عرض مصدر ثنائي زينز

{{صندوق معلومات مكون إلكتروني}}
[[ملف:Diodo zener.jpg|تصغير|250 بك|صورة لثنائي أقطاب زينر]]

'''ثنائي مساري زينر''' {{إنج|Zener diode}} هو نوع خاص من [[ثنائي المساري|ثنائي الأقطاب]] سُمي باسم صاحبه العالم الأمريكي '''زينر '''الذي اكتشف التأثير الكهربي المعروف باسمه أيضا ''' [[تأثير زنر]] '''.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة|doi=10.1155/1996/23706|عنوان=Zener Zap Anti-Fuse Trim in VLSI Circuits |سنة=1996 |الأخير1=Comer |الأول1=Donald T.|صحيفة=VLSI Design|المجلد=5|صفحة=89}}</ref><ref>{{استشهاد بكتاب|الأخير=Diffenderfer| الأول=Robert|عنوان=Electronic Devices: Systems and Applications |سنة=2005 |ناشر=Thomas Delmar Learning |isbn=1401835147 |صفحات=95–100 |مسار= https://books.google.com/books?id=Bs6sz1TlfaIC&pg=PA94&lpg=PA94&dq=waveform+clipper+zener+diode |تاريخ الوصول=July 22, 2014|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20200124230413/https://books.google.com/books?id=Bs6sz1TlfaIC&pg=PA94&lpg=PA94&dq=waveform+clipper+zener+diode|تاريخ أرشيف=2020-01-24}}</ref><ref name="Dorf93">{{استشهاد بكتاب |محرر-الأول=Richard C. |محرر-الأخير=Dorf |عنوان=The Electrical Engineering Handbook |مسار=https://archive.org/details/electricalengine0000unse_v8u5 |ناشر=CRC Press |مكان=Boca Raton |سنة=1993 |isbn= 0-8493-0185-8 |صفحة=[https://archive.org/details/electricalengine0000unse_v8u5/page/457 457]}}</ref>

ويميز '''ثنائي أقطاب زينر''' سماحه لمرور التيار الكهربائي المستمر في اتجاه واحد مثلما يفعل [[ثنائي المساري|ثنائي الأقطاب العادي]]، ولكنه يسمح أيضا لمرور التيار في عكس الاتجاه إذا زاد الجهد الواقع عليه عن '''[[جهد الانهيار|جهد انهيار]]''' breakdown والذي يسمى ''' جهد زينر '''
يحدث ''انهيار زينر'' في الثنائيات التي تحتوي على تركيز عالٍ من الشوائب بحيث تصبح طبقة الاستنزاف ("depletion layer") رقيقة جدا.

== تاريخ ==
[[ملف:Zener diode symbol.svg|يسار|250px|تصغير|الرمز الهندسي لثنائي اقطاب زينر]]الجهاز أو هذا العنصر الإلكتروني تم تسميته على اسم الفيزيائي الأمريكي كلارينس زينر (Clarence Zener)/، هو أول من وصف تأثير الزينر في سنة 1934 في أولى دراساته النظرية لخصائص انهيار العازل الكهربائي. في وقت لاحق، أدى عمله إلى تنفيذ مَعامل بيل (Bell Labs) للتأثير في شكل جهاز إلكتروني.<ref name="WS93">{{استشهاد بخبر
| مسار = https://www.nytimes.com/1993/07/06/obituaries/clarence-m-zener-87-physicist-and-professor-at-carnegie-mellon.html
| عنوان = Clarence M. Zener, 87, Physicist And Professor at Carnegie Mellon
| الأول = Wolfgang
| الأخير = Saxon
| صحيفة = [[نيويورك تايمز]]
| تاريخ = July 6, 1993
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210308190315/https://www.nytimes.com/1993/07/06/obituaries/clarence-m-zener-87-physicist-and-professor-at-carnegie-mellon.html | تاريخ أرشيف = 8 مارس 2021 }}</ref>

== الانحياز ==
يوجد نوعان من الانحياز هما الانحياز الأمامي (Forward Bias) والذي يكون عنده جهد المنطقة (P) موجبا بالنسبة لجهد المنطقة (N)، والانحياز العكسي (Reverse Bias) والذي يكون عنده جهد المنطقة (N) موجبا بالنسبة لجهد المنطقة (P). وفيما يلي نستعرض كلا النوعين بشكل من التفصيل.

=== الانحياز الأمامي ===
[[ملف:صمام_ثنائي.png|تصغير|254x254بك|صمام ثنائي يظهر الأقطاب P و N]]
عندما نقوم بتوصيل الديود بالبطارية بحيث يكون الجانب (p) من الدايود متصلا بالقطب الموجب من البطارية والجانب (N) متصلا بالقطب السالب، عندها الإلكترونات التي في الجزء السالب تتنافر مع القطب السالب

للبطارية وتندفع لعبور الوصلة إلى الجانب (P). بينما الفجوات تتنافر مع القطب الموجب للبطارية وتندفع لعبور الوصلة إلى الجانب (N). وتصبح منطقة الاستنزاف Depletion Region بمثابة حاجزاً بسيطا (يضيق الحاجز) في طريق حركة الإلكترونات، ولذلك فإن الإلكترونات تحتاج إلى فرق جهد بسيط يمكنها من تجاوز جهد الحاجز، ففي حالة مادة السليكون، جهد الحاجز مقداره 0,7 بينما قيمته 0,3 في حالة الجرمانيوم.<ref name="مولد تلقائيا1">{{استشهاد بويب
| مسار = https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/text/chapter-5
| عنوان = Chapter 5: Solid-state diodes and diode characteristics [Analog Devices Wiki]
| موقع = wiki.analog.com
| تاريخ الوصول = 2021-02-25
|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20170804015903/https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/text/chapter-5
|تاريخ أرشيف=2017-08-04}}</ref>

فإذا تم التوصيل بهذه الطريقة، فإنه يمر تيار في الوصلة يسمى في هذه الحالة بالتيار الأمامي (Forward Current If) ويكون اتجاهه من الوصلة الموجبة إلى الوصلة السالبة.

=== الانحياز العكسي ===
إذا تم توصيل الدايود كما في الشكل، بحيث يكون الجانب (N) من الدايود متصلا بالقطب الموجب من البطارية والجانب (P) من الدايود متصلا بالقطب السالب من البطارية، لذا فإن الإلكترونات التي في الجزء السالب تتجاذب مع القطب الموجب للبطارية وتبتعد عن الوصلة من الجانب (N). بينما الفجوات تتجاذب مع القطب السالب للبطارية وتبتعد عن الوصلة من الجانب (P). ونتيجة لذلك، فإن منطقة الاستنزاف سوف تتسع اتساعا كبير وتشكل حاجزا كبير أمام تحرك الإلكترونات فلا تستطيع اجتيازه. وبالطبع، فإنه لن يمر التيار الكهربائي في الدائرة، وتسمي هذه الحالة بالانحياز العكسي.<ref name="مولد تلقائيا1" />

== طريقة عمله ==
[[ملف:3.4V_Zener_diode_V-A_characteristic.svg|تصغير|300x300بك|مميزات الجهد والتيار لثنائي زينر ذو انهيار جهد -3.4|يمين]]
الصمام الثنائي التقليدي ذو الحالة الصلبة يسمح بمرور تيار كبير إذا كان [[وصلة الموجب والسالب|منحازًا عكسيًا]] أكثر من جهد انهياره العكسي. عندما يتم تجاوز جهد انهيار التحيز العكسي، يخضع الصمام الثنائي التقليدي للتيار العالي بسبب انهيار [https://www.almaany.com/ar/dict/ar-en/avalanche/?c=%D9%81%D9%8A%D8%B2%D9%8A%D8%A7%D8%A1 انهماري]، ما لم يكن هذا التيار مقيدًا بالدوائر، قد يكون الصمام الثنائي معرض للتلف بشكل دائم بسبب ارتفاع درجة الحرارة. ثنائي زينر يعرض تقريبا نفس الخصائص، بأستثناء أن الجهاز مصمم خصيصا ليكون لديه جهد انهيار منخفض، هذا ما يسمى بجهد زينر. على عكس الجهاز التقليدي ([[ثنائي المساري|صمام الثنائي التقليدي]])، ثنائي زينر المنحاز عكسيا يعطي انهيار متحكم فيه ويسمح للتيار بالحفاظ على الجهد بين أقطاب الثنائي زينر قريب

من انهيار الجهد لثنائي زينر. على سبيل المثال، ثنائي زينر ذو انهيار جهد 3.2 فولت يعرض انخفاضا في الجهد تقريبا 3.2 فولت عبر مجموعة واسعة من التيارات العكسية. لذلك فهو مثالي لتطبيقات مثل توليد جهد مرجعي (مثل، [[مرحل]] [[مكبر صوت|لمكبر الصوت]])، أو كمثبت للجهد لتطبيقات التيار المنخفض.<ref name="JM79">{{استشهاد بكتاب|الأول=Jacob|الأخير=Millman|عنوان=Microelectronics|ناشر=McGraw Hill|سنة=1979|isbn=978-0071005968|صفحات=[https://archive.org/details/microelectronics00mill/page/45 45–48]|مسار=https://archive.org/details/microelectronics00mill/page/45| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210225031350/https://archive.org/details/microelectronics00mill/page/45 | تاريخ أرشيف = 25 فبراير 2021 }}</ref>

آلية أخرى تنتج تأثيرًا مشابهًا وهو تأثير [https://www.almaany.com/ar/dict/ar-en/avalanche/?c=%D9%81%D9%8A%D8%B2%D9%8A%D8%A7%D8%A1 انهماري] كما هو الحال في الصمام الثنائي الانهماري ([[:en:Avalanche diode|avalanche diode]]).<ref name="JM79" /> تم بناء كلا نوعي الصمام الثنائي في الواقع بنفس الطريقة، وكلا التأثيرين موجودان في الصمامات الثنائية من هذا النوع. في الصمامات الثنائية المصنوعة من السيليكون يصل التأثير الإنهماري إلى حوالي 5.6 فولت، [[تأثير زنر]] هو التأثير السائد ويمثل [[معامل درجة الحرارة|مقاومة المعامل الحراري السالب]]. في جهد أكثر من 5.6 فولط، التأثير الإنهماري يصبح سائد ويمثل [[معامل درجة الحرارة|مقاومة المعامل الحراري الموجب]].<ref name="Dorf93" />

=== الصمام الثنائي ذو جهد 5.6 فولت ===
[[ملف:Temperaturkennlinie_von_Z-Dioden.svg|تصغير|300x300بك|معامل درجة حرارة جهد زينر مقابل جهد زينر الاسمي (الشكلي).]]
في الصمام الثنائي ذو الجهد 5.6 فولت، التأثيران يحدثان معا (تأثير زنر والتأثير الانهماري)، ومقاومة المعامل الحراري السالب نادرا ما تلغي بعضها البعض، لهذا الصمام الثنائي ذو جهد 5.6 فولت مفيد في التطبيقات

ذات درجات الحرارة الحرجة. كبديل، يستخدم ثنائي زينر ذو معامل درجة الحرارة +2 mV/°C (يعني [[معامل درجة الحرارة|مقاومة المعامل الحراري الموجب]] في هذه الحالة) ذو انهيار الجهد 6.2–6.3 فولت متصل على التوالي مع صمام ثنائي منحاز إلى الأمام مصنوع من مادة السيليكون (أو [[ترانزستور|ترانزيستور]] B-E) المصنعة على نفس الشريحة، للجهود المرجعية التي يجب أن تكون مستقرة للغاية على مدى فترات طويلة من الزمن.<ref>{{استشهاد بكتاب|عنوان=Calibration: Philosophy in Practice|isbn=0963865005|ناشر=Fluke|سنة=1994|صفحات=7–10}}</ref> الصمام الثنائي المنحاز للأمام لديه معامل درجة حرارة −2 mV/°C (يعني [[معامل درجة الحرارة|مقاومة المعامل الحراري السالب]] في هذه الحالة). مسببين بذلك إلغاء معامل درجة الحرارة TC.

أنتجت تقنيات التصنيع الحديثة أجهزة ذات جهد أقل من 5.6 فولت مع معاملات درجة حرارة لا تذكر (شبه منعدمة)، ولكن مع وجود الأجهزة ذات الجهد العالي، معامل درجة الحرارة يرتفع بشكل كبير. صمام ثنائي ذو 75 فزلت لديه معامل صمام ثنائي ذو 12 فولت مضروبة في 10 مرات.

ثنائيات زينر والصمامات الإنهمارية، بغض النظر عن جهد الانهيار، عادة ما يتم تسويقها تحت المصطلح الشامل لـ «ثنائي زينر» (أو دايود زينر).[[ملف:V-a characteristic Zener diode.svg|تصغير|250px|مميزات الجهد والتيار لثنائي زينر ذو انهيار جهد -17.1]]جهد تحت 5.6 فولت، حيث يسود تأثير زينر، يكون المنحنى الرابع IV بالقرب من الانهيار أكثر انحناءا، الأمر الذي يستدعي مزيدًا من العناية في استهداف ظروفه المتحيزة. المنحنى الرابع لثنائي زينر ذو جهد أكبر من 5.6 فولت (يهيمن عليها التأثير الانهماري)، أكثر حدة عند الإنهيار.

=== الصمام الثنائي ذو انهيار جهد -17 فولت ===
يبين المنحني في الشكل العلاقة بين الجهد والتيار عبر ثنائي أقطاب زينر، ويتميز هذا النوع بجهد انقطاع عند -17 فولت. يعمل الثنائي عادة بجهد موجب عالي في جزء المنحني اليميني ولا يمرر التيار عندما يكون الجهد الواقع عليه بين 0.65 فولت و-17.1 فولت. وعندما نغير الجهد إلى مايزيد عن -17.2 فولت يبدأ التيار في المرور ثانيا ولكن في الاتجاه العكسي.
:

== مصدر ثابت الجهد باستخدام ثنائي أقطاب زينر ==
[[ملف:Zener reg.gif|300px|يسار| مصدر ثابت الجهد بواسطة ثنائي أقطاب زينر Zener diode.]]

يبين الشكل المجاور دائرة كهربية لإنتاج مصدر للجهد المنخفض عند تواجد مصدرا عالي الجهد VS. وتتميز تلك الدائرة ببساطتها، كما توجد في السوق ثنائيات أقطاب زينر تصلح للاستعمال حتى 100 فولت. إلا أن استخدامها عند جهود عالية ينتج عنه حرارة غير مرغوب فيها. وتعتبر مقاومتها صغيرة بصفة عامة عن مجزئ الجهد المعتاد.

وتبين الدائرة المرسومة بالشكل [[مصدر جهد كهربائي|مصدرا للجهد]] الثابت VS باستخدام ثنائي أقطاب زينر DZ. وتعمل تلك الدائرة على ضبط الجهد حيث تعمل على تثبيت قيمة الجهد الواقع على الحمل: الممثل [[مقاومة (توضيح)|بالمقاومة]] R<sub>2</sub>، بحيث أن لايتغير ذلك الجهد V<sub>S</sub>. وتطبق تلك الدائرة عندما يكون [[تيار كهربائي|التيار]] المار بالمقاومة ضعيفا أو عندما تكون المقاومة R<sub>2</sub> كبيرة ولا تتغير كثيرا. ويمكن بمعرفة التيار (I<sub>R2</sub>) المار في المقاومة حساب قيمة المقاومة بواسطة العلاقة:

<math>R1 = \frac{V_S - V_Z}{I_Z + I_{R2}}\ ,</math>

حيث:

V<sub>Z</sub> جهد زينر Zener voltage

I<sub>Z</sub> تيار زينر

وتستهلك تلك الدائرة طاقة مقدارها (V<sub>Z</sub>·I<sub>Z</sub>) [[واط|وات]]. ولكي نحصل على ضبط جيد في الدائرة يجب أن يكون التيار I<sub>z</sub> أكبر من التيار المار بالمقاومة I<sub>R2</sub>.
 
تُستخدم دائر ثنائي أقطاب زينر عندما يكون تغيير الجهد الناتج في حدود مقبولة. كما أن إضافة مكثف كبير يُوصل على التوازي مع ثنائي زينر DZ أو مع R<sub>2</sub>، يعمل كمرشح ويقلل من تغير الجهد الناتج. كما أنه عند استبدال المقاومة R<sub>2</sub> بدائرة قاعدة كاثودية لأحد [[ترانزستور|الترانزيستورات]]، تعمل الدائرة كمنظم للجهد الواقع على مقاومة الكاثود وفي نفس الوقت كمصدر لتيار مقاومة [[مصعد (توضيح)|المصعد]].

== الاستعمالات ==
ثنائي زينر يستعمل كثيرا ك جهد مرجعي وك [https://www.almaany.com/ar/dict/ar-en/shunt/?c=%D9%81%D9%8A%D8%B2%D9%8A%D8%A7%D8%A1 دائرة تواز] [[منظم الجهد|لمنظمات الجهد]]، لتنظيم الجهد في الدوائر الصغيرة، عندما يتم ربطه على التوازي مع مصدر جهد متغير بحيث يكون انحيازا عكسيا، يعمل ثنائي الزينر عندما يصل الجهد إلى جهد الانهيار العكسي للديود. من تلك النقطة فصاعدًا، تحافظ المقاومة المنخفضة للديود على الجهد عبر الصمام الثنائي بهذه القيمة.<ref name="PHWH89">{{استشهاد بكتاب|الأول1=Paul|الأخير1=Horowitz|الأول2=Winfield|الأخير2=Hill|عنوان=The Art of Electronics|طبعة=2nd|ناشر=Cambridge University Press|سنة=1989|isbn=0-521-37095-7|صفحات=[https://archive.org/details/artofelectronics00horo/page/68 68–69]|مسار=https://archive.org/details/artofelectronics00horo/page/68}}</ref>
[[ملف:Zener_diode_voltage_regulator.svg|مركز|220x220بك]]
في هذه الدارة، التي تمثل جهد مرجعي نموذجي أو منظم جهد، جهد الإدخال، ''U''<sub>in</sub> يتم تنظيمه إلى أن يصل إلى جهد خرج ثابت ''U''<sub>out</sub> جهد انهيار الصمام الثنائي D مستقر على مدى مجال واسع ويحافظ ''U''<sub>out</sub> على ثابت تقريبا على الرغم من أنه يمكن أن يتأثر جهد الإدخال بالمجال الواسع. بسبب انخفاض مقاومة الصمام الثنائي عند تشغيله بهذه الطريقة، المقاومة R تستخدم للحد من التيار عبر الدائرة.

في حالة هذا المثال البسيط، يتم تحديد التيار المتدفق في الصمام الثنائي وانخفاض الجهد المعروف عبر المقاومة R باستخدام قانون أوم:

<math>I_\text{diode} = \frac{U_\text{in} - U_\text{out}}{R}</math>

المقاومة R يجب أن تستوفي شرطين:

# يجب أن تكون المقاومة R صغيرة كفاية بحيث أن التيار المار ب D يحافظ على D في الانهيار العكسي. قيمة هذا التيار تعطى في ورقة البيانات للثنائي D. على سبيل المثال، هذا الجهاز (ثنائي زينر) الشائع BZX79C5V6.<ref>{{استشهاد بويب
| مسار = http://www.fairchildsemi.com/pf/BZ/BZX79C5V6.html
| عنوان = BZX79C5V6 − 5.6V, 0.5W Zener Diode – data sheet
| ناشر = Fairchild Semiconductor
| تاريخ الوصول = July 22, 2014
|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20140803074820/http://www.fairchildsemi.com/pf/BZ/BZX79C5V6.html
|تاريخ أرشيف=2014-08-03}}</ref> ذو جهد 5.6 فولت وقدرة 0.5 واط لديه تيار عكسي موصى به يساوي 5mA ميلي أمبير. إذا كان هناك تيار غير كاف يمر عبر D، إذا ''U''<sub>out</sub> غير منظم وأقل من جهد الانهيار الشكلي، عندما نحسب RK يجب عمل بدل لأي تيار من خلال الحمل الخارجي، غير مبين في هذا الرسم البياني، متصل عبر ''U''<sub>out</sub>.
# يجب أن تكون R كبيرة بما فيه الكفاية بحيث أن التيار المار عبر D لن يضمر الجهاز. إذا كان التيار المار عبر D هو ''I''<sub>D،</sub> جهد الانهيار ''V''<sub>B</sub> وأقصى قدر من تبدير الطاقة ''P''<sub>max</sub> ترتبط على هذا النحو:

<math>I_D V_B < P_\text{max}</math>

يمكن وضع حمل عبر الصمام الثنائي في هذه الدائرة المرجعية، وطالما يبقى ثنائي زينر في حالة انهيار عكسي، يوفر الصمام الثنائي مصدر جهد ثابت للحمل، غالبًا ما تُستخدم الثنائيات في هذا التكوين كمراجع مستقرة لدارات تنظيم الجهد الأكثر تقدمًا

منظمات التحويلة ([https://www.almaany.com/ar/dict/ar-en/shunt/?c=%D9%81%D9%8A%D8%B2%D9%8A%D8%A7%D8%A1 دائرة تواز] [[منظم الجهد|لمنظمات الجهد]]) بسيطة، لكن متطلبات أن يكون مثبت التيار (مقاومة) صغيرًا بدرجة كافية لتجنب انخفاض الجهد الزائد أثناء التشغيل في أسوأ حالة (جهد الدخل المنخفض متزامن مع تيار الحمل العالي) يميل إلى ترك الكثير من التيار يتدفق في الصمام الثنائي معظم الوقت، مما يجعله منظمًا مهدرًا إلى حد ما مع تبديد طاقة عالي، مناسب فقط للأحمال الصغيرة.

يتم مصادفة هذه الثنائيات أيضا على التوالي مع ترانزيستورتقاطع قاعدة-باعث، في مراحل الترانزستور حيث يتمركز الاختيار الانتقائي للجهاز على التأثير الانهماري أو يمكن استخدام نقطة زينر لإدخال توازن درجة الحرارة التعويضية ذات الكفاءة المشتركة للترانزستور تقاطع p-n. مثال على هذا النوع من الاستخدام هو مضخم خطأ ([[:en:Error amplifier (electronics)|error amplifier]]) المستخدم في نظام حلقة التغذية الراجعة لدائرة الإمداد بالطاقة المنظمة.

ثنائيات زينر تستخدم أيضًا في واقيات زيادة التيار للحد من طفرات الجهد المفاجئة.

=== دائرة التقطيع ===
{{عدة صور
| footer = مثال على دائرة التقطيع
| align = center
| direction = 
| width = 240
| image1 = WaveClipper1.png
| alt1 = 
| caption1 = 
| image2 = WaveClipper2.png
| alt2 = 
| caption2 = 
}}

اثنين من الثنائيات زينر التي تواجه بعضها البعض في سلسلة تقطع نصفي إشارة الدخل. [[دائرة التقطيع]] يمكن استخدامها ليس فقط في إعادة تشكيل الإشارة، ولكن أيضًا لمنع ارتفاعات الجهد من التأثير على الدوائر المتصلة بمصدر الطاقة.<ref name="Electronic Devices">{{استشهاد بكتاب|الأخير=Diffenderfer|الأول=Robert|عنوان=Electronic Devices: Systems and Applications|سنة=2005|ناشر=Thomas Delmar Learning|isbn=1401835147|صفحات=95–100|مسار=https://books.google.com/books?id=Bs6sz1TlfaIC&q=waveform+clipper+zener+diode&pg=PA94|تاريخ الوصول=July 22, 2014| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210225210725/https://books.google.com/books?id=Bs6sz1TlfaIC&q=waveform+clipper+zener+diode&pg=PA94 | تاريخ أرشيف = 25 فبراير 2021 }}</ref>

=== مزيحات الجهد{{عدة صور
| footer = مثال على مزيحات الجهد
| align = center
| direction = 
| width = 300
| image1 = VoltageShifter1.png
| alt1 = 
| caption1 = 
| image2 = VoltageShifter2.png
| alt2 = 
| caption2 = 
}} ===
يمكن تطبيق الصمام الثنائي زينر على دائرة بها مقاومة ليكون بمثابة ناقل للجهد. هذه الدائرة تخفض جهد الخرج بمقدار يساوي انهيار جهد ثنائي زينر.

=== منظمات الجهد{{عدة صور
| footer = مثال على منظمات الجهد
| align = center
| direction = 
| width = 350
| image1 = VoltageRegulator.png
| alt1 = 
| caption1 = 
| image2 = VoltageRegulator2.png
| alt2 = 
| caption2 = 
}} ===
يمكن تطبيق الصمام الثنائي زينر في دائرة منظم الجهد لتنظيم الجهد المطبق على الحمل، كما هو الحال في منظم جهد الخطي.

== اقرأ أيضا ==
* [[تأثير زنر]]
* [[ثنائي المساري|صمام ثنائي]]
* [[مصباح ثنائي باعث للضوء]]
* [[صمام ثلاثي]]
* [[دائرة كهربائية]]
* [[دائرة مقاومة ومكثف]]
* [[موسفت]]

== المراجع ==
{{مراجع}}

{{تصنيف كومنز|Zener diodes}}
{{شريط سفلي عناصر إلكترونية|state=collapsed}}
{{شريط بوابات|إلكترونيات}}

{{ضبط استنادي}}

[[تصنيف:إلكترونيات]]
[[تصنيف:صمامات ثنائية]]