LéAndri |الأول5=C. |الأخير6=Ealet |الأول6=B. |الأخير7= Le Lay |الأول7=G. |doi=10.1063/1.3419932 |عنوان=Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene |صحيفة=Applied Physics Letters |المجلد=96 |العدد=18 |صفحات=183102 |سنة=2010 | bibcode=2010ApPhL..96r3102A|مسار=https://stars.library.ucf.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=7963&context=facultybib2010 | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210224151901/https://stars.library.ucf.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=7963&context=facultybib2010 | تاريخ أرشيف = 24 فبراير 2021 }}</ref><ref name=Lalmi2010>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Lalmi |الأول1=B. |الأخير2=Oughaddou |الأول2=H. |الأخير3=Enriquez |الأول3=H. |الأخير4=Kara |الأول4= A. |الأخير5=Vizzini |الأول5=S. B. |الأخير6=Ealet |الأول6=B. N. |الأخير7=Aufray |الأول7=B. |doi=10.1063/1.3524215 |عنوان=Epitaxial growth of a silicene sheet |صحيفة=Applied Physics Letters |المجلد=97 |العدد=22 |صفحات=223109 |سنة=2010 |bibcode=2010ApPhL..97v3109L |arxiv=1204.0523|s2cid=118490651 }}</ref>

=== الخواص الإلكترونية ===
ينتمي السيليكون إلى [[شبه موصل|أشباه الموصلات]]، وتنخفض [[مقاومية|المقاومية]] مع ارتفاع درجة الحرارة، ويعود ذلك بسبب وجود [[فجوة النطاق|فجوة نطاق]] طاقية صغيرة (1.107 [[إلكترون فولت]]) بين أعلى المستويات الطاقية المشغولة بالإلكترونات ([[نطاق التكافؤ]]) وبين أخفض المستويات الطاقية غير المشغولة بالإلكترونات ([[نطاق التوصيل]]). يقع [[مستوى فيرمي]] للسيليكون في منتصف المسافة تقريباً بين نطاقي التكافؤ والتوصيل، بالتالي فإنّ السيليكون النقي هو من المواد العازلة عند درجة حرارة الغرفة. بالمقابل، تؤدّي [[إشابة]] السيليكون بعنصر من [[مجموعة النتروجين]] (نكتوجين) مثل [[فسفور|الفوسفور]] أو [[زرنيخ|الزرنيخ]] أو [[إثمد|الإثمد]] إلى توفير إلكترون فائض لكلّ ذرّة شائبة، ممّا يسهّل إثارة الإلكترونات إلى نطاق التوصيل إمّا بأسلوب حراري أو ضوئي، وذلك يولّد شبه موصل من النوع N. بشكل مشابه، فإنّ إشابة السيليكون بعنصر من [[مجموعة البورون]] مثل [[بورون|البورون]] أو [[ألومنيوم|الألومنيوم]] أو [[غاليوم|الغاليوم]] تؤدّي إلى توفير مستويات مستقبلة قادرة على التقاط واحتجاز الإلكترونات التي يمكن أن تثار من نطاق التوصيل الممتلئ، ممّا يولّد شبه موصل من النوع p.<ref group="ar">{{استشهاد بكتاب
|الأخير   = birch
|الأول    = hayley 
|عنوان = خمسون فكرة يجب ان تعرفها عن الكيمياء
|صفحة =151
|سنة     = 311
|ناشر  = ktab INC
| مسار   = https://www.google.com/books/edition/%D8%AE%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86_%D9%81%D9%83%D8%B1%D8%A9_%D9%8A%D8%AC%D8%A8_%D8%A7%D9%86_%D8%AA%D8%B9%D8%B1%D9%81/9XOxDwAAQBAJ?hl=de&gbpv=1&dq=%D8%A7%D9%84%D8%B3%D9%8A%D9%84%D9%8A%D9%83%D9%88%D9%86&pg=PA151&printsec=frontcover
|isbn = 9796500422114
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211014030128/https://www.google.com/books/edition/خمسون_فكرة_يجب_ان_تعرف/9XOxDwAAQBAJ?hl=de&gbpv=1&dq=السيليكون&pg=PA151&printsec=frontcover | تاريخ أرشيف = 14 أكتوبر 2021 }}</ref>{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=331-335}} يؤدّي وصل سيليكون من النوع N مع سيليكون من النوع p إلى تشكيل [[وصلة الموجب والسالب]]، والتي تقوم بعمل [[ثنائي المساري]]، والذي ينظّم تدفّق الإلكترونات باتجاه واحد.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=331-335}}

== الخواص الكيميائية ==
{| class="wikitable" style="float:left; margin-top:0; margin-left:1em; text-align:center; font-size:10pt; line-height:11pt; width:25%;"
|+ style="margin-bottom: 5px;" |طاقات الروابط C–X و Si–X مقدّرة بالكيلوجول/مول {{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=337-340}}
|-
! {{بدون لف|X {{=}}}}
! C
! Si
! H
! F
! Cl
! Br
! I
! O–
! N<
|-
! {{بدون لف|C–X}}
| 368
| 360
| 435
| 453
| 351
| 293
| 216
| ~360
| ~305
|-
! {{بدون لف|Si–X}}
| 360
| 340
| 393
| 565
| 381
| 310
| 234
| 452
| 322
|}
إنّ كتل السيليكون البلّوري عادةَ ما تكون خاملة، ولكنّها تصبح ذات نشاط كيميائي أكبر مع ارتفاع درجة الحرارة. وكما هو الحال مع جاره [[ألومنيوم|الألومنيوم]] فإنّ السيليكون يشكّل طبقة رقيقة سطحية من [[ثنائي أكسيد السيليكون]] SiO<sub>2</sub> والتي تقيه من [[أكسدة واختزال|الأكسدة]] وتقوم بدور [[تخميل|مخمّل]]. لذلك فإنّ السيليكون لا يتفاعل بشكل ملموس مع أكسجين الهواء عند درجات حرارة دون 900 °س، ولكن عند درجات حرارة أعلى من ذلك يزداد تشكّل طبقة [[بريق (تعدين)|برّاقة]] من ثنائي الأكسيد بشكل سريع بين درجتي 950 °س و 1160 °س؛ وعند الوصول إلى درجة الحرارة 1400 °س يمكن [[نيتروجين|للنتروجين]] أن يتفاعل مع السيليكون ليشكّل مجموعة من [[نتريد السيليكون|النتريدات]] مثل SiN و Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>. يمكن للسيليكون أن يتفاعل مع بخار [[كبريت|الكبريت]] عند الدرجة 600 °س، وبخار الفوسفور عند الدرجة 1000 °س. بالرغم من ذلك لا تستطيع طبقة الأكسيد تلك أن تمنع التفاعل مع [[هالوجين|الهالوجينات]]، [[فلور|فالفلور]] يهاجم السيليكون بعنف عند درجة حرارة الغرفة، أمّا [[كلور|الكلور]] فيقوم بذلك عند الدرجة 300 °س، في حين أنّ [[بروم|البروم]] و[[يود|اليود]] يهاجمان السيليكون عند الدرجة 500 °س. لا يتفاعل السيليكون مع أغلب [[حمض|الأحماض]] الممدّدة، ولكنه يتأكسد ويتعقّد مع مزائج [[حمض الهيدروفلوريك]] الحاوية على الكلور أو [[حمض النتريك]] ليشكّل [[حمض سداسي فلورو السيليسيك|الفلوروسيليكات]] الموافقة. من جهةٍ أخرى فإنّ السيليكون ينحلّ في محاليل [[قلوي|القلويات]] الساخنة ليشكّل [[سيليكات|السيليكات]] الموافقة.<ref>{{استشهاد|الأخير1=Stapf|الأول1=André|عنوان=Wafer Cleaning, Etching, and Texturization|تاريخ=2019|مسار=http://link.springer.com/10.1007/978-3-662-56472-1_17|عمل=Handbook of Photovoltaic Silicon|صفحات=311–358|محرر-الأخير=Yang|محرر-الأول=Deren|مكان=Berlin, Heidelberg|ناشر=Springer Berlin Heidelberg|لغة=en|doi=10.1007/978-3-662-56472-1_17|isbn=978-3-662-56471-4|تاريخ الوصول=2021-03-07|الأخير2=Gondek|الأول2=Christoph|الأخير3=Kroke|الأول3=Edwin|الأخير4=Roewer|الأول4=Gerhard| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210503195931/https://link.springer.com/referenceworkentry/10.1007/978-3-662-56472-1_17 | تاريخ أرشيف = 3 مايو 2021 }}</ref> عند درجات حرارة مرتفعة يتفاعل السيليكون مع [[هاليد الألكيل|هاليدات الألكيل]] باستخدام [[نحاس|النحاس]] حفّازاً من أجل الحصول على كلوريدات [[مركب سيليكون عضوي|السيليكون العضوية]]، والتي تعدّ مواداً أوّلية لتحضير البوليميرات [[سيليكون (مركب كيميائي)|السيليكونية]]. عند انصهاره يصبح السيليكون ذا نشاط كيميائي وتفاعلية كبيرة للغاية، وهو يشكّل [[سبيكة|سبائك]] مع أغلب الفلزّات ليشكّل [[سيليسيد|السيليسيدات]] الموافقة؛ كما أنّه قادر بتلك الحالة المنصهرة على أن يختزل أغلب أكاسيد الفلزّات، لأنّ [[إنثالبي قياسي للتكوين|الحرارة القياسية لتكوين]] ثنائي أكسيد السيليكون كبيرة. ولذلك الأمر فإنّ الحاويات المخصّصة لمصهور السيليكون ينبغي أن تكون مصنوعة من [[مادة حرارية|مواد حرارية]] خاملة مثل [[أكسيد الزركونيوم الرباعي|ثنائي اكسيد الزركونيوم]]، أو [[بوريد|البوريدات]] اللافلزّية.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=331–335}}

يعدّ التناسق رباعي السطوح [[طابع بنائي|الطابع البنائي]] الرئيسي في كيمياء السيليكون، كما هو الحال في كيمياء الكربون. ولكنّ المدارات 3p هي أكثر انتشاراً من مدارات 2p، بالتالي فهي لا [[تهجين مداري|تتهجّن]] بشكل مثالي مع مدارات 3s؛ بالتالي فإن كيمياء السيليكون و[[مجانس (كيمياء)|مجانساته]] الأثقل في المجموعة الرابعة عشرة تظهر اختلافاً واضحاً عن كيمياء الكربون.<ref name=Kaupp>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير=Kaupp |الأول=Martin |تاريخ=1 December 2006 |عنوان=The role of radial nodes of atomic orbitals for chemical bonding and the periodic table |مسار=http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/LecturasobreNodosRadiales_12854.pdf |صحيفة=Journal of Computational Chemistry |المجلد=28 |العدد=1 |صفحات=320–325 |doi=10.1002/jcc.20522 |pmid=17143872 |s2cid=12677737 |تاريخ الوصول=14 October 2016 |doi-access=free | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210224181633/http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/LecturasobreNodosRadiales_12854.pdf | تاريخ أرشيف = 24 فبراير 2021 }}</ref> فعلى سبيل المثال، تبلغ قيمة [[كهرسلبية]] السيليكون مقدار 1.90، وهي أقلّ بكثير من الكربون (2.55)، لأنّ إلكترونات التكافؤ في السيليكون هي أبعد عن النواة من تلك التي للكربون، وبالتالي تكون قوى التجاذب الكهربائية الساكنة مع النواة أضعف. يؤدّي التطابق الضعيف لمدارات 3p إلى ميل أقلّ للسيليكون كي يشكّل [[سلسلية (كيمياء)|سلاسل]] طويلة من روابط Si–Si بالمقارنة مع الكربون، وذلك يعكس حقيقة كون الرابطة Si–Si أضعف من نظيرتها C–C.{{sfn|King|1995|pp=43–44}} إذ أنّ متوسّط [[طاقة الرابطة|طاقة رابطة]] Si–Si يبلغ تقريباً 226 كيلوجول/مول، بالمقارنة مع 356 كيلوجول/مول بالنسبة للرابطة C–C.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=374}} وذلك يؤدّي أيضاً إلى ضعف ميل السيليكون إلى تشكيل روابط مضاعفة بين ذرّاته. بالتالي فهناك تباين واضح بين كيمياء السيليكون والكربون، وخاصّةً في مجال [[كيمياء عضوية|الكيمياء العضوية]] للكربون؛ كما أنّ معادن [[سيليكات|السيليكات]] ذات بنية معقّدة لا تُرى في [[أكاسيد الكربون]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}}

من جهةٍ أخرى، يؤدّي وجود عقد قطرية في مدارات 3p عند السيليكون إلى زيادة احتمالية [[فرط التكافؤ]]، وذلك يشاهد في مشتقّات السيليكون خماسية وسداسية التناسق، وذلك في الأنيونين <sup>-</sup>SiX<sub>5</sub> و <sup>2-</sup>SiF<sub>6</sub>، على الترتيب.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة
| الأخير1   = Kaupp| الأول1  = Martin| عنوان   = The role of radial nodes of atomic orbitals for chemical bonding and the periodic table| صحيفة = Journal of Computational Chemistry| المجلد  = 28| العدد   = 1| سنة    = 2007
| صفحات   = 320–325| issn    = 0192-8651| doi     = 10.1002/jcc.20522| pmid  = 17143872| doi-access= free}}</ref>{{sfn|King|1995|pp=43–44}} يؤدّي ازدياد الفجوة الطاقية بين المدارات s والمدارات p نزولاً في [[مجموعة الكربون]]، فإنّ ثباتية واستقرار الحالة ثنائية التكافؤ تزداد أيضاً، وذلك من الكربون إلى الرصاص، كما تزداد الصفة الفلزّية للعناصر.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=328–329}} بناءً على ذلك، فإنّه لا يوجد للسيليكون إلّا البعض القليل من المركّبات ثنائية التكافؤ، وهي غير مستقرّة؛ كما أنّ السيليكون يبدي بعض السمات الفلزّية الأوّلية، وخاصّةً في سلوك مركّباته الأكسجينية، وكذلك في تفاعله مع الأحماض والقواعد (رغم صعوبتها)؛ بالتالي فإنه يصنّف ضمن [[شبه فلز|أشباه الفلزّات]] أكثر من كونه [[لا فلز]]ّاً.{{sfn|King|1995|pp=43–44}} يشبه السيليكون [[جرمانيوم|الجرمانيوم]] في سلوكه أكثر من الكربون، ويتعزّز هذا التشابه بانكماش المدارات d في الجرمانيوم، ممّا يؤدّي إلى تقارب في حجم الذرة فيه بالنسبة للسيليكون، وذلك بشكل أكبر ممّا يوحيه [[اتجاهات دورية|الاتجاه الدوري]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=372}}، ولكن بالرغم من ذلك توجد اختلافات جوهرية بين هذين العنصرين، بسبب استقرار التكافؤ الثنائي في الجرمانيوم، وذلك لسمته الفلزّية الأوضح؛ بالإضافة إلى ذلك فإنّ ضعف الرابطة Ge–O بالمقارنة مع Si–O يؤدّي إلى غياب السلاسل البوليميرية عند الجرمانيوم كما هو الحال في البوليميرات [[سيليكون (مركب كيميائي)|السيليكونية]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=374}}

=== المركبات الكيميائية ===
يشكل السيليكون عدداً معتبراً من [[مركب كيميائي|المركّبات الكيميائية]]، والتي يكون فيها السيليكون [[تكافؤ|رباعي التكافؤ]] بشكل شبه سائد. يغلب على كيمياء السيليكون الارتباط الوثيق مع ذرّة [[أكسجين|الأكسجين]]، فمركّباته الأكسجينية هي الأكثر انتشاراً.

==== السيليسيدات ====
هناك عددٌ كبير من [[سيليسيد]]ات الفلزّات المعروفة، والتي يطغى عليها سمة عدم وجود تركيب كيميائي بسيط استناداً على التكافؤ وعلى [[قياس اتحادية العناصر]] وكذلك على نوع الرابطة الكيميائية. فهناك عددٌ من الصيغ المختلفة التي توجد عليها السيليسيدات مثل M<sub>6</sub>Si و M<sub>5</sub>Si و M<sub>4</sub>Si و M<sub>15</sub>Si<sub>4</sub> و M<sub>3</sub>Si و M<sub>5</sub>Si<sub>2</sub> و M<sub>2</sub>Si و M<sub>5</sub>Si<sub>3</sub> و M<sub>3</sub>Si<sub>2</sub> و MSi, M<sub>2</sub>Si<sub>3</sub> و MSi<sub>2</sub> و MSi<sub>3</sub> و MSi<sub>6</sub>. تكون السيليسيدات في بنيتها أقرب [[بوريد|للبوريدات]] من [[كربيد|الكربيدات]]، وذلك مثال على [[علاقة قطرية|العلاقة القطرية]] بين الكربون والبورون. تكون [[إنثالبي قياسي للتكوين|الحرارة القياسية للتكوين]] في السيليسيدات مقاربة للبوريدات والكربيدات الموافقة، ولكنها تنصهر عادةً عند درجات حرارة أخفض.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=335–337}}

عادةً ما تُحضَّر السيليسيدات من التفاعل المباشر بين العناصر المكوّنة، فعلى سبيل المثال تتفاعل عناصر [[فلز قلوي|الفلزّات القلوية]] و[[فلز قلوي ترابي|الفلزّات القلوية الترابية]] مع السيليكون أو ثنائي أكسيد السيليكون لتعطي السيليسيدات الموافقة عند درجات حرارة مرتفعة؛ ويغلب عليها الصفة التساهمية، إذ أنّه من الصعب عزل أنيونات للسيليكون مع تلك العناصر مرتفعة الكهرجابية، ويكون الارتباط على شكل أنيونات <sup>4-</sup>Si<sub>4</sub> و[[تساوي إلكتروني|المتساوية إلكترونياً]] مع [[تآصل الفوسفور|الفوسفور الأبيض]] P<sub>4</sub>.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=335–337}}{{sfn|King|1995|pp=45–47}}

==== السيلانات ====
[[سيلانات|السيلانات]] هي [[سلسلة متجانسة]] من المركّبات الكيميائية المكوّنة من السيليكون و[[هيدروجين|الهيدروجين]]، ولها الصيغة العامة Si<sub>''n''</sub>H<sub>2''n''&nbsp;+&nbsp;2</sub>، ويعرف منها سلاسل متفرّعة وغير متفرّعة حتى قيمة تصل من ''n''=8؛ كما أن [[مركب حلقي|المركّبات الحلقية]] على الشكل Si<sub>5</sub>H<sub>10</sub> و Si<sub>6</sub>H<sub>12</sub> معروفة أيضاً. أشهر تلك المركّبات هي [[سيلان (مركب كيميائي)|أحادي السيلان]] SiH<sub>4</sub> و[[ثنائي السيلان]] Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>، واللذان يوجدان في الطور الغازي، أمّا [[ثلاثي السيلان]] Si<sub>3</sub>H<sub>8</sub> والسيلانات العليا فهي توجد في الطور السائل في الشروط القياسية.

كان [[ألفرد شتوك]] من الرائدين في دراسة هذه المركّبات؛{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=337–340}}<ref>E. Wiber, [http://www.iupac.org/publications/pac/pdf/1977/pdf/4906x0691.pdf Alfred Stock and the Renaissance of Inorganic Chemistry]," ''Pure Appl. Chem.'', Vol. 49 (1977) pp. 691–700. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120711043707/http://www.iupac.org:80/publications/pac/pdf/1977/pdf/4906x0691.pdf|date=2012-07-11}}</ref><ref>J. W. Mellor, "A Comprehensive Treatise on Inorganic and Theoretical Chemistry," Vol. VI, Longman, Green and Co. (1947) pp. 223–227.</ref> وهي يمكن أن تُحضَّر انطلاقاً من [[سيليسيد المغنيسيوم]]، كما يمكن أن تُحضَّر من اختزال السيلانات [[مستبدل|المستبدلة]] باستخدام [[مختزل]] قويّ مثل [[هيدريد ألومنيوم الليثيوم]] في وسط من الإيثر عند درجات حرارة منخفضة. يمكن الحصول على السيلانات المستبدلة من تفاعل الأحماض الهالوجينية مع السيليكون بوجود حفّاز من النحاس.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=337–340}} عند وجود مستبدلات عضوية مناسبة يمكن للسيلانات أن تعطي بولي سيلانات مستقرّة.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Miller |الأول1=R.D. |الأخير2=Michl |الأول2=J. |doi=10.1021/cr00096a006 |عنوان=Polysilane high polymers |صحيفة=Chemical Reviews|المجلد=89 |العدد=6| صفحات=1359 |سنة=1989 }}</ref>

==== ثنائي أكسيد السيليكون ====
توجد تحويرات متنوّعة من [[ثنائي أكسيد السيليكون]]، الذي يعرف بالاسم الشائع «السيليكا»، في الطبيعة، وهو يدخل في تركيب العديد من المعادن والصخور. تكون أغلب الأشكال البلورية للسيليكا مرتّبة على هيئة [[رباعي سطوح|رباعيات سطوح]] متّصلة مع بعضها على شكل سلاسل طويلة جدّاً من {SiO<sub>4</sub>} تتّصل مع بعضها برؤوسها. وفق هذا الترتيب تحتلّ ذرّة السيليكون المركز، وعلى الرؤوس تتوضّع ذرّات الأكسجين، حيث تتّصل كلّ ذرّة أكسجين بذرّتي سيليكون. يعدّ النمط البلّوري من الشكل ألفا-كوارتز {{#tag:ref|α-quartz|group="ملاحظة"}}، من الأنماط المستقرّة ديناميكياً حرارياً عند درجة حرارة الغرفة، وتكون رباعيات السطوح فيها متّصلة ببعضها على شكل سلاسل حلزونية متداخلة، مع وجود طولان مختلفان للرابطة Si–O هما 159.7 و 161.7 [[بيكومتر]]؛ أمّا زاوية الرابطة Si–O–Si فتبلغ 144°. يمكن أن تكون جهة الدوران في تلك الترتيبات الحلزونية إمّا يمينية أو يسارية، ولذلك فإنّ بلّورات ألفا-كوارتز ذات [[تدوير ضوئي|فعالية ضوئية]]. عند الدرجة 537&nbsp;°س يتغيّر الترتيب بسرعة وبشكل عكوس إلى النمط بيتا-كوارتز {{#tag:ref|β-quartz|group="ملاحظة"}} المشابه، والذي تختلف فيه مقدار الزاوية Si–O–Si لتصبح 155°، مع الاحتفاظ بالقساوة. يؤدّي التسخين إلى 867&nbsp;°س إلى تحوّل طوري آخر إلى بيتا-[[تريديميت]] {{#tag:ref|β-tridymite|group="ملاحظة"}}، والذي تتكسر فيه بعض روابط Si–O ممّا يسمح لرباعيات السطوح {SiO<sub>4</sub>} أن تشكّل بنية مفتوحة وأقل تراصّاً. يعدّ هذا التحوّل بطيئاً، وعندما يُترَك ليبرد إلى قرابة 120&nbsp;°س، فإنّه يتحوّل بسرعة وبشكل عكوس إلى بنية ألفا-تريديميت {{#tag:ref|α-tridymite|group="ملاحظة"}}، الشبيهة ببنية الكوارتز. يتحوّل البيتا-تريديميت إلى الشكل المكعّب من بيتا-[[كريستوباليت]] {{#tag:ref|β-cristobalite|group="ملاحظة"}} عند قرابة 1470&nbsp;°س، والتي توجد بشكل شبه مستقرّ تحت درجة حرارة التحوّل الطوري، وتتحوّل عند التبريد ما بين 200–280&nbsp;°س إلى النمط ألفا-كريستوباليت {{#tag:ref|α-cristobalite|group="ملاحظة"}} عند حدوث انزياحات صغيرة للذرّات. ينصهر البيتا-كريستوباليت عند الدرجة 1713&nbsp;°س، ويؤدّي التبريد حينها إلى حدوث [[تزجيج]] للسيليكا. تبقى رباعيات السطوح {SiO<sub>4</sub>} في السيليكا المزجّجة متّصلة مع بعضها برؤوسها، ولكن مع ضياع تناظر ودورية الترتيب البلّوري. بسبب التحوّل البطيء بين هذه الأنماط المذكورة، فإنّه من الممكن للتسخين السريع أن يصهر ألفا-الكوارتز (1550&nbsp;°س) أو البيتا-تريديميت (1703&nbsp;°س)؛ من جهةٍ أخرى تغلي السيليكا عند قرابة الدرجة 2800&nbsp;°س.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=342–347}}

إنّ ثنائي أكسيد السيليكون شبه خاملة كيميائياً، وهو لا يهاجَم من أيّ حمض ما عدا [[حمض الهيدروفلوريك]]؛ ولكنّه بالمقابل ينحلّ ببطء في [[محلول قلوي|المحاليل القلوية]] المركّزة، ولكن عملية الانحلال في مصهور الهيدروكسيدات أو الكربونات القلوية تكون أسرع، ممّا يشكّل [[سيليكات]] الفلزّات الموافقة. يعدّ [[فلور|الفلور]] الوحيد من بين العناصر القادر على مهاجمة السيليكا عند درجة حرارة الغرفة ليشكّل [[رباعي فلوريد السيليكون]]، يستطيع [[هيدروجين|الهيدروجين]] و[[كربون|الكربون]] التفاعل مع السيليكا، ولكن عند درجات حرارة تتجاوز 1000&nbsp;°س.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=342–347}}

==== الأحماض السيليسية ====
تؤدّي إضافة الماء إلى السيليكا إلى انخفاض نقطة انصهارها بقرابة 800&nbsp;°س، وذلك بسبب حدوث خلخلة جزئية في البنية، فتحلّ روابط Si–OH مكان Si–O–Si في البنية. يؤدّي زيادة تركيز الماء إلى تشكيل [[هلام السيليكا]] (السيليكا جل) {{#tag:ref|silica gel|group="ملاحظة"}}، بالإضافة إلى مستعلقات [[غرواني]]ة مميّهة أخرى للسيليكا. إذ توجد العديد من [[هيدرات|الهيدرات]] التي تتشكّل في المحاليل الممدّدة، والتي سرعان ما تترسّب وتتكثّف وتتشابك لتعطي العديد من [[حمض السيليسيك|الأحماض السيليسية]] المبلمرة، فتكون الصيغة العامّة لوحدة التكرار على الشكل [SiO<sub>''x''</sub>(OH)<sub>4−2''x''</sub>]، وهذا السلوك مشابه لما لعناصر [[بورون|البورون]] و[[ألومنيوم|الألومنيوم]] على سبيل المثال. بالتالي، فعلى الرغم من التمكّن من تحديد بنية بعض الأحماض السيليسية في المحاليل الممدّدة، مثل [[حمض أورثو السيليسيك]]
Si(OH)<sub>4</sub> و[[حمض ميتا السيليسيك]] SiO(OH)<sub>2</sub>، فإنّه لم يتمكّن من عزلها في الحالة الصلبة.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=342–347}}

==== مركبات لاعضوية أخرى ====
يتشكّل [[ثنائي كبريتيد السيليكون]] من حرق السيليكون في الكبريت الغازي عند الدرجة 100 °س؛ ويؤدي تسامي المركّب الناتج SiS<sub>2</sub> في وسط من النتروجين إلى الحصول على ألياف طويلة بيضاء ومرنة شبيهة بشكلها [[أسبست|بالأسبست]]، وببنيتها بالسيليكا-W، ولكن يفتقد SiS<sub>2</sub> التنوّع في البنى الذي يمتلكه SiO<sub>2</sub>، وهو [[تحلل مائي|يتحلمه]] إلى السيليكا و[[كبريتيد الهيدروجين]]. كما يتفاعل بسهولة مع [[أمونيا|الأمونيا]] السائلة ليشكّل مركّب [[إيميد]]ي NH<sub>4</sub>SH.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=359–361}}

:<chem>SiS2 + 4 NH3 -> Si(NH)2 + 2 NH4SH</chem>

وهو يتفاعل مع كبريتيدات الصوديوم والمغنيسيوم والألومنيوم والحديد ليشكّل مركّبات {{ط|الثيوسيليكات}} {{#tag:ref|thiosilicates|group="ملاحظة"}} الموافقة؛ في حين يعطي التفاعل مع [[إيثانول|الإيثانول]] إلى الحصول على [[رباعي إيثيل أورثو السيليكات]] وكبريتيد الهيدروجين. يؤدّي تفاعل كبريتيد الهيدروجين مع رباعي هاليدات السيليكون إلى الحصول على {{ط|ثيوهاليدات}} {{#tag:ref|thiohalides|group="ملاحظة"}} السيليكون المختلفة.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=359–361}} يمكن الحصول على [[نتريد السيليكون]] Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> من التفاعل المباشر بين السيليكون و[[نيتروجين|النتروجين]] فوق الدرجة 1300 °س، ولكن يمكن الحصول على هذا المركّب بأسلوب أفضل من تسخين السيليكا مع الفحم في جوّ من غازي النتروجين والهيدروجين عند الدرجة 1500&nbsp;°س. يعدّ مركّب نتريد السيليكون من المواد [[خزف|السيراميكية]] وهي مادّة خاملة كيميائياً وحرارياً، كما أنّها كثيفة وذات [[صلادة]] مرتفعة (9 على [[مقياس موس]]). من [[مادة حرارية|المواد الحرارية]] المشابهة مركّب Si<sub>2</sub>N<sub>2</sub>O، والذي يتشكّل من تسخين السيليكون والسيليكا عند الدرجة 1450&nbsp;°س في جوّ من [[آرغون|الآرغون]] حاوٍ على 5% من النتروجين. تتكوّن البنية من تناوب ذرّات السيليكون رباعي التناسق مع النتروجين ثلاثي التناسق في شبكة سداسية متراصّة ومتشابكة مع بعضها البعض بروابط Si–O–Si غير خطّية.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=359–361}}

يعطي تفاعل هاليدات السيليل مع الأمونيا أو مشتقّات ألكيل الأمونيا في الطور الغازي أو في وسط من محلول إيثانولي نواتج مختلفة من مركّبات {{ط|سيليلاميد}} {{#tag:ref|silylamides|group="ملاحظة"}} [[تطايرية|المتطايرة]]، وهي مجانسات سيليكونية [[أمين (كيمياء)|للأمينات]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=359–361}}

:<chem>3 SiH3Cl + 4 NH3 -> N(SiH3)3 + 3 NH4Cl</chem>

[[ملف:Siliciumcarbid.jpg|تصغير|يمين|120 بك|كربيد السيليكون]]
جرى تحضير العديد من تلك المركّبات، ولكن الأنواع الكيميائية الحاوية على الرابطة SiH–NH غير مستقرّة عند درجة حرارة الغرفة. كما جرى تحضير مناظرات سيليكونية [[إيمين|للإيمينات]] حاوية على الرابطة المزدوجة Si=N، ولكنّها غير مستقرّة أيضاً.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=359–361}}

حُضّر مركّب [[كربيد السيليكون]] SiC لأوّل مرة سنة 1891 من الكيميائي [[إدوارد غودريتش أتشيسون]]، الذي أطلق عليه اسم {{ط|كربوروندوم}} {{#tag:ref|carborundum|group="ملاحظة"}}، وأسّس شركة لإنتاجه.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=334}} يوجد من كربيد السيليكون أكثر من 250 شكل بلّوري.<ref>{{استشهاد بكتاب | مسار=https://books.google.com/books?id=hJySnYNE3B0C |صفحة=3 |عنوان=Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments |مؤلف=Cheung, Rebecca |ناشر = Imperial College Press |سنة=2006 |isbn=978-1-86094-624-0| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210428040405/https://books.google.com/books?id=hJySnYNE3B0C | تاريخ أرشيف = 28 أبريل 2021 }}</ref> ما يميّز [[تعدد الأشكال (علم المواد)|تعدّد الأشكال]] في كربيد السيليكون هو وجود عائلة كبيرة من البنى البلّورية المتشابهة، والتي تكون فيها التحويرات بسيطة، فيكون التشابه على بُعدَين اثنين ويختلف في البعد الثالث. بالتالي يمكن النظر إليها على أنها طبقات مكدّسة في تتابع معيّن.<ref name=jap>{{استشهاد بدورية محكمة |doi = 10.1063/1.358463 |عنوان=Large-band-gap SiC, III–V nitride, and II–VI ZnSe-based semiconductor device technologies |سنة=1994 |مؤلف=Morkoç, H. |صحيفة=Journal of Applied Physics |المجلد=76| العدد=3 |صفحة=1363 |الأخير2=Strite |الأول2=S. |الأخير3=Gao |الأول3=G.B. |الأخير4=Lin |الأول4=M.E. |الأخير5=Sverdlov |الأول5=B. |الأخير6=Burns |الأول6=M. |bibcode=1994JAP....76.1363M}}</ref> يعدّ كربيد السيليكون أكثر مركّب ثنائي للسيليكون ثابت حرارياً، وهو يبدي مظاهر التفكّك بفقدان السيليكون عند درجات حرارة قرابة 2700 °س. إلّا أنّ ثباتيته الكيميائية أقلّ من الحرارية وخاصّةً عند درجات الحرارية المرتفعة، إذ يؤدّي إزالة طبقة ثنائي أكسيد السيليكون الواقية عليه بالتفاعل مع مصهور الهيدروكسيدات أو الكربونات إلى أكسدته تلقائياً؛ كما أنه يُهاجَم من غاز [[كلور|الكلور]] عند الدرجة 1000 °س ليشكّل الكلوريدات الموافقة.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=361–366}}

==== مركبات السيليكون العضوية ====
[[ملف:Si-C-Inversion.svg|تصغير|يمين|140 بك|انعكاس قطبية الرابطة الكيميائية بين C–H وSi–H]]
بسبب التقارب في [[قوة الرابطة]] الكيميائية بين Si–C و C–C، فإن [[مركب سيليكون عضوي|مركّبات السيليكون العضوية]] غالباً ما تكون مستقرّة كيميائياً وحرارياً. فعلى سبيل المثال يمكن أن يُقطّر مركّب SiPh<sub>4</sub> ({{ط|رباعي فينيل السيلان}}} {{#tag:ref|tetraphenylsilane|group="ملاحظة"}}) في الهواء حتى بالقرب من نقطة غليانه (428&nbsp;°س)، وكذلك الأمر مع مشتقّاته Ph<sub>3</sub>SiCl و Ph<sub>2</sub>SiCl<sub>2</sub>، التي تغلي عند 378&nbsp;°س و305&nbsp;°س، على الترتيب. وبشكل أبعد من ذلك، هناك تشابه إلى حدّ ما بين كيمياء الكربون العضوية وكيمياء السيليكون تبعاً للقدرة على تشكيل [[سلسلية (كيمياء)|سلاسل طويلة]] وروابط مضاعفة.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=361–366}} ولكن من جهة أخرى هناك اختلافات بسبب كهرجابية السيليكون بالمقارنة مع الكربون، فالرابطة Si–F أقوى من نظيرتها C–F، في حين أن الرابطة C–H أقوى بكثير من Si–H؛ كما أن ارتفاع كهرجابية السيليكون يجعل من قطبية الرابطة Si–H معكوسة بالنسبة للرابطة C–H، فالفرق في الكهرسلبية في الأخيرة هي +0.45 (هيدروجين-كربون)، في حين يبلغ الفرق في Si–H مقدار −0.2 (هيدروجين-سيليكون).بالإضافة إلى ذلك فإنّ السيليكون قادر على التوسّع في ثمانيته الإلكترونية أثناء تشكيل الروابط بشكل لا يوجد في الكربون، وبالتالي هناك بعض التفاعلات السيليكونية العضوية التي لا يوجد مناظر في كيمياء الكربون العضوية.{{sfn|Clayden|Greeves|Warren|2012|pp=668–677}}

[[ملف:HydrosilylationTriphenylsilylhydride.png|upright=1.8|تصغير|مثال على التفاعل إضافة السيليل الهيدروجينية (أو السيللة الهيدروجينية)، والذي يتضمّن إضافة Si–H إلى ركازة كيميائية غير مشبعة.]]
يمكن الحصول على مركّبات السيليكون العضوية مخبرياً بإجراء تفاعل [[إضافة سيليل]] ({{ط|سيللة}} {{#tag:ref|Silylation|group="ملاحظة"}}) للمركّبات العضوية من تفاعل [[كلوريد ثلاثي ميثيل السيليل]] أو [[رباعي كلوريد السيليكون]] مع [[مركب ليثيوم عضوي]] أو [[كاشف غرينيار]] (مركّب مغنيسيوم عضوي) أو [[مركب ألومنيوم عضوي|مركّب ألومنيوم عضوي]]. كما تُحضّر تلك المركّبات مخبرياً من تفاعل [[إضافة سيليل هيدروجينية]] {{#tag:ref|Hydrosilylation|group="ملاحظة"}}، والذي يتضمّن إضافة الرابطة Si–H إلى رابطة C=C المضاعفة. أمّا صناعياً فيُستحصَل على مركّبات السيليكون العضوية من التفاعل المباشر بين هاليدات الألكيل أو الأريل مع السيليكون بوجود فلز [[نحاس|النحاس]] حفّازاً للعملية.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=361–366}} من الأمثلة على المجموعات العضوية السيليكونية واسعة الاستخدام مجموعة [[ثلاثي ميثيل السيليل]]، والتي تستخدم [[مجموعة حماية]] في التفاعلات العضوية. هناك العديد من المشتقّات الكلوريدية الحاوية على ميثيل السيلان، مثل [[ميثيل ثلاثي كلورو السيلان]] أو [[ثنائي ميثيل ثنائي كلورو السيلان]] أو [[كلورو ثنائي ميثيل السيلان]]. من مجموعات السيليكون العضوية أيضاً كلّ من [[سيليل الإيثر]] و[[سيلوكسان|السيلوكسان]] و[[تريفلات|التريفلات]]. أمّا من المركّبات المعروفة [[رباعي ميثيل السيلان]]، والذي يستخدم مادّة مقياسية من أجل تعيير [[انزياح كيميائي|الانزياح الكيميائي]] في [[مطيافية الرنين المغناطيسي النووي]]. كما يعدّ مركّب [[تريفلات ثلاثي ميثيل السيليل]] من [[أحماض وقواعد لويس|أحماض لويس]] القويّة جدّاً، ويستخدم من أجل تحويل مركّبات [[مجموعة كربونيل|الكربونيل]] إلى [[أسيتال]] و[[إيثر سيليلي إينولي]]، واللذان يتفاعلان مع بعضهما بشكلٍ مناظر [[تفاعل ألدول|للتفاعل الألدولي]].{{sfn|Clayden|Greeves|Warren|2012|pp=668–677}}

== الدور الحيوي ==
[[ملف:20110123 185042 Diatom.jpg|معدول|تصغير|جدار خلوي مغلّف بالسيليكا لكائن [[دياتوم]]ي.]]
على الرغم من توفّر [[سيليكات|السيليكات]] بشكلٍ كبير في القشرة الأرضية، إلّا أنّ هناك عددٌ قليلٌ نسبياً من الكائنات الحيّة القادرة على استخدامه والاستفادة منه حيوياً. من بين هذه الاستثناءات تندرج كلّ من كائنات [[دياتوم|الدياتوم]] {{#tag:ref|Diatom|group="ملاحظة"}} و[[شعوعيات|الشعوعيات]] {{#tag:ref|radiolaria|group="ملاحظة"}} وكذلك نوع خاصّ من [[إسفنجيات|الإسفنجيات]] السيليسية {{#tag:ref|Siliceous sponge|group="ملاحظة"}} والتي تستخدم «السيليكا ذات الأصل الحيوي» {{#tag:ref|Biogenic silica|group="ملاحظة"}} كدعامات بنيوية لهياكلها. وُجدَ أيضاً أنّ إضافة الأورثوسيليكات إلى علف العجول يزيد من نسبة [[كولاجين|الكولاجين]] في جلدها و[[غضروف|غضاريفها]].<ref>{{استشهاد بدورية محكمة | صحيفة= Biological Trace Element Research|المجلد= 56|العدد= 2|صفحات= 153–165|سنة= 1997|مؤلف= M. R. Calomme, D. A. Vanden Berghe|doi= 10.1007/BF02785389|عنوان= Supplementation of calves with stabilized orthosilicic acid: Effect on the Si, Ca, Mg, and P concentrations in serum and the collagen concentration in skin and cartilage}}</ref>

=== عند النباتات ===
في خلايا النباتات الأكثر تقدّماً فتوجد جسيمات [[سيليكا النبات]] {{#tag:ref|opal phytoliths|group="ملاحظة"}}، وهي جسيمات مجهرية صلبة، والتي تكون ضرورية للنمو في بعض النباتات مثل [[أرز|الأرز]].<ref>{{استشهاد بكتاب |الفصل=Silicon |صفحة=856 |isbn=978-0-444-53181-0 |عنوان=Studies in Natural Products Chemistry |المجلد=35 |الأول=Atta-ur- |الأخير=Rahman|سنة=2008 }}</ref><ref name="abd">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Exley |الأول1=C. |عنوان=Silicon in life:A bioinorganic solution to bioorganic essentiality |صحيفة=Journal of Inorganic Biochemistry |المجلد=69 |صفحات=139–144 |تاريخ=1998 |doi=10.1016/S0162-0134(97)10010-1 |العدد=3}}</ref><ref name="plants">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Epstein |الأول1=Emanuel |عنوان=SILICON |صحيفة=Annual Review of Plant Physiology and Plant Molecular Biology |المجلد=50 |تاريخ=1999 |pmid=15012222 |doi=10.1146/annurev.arplant.50.1.641 |صفحات=641–664}}</ref> كما وجد أنّ السيليكون يحسّن من متانة الجدار الخلوي ومن الخواص الدعامية الهيكلية في بعض النباتات الأخرى.<ref name=Kim2002>{{استشهاد بدورية محكمة |doi=10.1094/PHYTO.2002.92.10.1095 |pmid=18944220 |عنوان=Silicon-Induced Cell Wall Fortification of Rice Leaves: A Possible Cellular Mechanism of Enhanced Host Resistance to Blast |مسار=https://archive.org/details/sim_phytopathology_2002-10_92_10/page/1095 |صحيفة=Phytopathology |المجلد=92| العدد=10 |صفحات=1095–103 |سنة=2002 |الأخير1=Kim |الأول1=Sang Gyu |الأخير2=Kim |الأول2=Ki Woo |الأخير3=Park |الأول3=Eun Woo |الأخير4=Choi |الأول4=Doil|doi-access=free }}</ref> تدرس الجمعية الأمريكية لموظفي مراقبة غذاء النبات {{#tag:ref|Association of American Plant Food Control Officials (AAPFCO)|group="ملاحظة"}} إدراج السيليكون ضمن المواد المفيدة للنباتات.<ref>{{استشهاد بويب |عنوان=AAPFCO Board of Directors 2006 Mid-Year Meeting |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20120106010519/http://www.aapfco.org/MY06BODAgenda.pdf |مسار=http://www.aapfco.org/MY06BODAgenda.pdf |تاريخ أرشيف=6 January 2012 |ناشر=Association of American Plant Food Control Officials |تاريخ الوصول=2011-07-18 |اقتباس=A presentation was made for Excell Minerals to recognize Silicon as a recognized plant nutrient |حالة المسار=dead }}</ref><ref name=presentation>{{استشهاد بويب |مؤلف=Miranda, Stephen R. |مؤلف2=Bruce Barker |عنوان=Silicon: Summary of Extraction Methods |مسار=https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:SzfW40-2DDcJ:www.aapfco.org/AM09/LSC_Si_Methods_DC.ppt+aapfco+siicon&hl=en&gl=us&pid=bl&srcid=ADGEESj4Jo-RFFj54kb6Sun3ikgJW9DMHzRAuUS045YkFErzE5NaSA084KvIyRxJp0IVX5ktDhaPPqcYLRx2hVu6K5YVWj95h2kgvkvDLQLyrxcJXXD3tQ3P5YLJ7J5F8rRYzenxznHp&sig=AHIEtbSPNk7BtSIpiRnvNI1F-2jSLN5LYA |ناشر=Harsco Minerals |تاريخ=August 4, 2009 |تاريخ الوصول=2011-07-18 |تاريخ أرشيف=5 أبريل 2021 |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20210405163345/https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache%3ASzfW40-2DDcJ%3Awww.aapfco.org%2FAM09%2FLSC_Si_Methods_DC.ppt+aapfco+siicon&hl=en&gl=us&pid=bl&srcid=ADGEESj4Jo-RFFj54kb6Sun3ikgJW9DMHzRAuUS045YkFErzE5NaSA084KvIyRxJp0IVX5ktDhaPPqcYLRx2hVu6K5YVWj95h2kgvkvDLQLyrxcJXXD3tQ3P5YLJ7J5F8rRYzenxznHp&sig=AHIEtbSPNk7BtSIpiRnvNI1F-2jSLN5LYA |حالة المسار=dead }}</ref>

=== عند الكائنات البحرية ===
تستخدم كائنات الدياتوم السيليكونَ ذا الأصل الحيوي؛<ref>{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير1=Bidle|الأول1=Kay D.|الأخير2=Manganelli|الأول2=Maura|الأخير3=Azam|الأول3=Farooq|تاريخ=2002-12-06|عنوان=Regulation of Oceanic Silicon and Carbon Preservation by Temperature Control on Bacteria|مسار=https://science.sciencemag.org/content/298/5600/1980|صحيفة=Science|لغة=en|المجلد=298|العدد=5600|صفحات=1980–1984|doi=10.1126/science.1076076|issn=0036-8075|pmid=12471255|bibcode=2002Sci...298.1980B|s2cid=216994| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210123090307/https://science.sciencemag.org/content/298/5600/1980 | تاريخ أرشيف = 23 يناير 2021 }}</ref> والذي يُمتصّ بواسطة «{{ط|بروتين نقل السيليكون}}» {{#tag:ref|silicon transport protein (SIT)|group="ملاحظة"}} من أجل استخدامه بشكل أساسي في دعم هياكل [[جدار خلوي|الجدار الخلوي]] على هيئة [[محارة دياتومية|محارات دياتومية]]. يدخل السيليكون إلى المحيطات بشكل منحلّ على هيئة [[حمض السيليسيك]] أو [[سيليكات]].<ref name=":0">{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير1=Dugdale|الأول1=R. C.|الأخير2=Wilkerson|الأول2=F. P.|تاريخ=2001-12-30|عنوان=Sources and fates of silicon in the ocean: the role of diatoms in the climate and glacial cycles|صحيفة=Scientia Marina|المجلد=65|العدد=S2|صفحات=141–152|doi=10.3989/scimar.2001.65s2141|issn=1886-8134|doi-access=free}}</ref> تعدّ الدياتومات من المستهلكين الرئيسيّين لهذا النوع من السيليكون، وتساهم بشكل كبير في التأثير على تركيز السيليكون في المحيطات، ويعدّ السيليكون بذلك شكلاً من أشكال المغذّيات، فيزيد بذلك أعداد الكائنات الدياتومية في المستويات العليا الضحلة،<ref name=":0" /> وذلك يؤثّر بالنهاية على تركيز السيليكون في المستويات الأعمق في المحيطات.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير1=Baines|الأول1=Stephen B.|الأخير2=Twining|الأول2=Benjamin S.|الأخير3=Brzezinski|الأول3=Mark A.|الأخير4=Krause|الأول4=Jeffrey W.|الأخير5=Vogt|الأول5=Stefan|الأخير6=Assael|الأول6=Dylan|الأخير7=McDaniel|الأول7=Hannah|تاريخ=December 2012|عنوان=Significant silicon accumulation by marine picocyanobacteria|مسار=https://www.nature.com/articles/ngeo1641|صحيفة=Nature Geoscience|لغة=en|المجلد=5|العدد=12|صفحات=886–891|doi=10.1038/ngeo1641|bibcode=2012NatGe...5..886B|issn=1752-0908| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211014011347/https://www.nature.com/articles/ngeo1641 | تاريخ أرشيف = 14 أكتوبر 2021 }}</ref> تدعى ظاهرة حركة السيليكون بين المستويات متفاوتة العمق في المحيطات باسم «{{ط|الثلج البحري}}» {{#tag:ref|Marine snow|group="ملاحظة"}}؛ وهي تتضمّن الانتقال السفلي [[جسيمات معلقة|للدقائق المعلقة]] من [[مادة عضوية|المواد العضوية]] مع مزيج المواد العضوية المنحلّة.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير=Turner|الأول=Jefferson T.|تاريخ=January 2015|عنوان=Zooplankton fecal pellets, marine snow, phytodetritus and the ocean's biological pump|مسار=http://dx.doi.org/10.1016/j.pocean.2014.08.005|صحيفة=Progress in Oceanography|المجلد=130|صفحات=205–248|doi=10.1016/j.pocean.2014.08.005|bibcode=2015PrOce.130..205T|issn=0079-6611| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211014034111/https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S0079661114001281 | تاريخ أرشيف = 14 أكتوبر 2021 }}</ref> بالتالي فإنّ هذه الظاهرة تؤثّر في النهاية على تركيز المغذّيات في المستويات العميقة في المحيطات.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة|الأخير1=Yool|الأول1=Andrew|الأخير2=Tyrrell|الأول2=Toby|تاريخ=2003|عنوان=Role of diatoms in regulating the ocean's silicon cycle|مسار=https://agupubs.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1029/2002GB002018|صحيفة=Global Biogeochemical Cycles|لغة=en|المجلد=17|العدد=4|صفحات=n/a|doi=10.1029/2002GB002018|bibcode=2003GBioC..17.1103Y|issn=1944-9224| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210129083947/https://agupubs.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1029/2002GB002018 | تاريخ أرشيف = 29 يناير 2021 }}</ref>

تعدّ الكائنات الدياتومية من [[عوالق نباتية|العوالق النباتية]] في المناطق الساحلية، وهي تساهم في إنتاج السيليكون ذي الأصل الحيوي؛ أمّا في المحيطات المفتوحة، فإنّ للدياتومات دورٌ أقلّ في إنتاج السيليكا. من جهةٍ أخرى، تساهم الدياتومات في [[دوامة محيطية|الدوّامات المحيطية]] في شمالي المحيطين الأطلسي والهادي بنسبة 5-7% من الإنتاج السنوي العالمي للسيليكا؛ أمّا الأقسام الجنوبية من المحيطات فهي تعطي قرابة ثلث الإنتاج السنوي العالمي من السيليكا ذات الأصل الحيوي؛<ref name="The World Ocean Silica Cycle"/> وذلك التباين يظهر الانقسام في الحركة الجيوكيميائية الحيوية بين القسمين الشمالي والجنوبي لتلك المحيطات.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Marinov |الأول1=I. |الأخير2=Gnanadesikan |الأول2=A. |الأخير3=Toggweiler |الأول3=J. R. |الأخير4=Sarmiento |الأول4=J. L. |عنوان=The Southern Ocean biogeochemical divide |صحيفة=Nature |تاريخ=June 2006 |المجلد=441 |العدد=7096 |صفحات=964–967 |doi=10.1038/nature04883|pmid=16791191 |bibcode=2006Natur.441..964M |s2cid=4428683 }}</ref>

=== عند البشر ===
هناك بعض الدلائل التي تشير إلى أنّ السيليكون قد يكون ضرورياً لصحّة الأظافر والشعر والعظام وأنسجة الجلد عند الإنسان؛<ref group="ar">{{استشهاد بكتاب
|الأخير   = القحطاني
|الأول    = جابر بن سالم موسى 
|عنوان = صحتك
|صفحة =110
|سنة     = 2013
|ناشر  = العبيكان للنشر
| مسار   = https://www.google.com/books/edition/%D8%B5%D8%AD%D8%AA%D9%83/uVDeDQAAQBAJ?hl=de&gbpv=1
|isbn = 9786035034661
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211014012614/https://www.google.com/books/edition/صحتك/uVDeDQAAQBAJ?hl=de&gbpv=1 | تاريخ أرشيف = 14 أكتوبر 2021 }}</ref><ref>{{استشهاد بكتاب|الأول1= Keith R.|الأخير1= Martin|محرر=Astrid Sigel|محرر2=Helmut Sigel|محرر3=Roland K.O. Sigel|عنوان=Interrelations between Essential Metal Ions and Human Diseases|سلسلة=Metal Ions in Life Sciences|المجلد=13|تاريخ=2013|ناشر=Springer|صفحات=451–473|الفصل=Chapter 14. Silicon: The Health Benefits of a Metalloid|doi=10.1007/978-94-007-7500-8_14|pmid= 24470100|isbn= 978-94-007-7499-5}}</ref> فعلى سبيل المثال، فقد أظهرت بعض الدراسات أنّ النساء في مرحلة ما قبل انقطاع الطمث اللواتي لديهنّ حمية غذائية مرتفعة المحتوى من السيليكون يكون لديهنّ [[كثافة العظام|كثافة عظام]] أكبر، وأن المكمّلات الغذائية الحاوية على السيليكون يمكن أن تزيد من حجم العظام وكثافتها في المرضى الذين يعانون من [[هشاشة العظام]].<ref name="jugdaohsingh2007silicon">{{استشهاد بدورية محكمة |الأخير1=Jugdaohsingh |الأول1=R. |عنوان=Silicon and bone health |صحيفة=The Journal of Nutrition, Health and Aging |تاريخ=Mar–Apr 2007 |المجلد=11 |العدد=2 |صفحات=99–110 |pmc=2658806 |pmid=17435952}}</ref> يُحتاج إلى السيليكون من أجل اصطناع [[إيلاستين|الإيلاستين]] و[[كولاجين|الكولاجين]]، واللذان يدخلان في تركيب [[أبهر (شريان)|الشريان الأبهر]] في جسم الإنسان؛<ref name="LoeperLoeper1978">{{استشهاد بكتاب |الأخير1=Loeper |الأول1=J. |الأخير2=Loeper |الأول2=J. |الأخير3=Fragny |الأول3=M. |عنوان=The Physiological Role of the Silicon and its AntiAtheromatous Action |سنة=1978 |صفحات=281–296 |doi=10.1007/978-1-4613-4018-8_13 |صحيفة=Biochemistry of Silicon and Related Problems |isbn=978-1-4613-4020-1}}</ref> ولذلك يصنّف السيليكون من البعض على أنّه من [[عنصر معدني (تغذية)|العناصر المغذّية]].<ref name="Niels">{{استشهاد بدورية محكمة |doi = 10.1146/annurev.nu.04.070184.000321 |صفحات=21–41 |صحيفة=Annual Review of Nutrition |المجلد=4 |تاريخ=1984 |عنوان=Ultratrace Elements in Nutrition |مسار = https://archive.org/details/sim_annual-review-of-nutrition_1984_4/page/21 |الأول=Forrest H. |الأخير=Nielsen |pmid=6087860}}</ref> بالرغم من ذلك، فإنّه من الصعب البرهان على اضطرار جسم الإنسان له، بسبب أنّ السيليكون متوفّر جدّاً، ومن الصعب لذلك فحص الأعراض الناجمة عن نقص وعوز هذا العنصر.<ref name=lipp>{{استشهاد بكتاب |ناشر=University Science Books |isbn=978-0-935702-72-9 |صفحة=[https://archive.org/details/ost-chemistry-bioinch/page/n430 411] |الأخير=Lippard |الأول=Stephen J. |مؤلف2=Jeremy M. Berg |عنوان = Principles of Bioinorganic Chemistry |مسار=https://archive.org/details/ost-chemistry-bioinch |سنة=1994 |مكان=Mill Valley, CA| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20130115154810/http://archive.org/details/ost-chemistry-bioinch | تاريخ أرشيف = 15 يناير 2013 }}</ref>

== الاستخدامات ==
إنّ الاستخدام الأكبر والأهمّ للسيليكون النقيّ هو دخوله في [[صناعة أشباه الموصلات]] و[[تصنيع عناصر أشباه الموصلات|عناصرها ومكوّناتها]] المختلفة. أمّا أغلب السيليكون المستخدَم صناعياً فهو إمّا على شكل غير نقي أو على شكل مركّباته الكيميائية واسعة الانتشار مثل [[سيليكات|السيليكات]] أو [[ثنائي أكسيد السيليكون|السيليكا]]، والتي تجد تطبيقات مباشرة لها، خاصّةً في مجال مواد البناء والإنشاءات المختلفة، مثل [[أسمنت بورتلاندي|الأسمنت البورتلاندي]] و[[ملاط|الملاط]] و[[خزف|الخزف]] و[[زخارف جصية|الزخارف الجصية]] و[[زجاج الصودا والجير]]، وكذلك [[خرسانة|الخرسانة]] و[[طوب حراري|الطوب الحراري]]؛ بالإضافة إلى [[ليف زجاجي|الألياف الزجاجية]] و[[صوف زجاجي|الصوف الزجاجي]].{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=356}}

=== الصناعات الإلكترونية ===
[[ملف:Intel Pentium100 2015-03-17 07-45-51 M=B R=50 S=10 - Stack-DSC01979-DSC02023 (16840509852).jpg|تصغير|[[معالج دقيق]]]]
[[ملف:Solar panels on a roof.jpg|تصغير|[[مصفوف ضوئي جهدي]]]]
تتطلّب الصناعات الإلكترونية أن يكون السيليكون ذا نقاوة مرتقعة جدّاً، وأن يكون السيليكون على هيئة [[بلورة أحادية|بلّورة أحادية]] مفردة، والنقطة الأخيرة يمكن تحقيقها بواسطة [[عملية تشوخرالسكي]]، والتي يمكن من خلالها الحصول على [[رقاقة|رقائق]] سيليكون، والتي تستهلك في [[صناعة أشباه الموصلات]] وفي [[صناعة الإلكترونيات|الصناعات الإلكترونية]]، وكذلك في تطبيقات [[لوح ضوئي|الألواح الضوئية]] المختلفة.{{sfn|Zulehner|Neuer|Rau|2005|pp=590}} يتّسم السيليكون النقي بأنّه [[شبه موصل أصيل|شبه موصل ذاتي]]، ممّا يعني أنه وعلى العكس من الفلزّات قادر على نقل التيّار بواسطة [[ثغرة إلكترونية|الثغرات الإلكترونية]] و[[إلكترون|الإلكترونات]] المتحرّرة من الذرّات بواسطة الحرارة، لذلك تزداد [[موصلية (كهرباء)|موصليته الكهربائية]] بازدياد درجة الحرارة. كما أنّ للسيليكون النقي من جهةٍ أخرى مقاومية كهربائية مرتفعة كي يستخدم مكوّناً في الدارات الكهربائية، لذلك فإنّه عادةً ما [[إشابة|يشاب]] بتراكيز صغيرة من عناصر كيميائية معيّنة، ممّا يزيد من الموصلية الكهربائية، وتسهّل من التحكّم بعدد ونوع حاملات [[شحنة كهربائية|الشحنة الكهربائية]]. يعدّ هذا التحكّم ضرورياً في صناعة [[ترانزستور|الترانزستورات]] و[[خلية شمسية|الخلايا الشمسية]] و[[مكشاف شبه الموصلات|مكاشيف]] و[[عنصر شبه موصل|عناصر]] أشباه الموصلات المستخدمة في الصناعات الإلكترونية.{{sfn|Zulehner|Neuer|Rau|2005|pp=573}} يستفاد أيضاً من [[ضوئيات|الخواص البصرية]] للسيليكون النقيّ في مجال أبحاث [[ليزر|الليزر]].<ref name="dekker_2008" >{{استشهاد بدورية محكمة |عنوان=Ultrafast nonlinear all-optical processes in silicon-on-insulator waveguides |صحيفة=Journal of Physics D |سنة=2008 |المجلد=40 |العدد=14 |صفحة=R249–R271 |doi=10.1088/0022-3727/40/14/r01
|bibcode=2007JPhD...40..249D |الأخير1=Dekker |الأول1=R |الأخير2=Usechak |الأول2=N |الأخير3=Först |الأول3=M |الأخير4=Driessen |الأول4=A}}</ref>

تُستخدَم رقاقات من بلّورات السيليكون الأحادية في [[دارة متكاملة|الدارات المتكاملة]] الشائعة، والتي تكون معزولة عن بعضها البعض بسبب وجود طبقة رقيقة عازلة من [[ثنائي أكسيد السيليكون]]، والتي تضاف إمّا بأسلوب [[أكسدة حرارية|الأكسدة الحرارية]]، أو [[أكسدة موضعية للسيليكون|بالأكسدة الموضعية للسيليكون]] {{#tag:ref|local oxidation (LOCOS)|group="ملاحظة"}}. ما يجعل السيليكون ملائماً للصناعات الإلكترونية هو مقاومته لدرجات الحرارة المرتفعة، والفعالية الكهربائية الكبيرة من دون حدوث [[انهيار انهماري]]، وهو [[انهيار إلكتروني]] يحدث بسبب ارتفاع الحرارة، التي تسبب ازدياد عدد الإلكترونات والثغرات الإلكترونية، ممّا يؤدّي إلى ازدياد كمّيّة التيّار، ممّا يزيد من الحرارة، وهكذا دواليك. بالإضافة إلى ذلك، فإنّ طبقة الأكسيد العازلة تلك هي غير منحلّة في الماء، ممّا يمنح السيليكون أفضلية على [[جرمانيوم|الجرمانيوم]] في صناعة الإلكترونيات.<ref>[http://www.mpoweruk.com/semiconductors.htm Semiconductors Without the Quantum Physics]. Electropaedia {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210813034833/https://mpoweruk.com/semiconductors.htm|date=2021-08-13}}</ref><ref group="ar">{{استشهاد بكتاب
|الأخير   =  طلخان
|الأول    = السيد عبد الهادي
|عنوان = رحلة في هندسة الإلكترونيات
|صفحة = 61
|سنة     = 2001
|ناشر  = المكتبة الأكاديمية ktab INC.
| مسار   = https://www.google.com/books/edition/%D8%B1%D8%AD%D9%84%D8%A9_%D9%81%D9%8A_%D9%87%D9%86%D8%AF%D8%B3%D8%A9_%D8%A7%D9%84%D8%A5%D9%84%D9%83%D8%AA%D8%B1/H-omDwAAQBAJ?hl=de&gbpv=1&dq=%D8%A7%D9%84%D8%B3%D9%8A%D9%84%D9%8A%D9%83%D9%88%D9%86&pg=PT59&printsec=frontcover
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210810232347/https://books.google.com/books?id=H-omDwAAQBAJ&newbks=0&printsec=frontcover&pg=PT59&dq=السيليكون&hl=de | تاريخ أرشيف = 10 أغسطس 2021 }}</ref>

إنّ عملية تصنيع بلّورات السيليكون الأحادية مرتفعة الثمن، وهي غالباً ما تستخدم من أجل إنتاج الدارات المتكاملة؛ أمّا من أجل التطبيقات الإلكترونية الأخرى التي لا تتطلّب أن يكون السيليكون ذا نقاوة مرتفعة جدّاً فيمكن استخدام أنواع أخرى من السيليكون النقي، والتي تتضمّن نوعًا من أنواع [[سيليكون لابلوري|السيليكون اللابلوري المهدرج]] {{#tag:ref|local hydrogenated amorphous silicon|group="ملاحظة"}}، وكذلك السيليكون ذو النقاوة التعدينية المحسنة {{#tag:ref|local upgraded metallurgical-grade silicon (UMG-Si)|group="ملاحظة"}}، وذلك في مجال [[تصنيع بكرة-إلى-بكرة]] {{#tag:ref|Roll-to-roll processing|group="ملاحظة"}} المستخدم للتطبيقات منخفضة التكلفة مثل صناعة [[شاشة عرض البلورة السائلة|شاشات العرض البلّوري السائل]] و[[خلية شمسية|الخلايا الشمسية]]. يزداد نموّ سوق السيليكون منخفض النقاوة بشكل أكبر من بلّورات السيليكون الأحادية مرتفعة النقاوة، فوفق إحصاءات سنة 2013، كان من المتوقّع أن يصل إنتاج السيليكون متعدّد التبلور المستخدم في صناعة الخلايا الشمسية إلى قرابة 200 ألف طنّ سنوياً، في حين أنّ بلّورات السيليكون الأحادية كان من المتوقع لها أن تصل إلى أقلّ من 50 ألف طنّ سنوياً.<ref name=USGS>Corathers, Lisa A. [http://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/silicon/myb1-2009-simet.pdf 2009 Minerals Yearbook]. USGS {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180622193033/https://minerals.usgs.gov/minerals/pubs/commodity/silicon/myb1-2009-simet.pdf|date=2018-06-22}}</ref>

=== النقاط الكمومية ===
يستحصل على [[نقطة كمومية|النقاط الكمومية]] من السيليكون من خلال عملية المعالجة الحرارية لمركّب هيدروجين [[سيلسيسكيوكسان]] {{#tag:ref|hydrogen silsesquioxane|group="ملاحظة"}} ممّا يحولّه إلى [[بلورة نانوية|بلّورات نانوية]] يتراوح أبعادها من عدة نانومترات إلى عدّة ميكرونات، وهي تبدي خواصاً [[ضيائية]] معتمدة على حجم الجسيمات.<ref>Clark, Rhett J., Maryam Aghajamali, Christina M. Gonzalez, Lida Hadidi, Muhammad Amirul Islam, Morteza Javadi, Md Hosnay Mobarok, et al. “From Hydrogen Silsesquioxane to Functionalized Silicon Nanocrystals.” Chemistry of Materials 29, no. 1 (2016): 80–89. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b02667. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230512081252/https://doi.org/10.1021%2Facs.chemmater.6b02667|date=2023-05-12}}</ref><ref>Hessel, Colin M., Eric J. Henderson, and Jonathan G. C. Veinot. “Hydrogen Silsesquioxane: A Molecular Precursor for Nanocrystalline Si—SiO2 Composites and Freestanding Hydride-Surface-Terminated Silicon Nanoparticles.” ChemInform 38, no. 10 (June 2007). https://doi.org/10.1002/chin.200710014. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20220524062047/https://doi.org/10.1002%2Fchin.200710014|date=2022-05-24}}</ref> تظهر البلورات النانوية [[انزياح ستوكس|انزياحات ستوكس]] كبيرة، محوّلةً الفوتونات في مجال [[الأشعة فوق البنفسجية|فوق البنفسجي]] إلى فوتونات في المجال المرئي أو [[الأشعة تحت الحمراء|تحت الأحمر]] ممّا يمكّن من استخدامها في [[جهاز عرض النقطة الكمومية|أجهزة عرض النقط الكمومية]] و[[مركز شمسي ضيائي|المركّزات الشمسية الضيائية]]. ما يجعل السيليكون مفضّلاً على [[كادميوم|الكادميوم]] أو [[إنديوم|الإنديوم]] في مجال النقط الكمومية هو عدم سمّيّته ولطبيعته اللافلزية.<ref>Lim, Cheol Hong, Jeong-Hee Han, Hae-Won Cho, and Mingu Kang. “Studies on the Toxicity and Distribution of Indium Compounds According to Particle Size in Sprague-Dawley Rats.” Toxicological Research 30, no. 1 (2014): 55–63. https://doi.org/10.5487/tr.2014.30.1.055. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230512234705/https://doi.org/10.5487/tr.2014.30.1.055|date=2023-05-12}}</ref><ref>Zou, Hui, Tao Wang, Junzhao Yuan, Jian Sun, Yan Yuan, Jianhong Gu, Xuezhong Liu, Jianchun Bian, and Zongping Liu. “Cadmium-Induced Cytotoxicity in Mouse Liver Cells Is Associated with the Disruption of Autophagic Flux via Inhibiting the Fusion of Autophagosomes and Lysosomes.” Toxicology Letters 321 (2020): 32–43. https://doi.org/10.1016/j.toxlet.2019.12.019. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230524191621/https://doi.org/10.1016/j.toxlet.2019.12.019|date=2023-05-24}}</ref><ref>https://cdn.shopify.com/s/files/1/0970/1394/files/MSDS-Silica-Nanoparticle-Powder-GHS-Compliant.pdf {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210307204021/https://cdn.shopify.com/s/files/1/0970/1394/files/MSDS-Silica-Nanoparticle-Powder-GHS-Compliant.pdf|date=2021-03-07}}</ref> تُستخدَم النقط الكمومية من السيليكون أيضاً في مجال التحسّس للمواد الكيميائية الخطرة؛ إذ تتحسّس النقط الكمومية عبر حدوث [[استخماد التألق|استخماد لتألّقها]] عند وجود تلك المواد.<ref>Gonzalez, Christina M., Muhammad Iqbal, Mita Dasog, Davin G. Piercey, Ross Lockwood, Thomas M. Klapötke, and Jonathan G. C. Veinot. “Detection of High-Energy Compounds Using Photoluminescent Silicon Nanocrystal Paper Based Sensors.” Nanoscale 6, no. 5 (2014): 2608–12. https://doi.org/10.1039/c3nr06271f. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230606011151/https://doi.org/10.1039/c3nr06271f|date=2023-06-06}}</ref><ref>Nguyen, An, Christina M Gonzalez, Regina Sinelnikov, W Newman, Sarah Sun, Ross Lockwood, Jonathan G C Veinot, and Al Meldrum. “Detection of Nitroaromatics in the Solid, Solution, and Vapor Phases Using Silicon Quantum Dot Sensors.” Nanotechnology 27, no. 10 (October 2016): 105501. https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/10/105501. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20220524062047/https://doi.org/10.1088%2F0957-4484%2F27%2F10%2F105501|date=2022-05-24}}</ref> يحدث الكشف بعدّة أساليب مثل [[انتقال الإلكترون|انتقالات الإلكترون البينية]] و[[نقل الطاقة برنين فورستر|انتقال الطاقة برنين فورستر]] و[[تيار ضوئي|التيّارات الضوئية]].<ref>Gonzalez, Christina M., and Jonathan G. C. Veinot. “Silicon Nanocrystals for the Development of Sensing Platforms.” Journal of Materials Chemistry C 4, no. 22 (2016): 4836–46. https://doi.org/10.1039/c6tc01159d. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20230308131207/https://doi.org/10.1039/c6tc01159d|date=2023-03-08}}</ref><ref>Yue, Zhao, Fred Lisdat, Wolfgang J. Parak, Stephen G. Hickey, Liping Tu, Nadeem Sabir, Dirk Dorfs, and Nadja C. Bigall. “Quantum-Dot-Based Photoelectrochemical Sensors for Chemical and Biological Detection.” ACS Applied Materials & Interfaces 5, no. 8 (March 2013): 2800–2814. https://doi.org/10.1021/am3028662. {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20221224051051/https://doi.org/10.1021%2Fam3028662|date=2022-12-24}}</ref>

=== السبائك ===
يُضاف السيليكون على هيئة [[فروسيليكون]] إلى مصهور [[حديد زهر|الحديد الصبّ]]؛ ويستهلك هذا التطبيق قرابة 80% من الإنتاج العالمي للسيليكون. يساعد السيليكون على تحسين الأداء في صبّ المقاطع الرقيقة، ويعمل على منع تشكّل [[سمنتيت|السمنتيت]]؛ كما يعمل على التقاط الأكسجين مما يُسهل التحكّمبالمحتوى الكربوني؛ كما يعدّ مكوّناً أساسياً في [[فولاذ كهربائي|الفولاذ الكهربائي]] محسّناً من خواصه المقاومية و[[مغناطيسية حديدية|المغناطيسية الحديدية]]. يضاف السيليكون ذو النقاوة التعدينية من أجل تحضير [[سبيكة|سبائك]] مع عناصر أخرى مثل [[ألومنيوم|الألومنيوم]] في سبيكة [[سيلومين]]، المستخدمة بشكل واسع في [[صناعة المركبات]]، وذلك نظراً لخواصّها الميكانيكية المميّزة.<ref name=USGS/><ref name="diecasting">Apelian, D. (2009) [https://web.archive.org/web/20120106013105/http://www.diecasting.org/research/wwr/WWR_AluminumCastAlloys.pdf Aluminum Cast Alloys: Enabling Tools for Improved Performance]. North American Die Casting Association, Wheeling, Illinois.</ref>

=== البوليميرات السيليكونية ===
[[ملف:PmdsStructure.png|تصغير|يسار|بنية [[متعدد ثنائي ميثيل السيلوكسان]]، المكوّن الرئيسي في البوليميرات السيليكونية]]
يمكن أن تعدّ [[سيليكون (مركب كيميائي)|السيليكونات]] مناظرةً للسيليكات، لأنَّ مجموعات الميثيل في السيليكونات [[تساوي إلكتروني|متساوية إلكترونياً]] مع مجموعات <sup>−</sup>O في السيليكات.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=361–366}} تتميّز البوليميرات السيليكونية بثباتيتها الحرارية، وبمقاومتها للأكسدة، كما أنّها عازلة تجاه الماء، ولها العديد من الخواص المفيدة الأخرى، مثل العزل الكهربائي وعدم الالتصاق وعدم تشكيل رغوة؛ كما أنّها مقاومة للأشعّة فوق البنفسجية وللتآكل، بالإضافة إلى خمولها الكيميائي.{{sfn|Greenwood|Earnshaw|1997|pp=361–366}}

تستخدم البوليميرات السيليكونية في تصنيع المواد [[مقاومة للماء|المقاومة للماء]]، وفي عمليات [[صب (عملية)|الصبّ]] والقولبة، وفي صناعة [[مانع تسرب|مانعات التسرب]] وشحوم وشموع [[مزلق|التزليق]]، وفي [[جلفطة|سد الشقوق]] (الجلفطة). تستخدم السيليكونات في بعض الأحيان في مجال [[زرع الثدي]] و[[عدسات لاصقة|العدسات اللاصقة]] وفي صناعة [[متفجرات|المتفجّرات]] و[[تقانة نارية|التقانة النارية]].<ref>{{استشهاد بدورية محكمة |doi=10.1002/prep.200700021 |عنوان=Special Materials in Pyrotechnics: VI. Silicon – An Old Fuel with New Perspectives |مؤلف= Koch, E.C. |الأخير2=Clement |الأول2=D. |صحيفة=Propellants, Explosives, Pyrotechnics |المجلد=32 |صفحة=205 |تاريخ=2007 |العدد=3}}</ref> يمكن أن يُحضّر [[معجون سيليكوني|المعجون السيليكوني]] {{#tag:ref|Silly Putty|group="ملاحظة"}} بإضافة [[حمض البوريك]] إلى [[زيت السيليكون]].<ref>{{استشهاد بكتاب|مسار الفصل = https://books.google.com/books?id=jftapGDTmYUC&pg=PA90 |الفصل=Silly Putty |عنوان=Timeless toys: classic toys and the playmakers who created them |الأول=Tim |الأخير=Walsh |ناشر=Andrews McMeel Publishing |تاريخ=2005 |isbn=978-0-7407-5571-2}}</ref>

== المخاطر ==
يمكن التعرّض للسيليكون العنصري في أماكن العمل، حيث يمثّل خطراً في حال استنشاق غباره؛<ref name=msds>{{استشهاد بويب |مسار=http://www.sciencelab.com/msds.php?msdsId=9924921 |عنوان=Material Safety Data Sheet: Silicon MSDS |مؤلف=Science Lab.com |موقع=sciencelab.com |تاريخ الوصول=11 March 2018 |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20180323183044/http://www.sciencelab.com/msds.php?msdsId=9924921 |تاريخ أرشيف=23 March 2018 |حالة المسار=dead }}</ref> كما يعدّ مهيّجاً في حال ابتلاعه أو تماسّه مع الجلد أو العين. وضعت [[إدارة السلامة والصحة المهنية|إدارة السلامة والصحّة المهنية]] الأمريكية {{#tag:ref|OSHA|group="ملاحظة"}} [[حد التعرض المسموح|حدّ التعرّض المسموح]] من السيليكون في أماكن العمل في يوم عمل مكوّن من ثمان ساعات بمقدار 15 مغ/م<sup>3</sup> في حال التعرّض الإجمالي، وبمقدار 5 مغ/م<sup>3</sup> في حال التعرّض التنفّسي. أمّا [[المعهد القومي للسلامة والصحة المهنية|المعهد الوطني للسلامة والصحّة المهنية]] الأمريكي {{#tag:ref|NIOSH|group="ملاحظة"}} فوضع [[حد التعرض الموصى به|حدّ التعرّض الموصى به]] من السيليكون في أماكن العمل في يوم عمل مكوّن من ثمان ساعات بمقدار 10 مغ/م<sup>3</sup> في حال التعرّض الإجمالي، وبمقدار 5 مغ/م<sup>3</sup> في حال التعرّض التنفسّي.<ref>{{استشهاد بويب |عنوان=CDC – NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards – Silicon |مسار=https://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0554.html |موقع=www.cdc.gov |تاريخ الوصول=2015-11-21| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211005141354/https://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0554.html | تاريخ أرشيف = 5 أكتوبر 2021 }}</ref> قد يؤدّي استنشاق غبار بلّورات السيليكا إلى [[سحار سيليسي|السحار السيليسي]]، وهو مرض من [[أمراض الرئة المهنية]].<ref name="PlantVoulvoulis2012">{{استشهاد بكتاب |مؤلف1=Jane A. Plant |مؤلف2=Nick Voulvoulis |مؤلف3=K. Vala Ragnarsdottir |عنوان=Pollutants, Human Health and the Environment: A Risk Based Approach |صحيفة=Applied Geochemistry |المجلد=26 |مسار=https://books.google.com/books?id=D3JS6NXez5oC&pg=PA273 |تاريخ الوصول=24 August 2012 |سنة=2012 |ناشر=John Wiley & Sons |isbn=978-0-470-74261-7 |صفحة=273|bibcode=2011ApGC...26S.238P |doi=10.1016/j.apgeochem.2011.03.113 | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210529040134/https://books.google.com/books?id=D3JS6NXez5oC&pg=PA273 | تاريخ أرشيف = 29 مايو 2021 }}</ref>

== طالع أيضاً ==
{{روابط شقيقة}}
* [[سيليكون مسامي]]

== هوامش ==
{{مراجع|group=ملاحظة|4}}

== المراجع ==
=== باللغة العربية ===
{{مراجع|مجموعة=ar}}

=== بلغات أجنبية ===
{{مراجع|محاذاة=نعم}}
=== المعلومات الكاملة للمراجع ===
<div style="direction: ltr;">
* {{استشهاد بكتاب | الأخير1 = Clayden | الأول1 = Jonathan | الأخير2 = Greeves | الأول2 = Nick | الأخير3 = Warren | الأول3 = Stuart | عنوان = Organic Chemistry | مسار = https://archive.org/details/organicchemistry0000clay | طبعة = 2nd | ناشر = Oxford University Press | تاريخ = 2012 | isbn = 978-0-19-927029-3}}
* {{Greenwood&Earnshaw2nd}}
* {{استشهاد بكتاب |الأخير=King |الأول=R. Bruce |تاريخ=1995 |عنوان=Inorganic Chemistry of Main Group Elements |مسار=https://archive.org/details/inorganicchemist0000king |ناشر=Wiley-VCH |isbn=978-0-471-18602-1}}
* {{Ullmann |first1=Werner |last1=Zulehner |first2=Bernd |last2=Neuer |first3=Gerhard |last3=Rau| title = Silicon | doi = 10.1002/14356007.a23_721}}
</div>
{{الجدول الدوري المضغوط}}
{{مركبات السيليكون}}
{{ضبط استنادي}}
{{معرفات مركب كيميائي}}
{{شريط بوابات|إلكترونيات|العناصر الكيميائية|الفيزياء|الكيمياء|طاقة|علم الأحجار الكريمة والمجوهرات|علم المواد|علم طبقات الأرض}}
{{شريط محتوى متميز|1=مختارة|التاريخ=27 أكتوبر 2021|النسخة=55713646|تاريخ مراجعة الزملاء=13 أغسطس 2021}}

[[تصنيف:سيليكون| ]]
[[تصنيف:أشباه الموصلات من المجموعة الرابعة]]
[[تصنيف:أشباه فلزات]]
[[تصنيف:خصائص دوائية وأحيائية للعناصر الكيميائية]]
[[تصنيف:عناصر كيميائية]]
[[تصنيف:مختزلات]]
[[تصنيف:مركبات السيليكون]]
[[تصنيف:معادن عناصر طبيعية]]
[[تصنيف:معادن غذائية]]
[[تصنيف:مواد تتمدد عند تجمدها]]
[[تصنيف:مواد كيميائية ذات بنى ألماسية مكعبة]]
[[تصنيف:وقود التقانة النارية]]