عرض مصدر ترانزستور ثنائي القطب

{{صندوق معلومات مكون إلكتروني
| اسم          = ترانزستور ثنائي القطب
| الصورة       = [[ملف:Bipolar transistors Silicium based.jpg|200 بك]]
| تعليق_الصورة = أشكال صناعيّة مُختلفة من الترانزستور ثنائي القطب على مقياس واحد.
| النوع        =  فعّال<ref name="Web-95">{{استشهاد بويب| مؤلف= Roderic A. Grupen|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20180718222057/http://www-robotics.cs.umass.edu/~grupen/503/SLIDES/transistors.html| تاريخ أرشيف= 18 يوليو 2018| مسار= http://www-robotics.cs.umass.edu/~grupen/503/SLIDES/transistors.html| عنوان= From Relays to Transistors| موقع= Laboratory for Perceptual Robotics| لغة= en|تاريخ الوصول = 4 أبريل 2019}}</ref>
| المخترع      = [[والتر براتين]] و[[جون باردين]] و[[وليم شوكلي|ويليام شوكلي]]<ref name="Web-98">{{استشهاد بويب| مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20190105011557/http://www.sjsu.edu/faculty/watkins/transist.htm| تاريخ أرشيف= 5 يناير 2019| مسار= https://www.sjsu.edu/faculty/watkins/transist.htm| عنوان= The History of the Transistor| موقع= San José State University| لغة= en| تاريخ الوصول= 5 أبريل 2019}}</ref>
| الإنتاج_الأول  = 1947<ref name="Web-99">{{استشهاد بويب| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190120154023/https://www.computerhistory.org/siliconengine/invention-of-the-point-contact-transistor/| تاريخ أرشيف = 20 يناير 2019| مسار= https://www.computerhistory.org/siliconengine/invention-of-the-point-contact-transistor/| عنوان= 1947: Invention of the Point-Contact Transistor| موقع= Computer History Museum| لغة= en| تاريخ الوصول= 5 أبريل 2019}}</ref>
| الرمز        = [[ملف:IEEE 315-1975 (1993) 8.6.1.svg|90بك]] [[ملف:IEEE 315-1975 (1993) 8.6.2.svg|90بك|PNP]]
| الدبابيس     =  إلى اليمين: NPN  <br /> إلى اليسار PNP  <br /> B: القاعدة، C: المُجمّع، E: الباعث
}}
'''الترانزستور ثنائي القطب''' أو '''الترانزستور ثنائي القطبية'''<ref group="عر">{{استشهاد مختصر|1=شابسيغ|2=2016|ص=19}}</ref><ref group="عر">{{استشهاد مختصر|1=فيزياء مجمع دمشق|2=2015|ص=54}}</ref> أو '''ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب''' {{إنج|Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT}} هو [[مكون إلكتروني|عنصر إلكتروني]] فعّال [[شبه موصل]] ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة.<ref name="Web-300" group="عر">{{استشهاد مختصر|1= بكني |2= 2019|ص= 25}}</ref> تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة [[شبه موصل مشاب]] سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP.<ref name="Web-92">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Farrokh Najmabadi
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190331131118/http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/06-W/NOTES/BJT1.pdf
| تاريخ أرشيف = 31 مارس 2019
| تاريخ = ديسمبر 2006
| مسار= http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/06-W/NOTES/BJT1.pdf
| عنوان= Bipolar-Junction (BJT) transistors
| صفحة = 75
| موقع= UC san diego
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 أبريل 2019}}</ref>

صُنع الترانزستور للمرة الأولى عام 1947م في [[مختبرات بل]]،<ref name="JOU-8"/> بإشراف كلٍّ من [[والتر براتين]] و[[جون باردين]] و[[وليم شوكلي|ويليام شوكلي]]. لاحقاً، حصلَ الثلاثةُ على [[جائزة نوبل في الفيزياء]] في العام 1956م تقديراً لعملهم.<ref name="Web-12"/> مُنذ منتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، أصبح الترانزستور ثنائي القطب مُتوافراً للاستخدام التّجاري، وكان حجر أساس في ثورة تقنيّة وإلكترونيّة، ولا يكاد يخلو جهاز إلكتروني حديث من هذا العنصر.<ref name="Web-6"/>

توجد للترانزستور ثنائي القطب ثلاثُ نهاياتٍ طرفيّة هُنّ القاعدة والباعث والمُجمّع، وتتصل كل نهاية مِنها مع إحدى طبقات الترانزستور. يُمكن تمثيل الترانزستور حسب بنيته على شكل [[ثنائي المساري|ثُنائيين]] يُسميان وصلتا القاعدة والباعث والقاعدة والمجمع ويشتركان [[مصعد (كيمياء)|بالمصعد]] أو [[مهبط (كيمياء)|بالمهبط]]، حسب نوع الترانزستور.<ref name="Web-94">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Qing-Ming Wang
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180328162439/http://www.pitt.edu/~qiw4/Academic/ME2082/Transistor%20Basics.pdf
| تاريخ أرشيف = 28 مارس 2018
| مسار= http://www.pitt.edu/~qiw4/Academic/ME2082/Transistor%20Basics.pdf
| عنوان= Bipolar Transistor Basics
| صفحة = 2
| موقع= University of Pittsburgh
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 أبريل 2019}}</ref> ولهذا فإنّ الترانزستور يخضع لقواعد [[جهد انحياز|التحييز]] الخاصّة بالثنائي نفسها. توجد عمليّاً أربعُ حالات لتحييز وصلتي الترانزستور هُنّ: التحييز الأمامي لوصلة القاعدة والباعث مع التحييز العكسيّ لوصلة القاعدة والمجمع أو بالعكس، أو تحييز كلتا الوصلتين أماميّاً أو كلتاهما عكسيّاً، وينتج عن كل عملية تحييز خواص مختلفة يمكن الاستفادة منها لتوظيف الترانزستور.<ref name="Web-22"/>

يُوجد العديد من الدارات التي تحقق حالات الانحياز المُختلفة للترانزستور، ويجري تصنيفها حسب النهاية المُشتركة بين دارتي الدخل والخرج في الدارة المُعتبرة، وينتج عن ذلك ثلاثةُ تصانيفَ مختلفةٍ لإعداد الوصلة هي: {{وإو|القاعدة المشتركة|Common base|en|القاعدة المُشتركة}} ([[الحمل النشط#حالة القاعدة المشتركة|مثال]]) و[[الباعث المشترك]] و{{وإو|المُجمّع المُشترك|Common collector|en|المُجمّع المُشترك}} ولكل وصلة خواص مختلفة عن الأخرى، لكن أكثرها استعمالاً هي الباعث المشترك.<ref name="Web-30"/> توجد نماذج عديدة مستعملة لتمثيل عمل الترانزستور، أهمّها نموذجا آر إي<ref name="Web-39"/> و{{وإو|نموذج باي الهجين|Hybrid-pi model|en|باي الهجين}}<ref name="Web-40"/>، وفيهما يجري تعويض الترانزستور بعناصر كهربائيّة خطيّة غير فعّالة، ثُمّ حساب المُحددات الرئيسة الضابطة لعمله، مثلُ [[كسب كهربائي|ربحيّ]] الجهد والتيار. وتهدف عملية النمذجة إلى إيجاد تمثيلٍ رياضيّ قادرٍ على محاكاة عمل الترانزستور.<ref name="Web-37"/>

تتُحدد آليّة عمل الترانزستور حسب موقع [[نقطة عمل|نقطة العمل]]، وهي نقطة تقع على مُحددات الخرج الخاصّة بالترانزستور وتربط بين جهد الخرج وتياره، ويمكن تحديد موقعها بدقّة من خلال اختيار عناصر دارة التّحييز. يعمل الترانزستور أيضاً [[مضخم إلكتروني|مضخماً]] للإشارات الكهربائية الصغيرة<ref name="Web-36"/> ومضخماً للاستطاعة،<ref name="Web-97"/> وفي كلتا الحالتين يُضخِّم إشارة كهربائيّة تُوصل إلى دارة دخله، ثُمّ نقلِها إلى دارة خرجه. ويعمل أيضاً مفتاحاً إلكترونياً،<ref name="Web-32"/> وفي هذه الحالة يجري التحكم بتدفق التيار في دارة خرج الترانزستور من خلال الجهد المُطبق دارة الدخل.<ref name="Web-94"/>

يُبدي الترانزستور {{وإو|الاستجابة الترددية|Frequency response|en|استجابة تردديّة}} ذات شكل هضبيّ بالنسبة لترددات إشارة الدخل، فمع زيادة التردد، يرتفع [[كسب كهربائي|ربح]] الترانزستور ليصل إلى أعلى قيمة مُمكنة، ثُمّ يظلّ ثابتاً على [[طيف تردد|طيف]] واسع قبل أن يعود وينخفض من جديد مع زيادة التردد فوق عتبة مُحددة.<ref name="Web-70"/> عمليّاً، يكون ربح الترانزستور أعلى ما يُمكن إذا كان ترددُ الإشارة يقعُ بين ترددين محددين يُسميان ترددا القطع الأدنى والأعلى، وتتبع قيمة هذه الترددات لعدد من عناصر الدارة أهمها مكثفاتُ العزل والتمرير<ref name="Web-72"/> والسِّعاتُ الطفيليّة<ref name="Web-80"/> بالإضافة للمقاومات المُستعملة في الدارة.

منذ مُنتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، يتوافر الترانزستور في الأسواق منتجاً تجارياً يُشترى ويُستعمل في تصميم الدارات الإلكترونية المختلفة،<ref name="Web-98"/> ويتطلب ذلك مهارات خاصة في قراءة {{وإو|ورقة بيانات|Datasheet|en|ورقة البيانات}} الخاصة به والتي ترفقُها الشركة المُصنّعة مع العنصر الإلكتروني، وهي تحتوي على مواصفاته وخواصه.<ref name="Web-82"/> بالإضافة لذلك، يتطلب استعمال الترانزستور امتلاك مهارات خاصة بتحديد نوعه ودبابيس الطرفيات؛ إمّا عن طريق اللجوء إلى ورقة البيانات الخاصّة به، أو عن طريق القياس باستعمال [[مقياس المقاومة الكهربائية|مقياس المقاومة]].<ref name="Web-91"/>

== الاسم والرمز ==
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = IEEE 315-1975 (1993) 8.6.1.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = إن بي إن
 | image2 = IEEE 315-1975 (1993) 8.6.2.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = بي إن بي
 | footer = رمزا الترانزستور ثنائي القطب المُستعملان في رسوم [[دارة إلكترونية|الدارات الإلكترونيّة]]، تشير الأحرف اللاتينية (E) و(C) و(B) إلى الأحرف الأولى من الكلمات: الباعث والمجمع والقاعدة باللغة الإنكليزية على الترتيب.
}}
سُميّ الترانزستور باسم ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب لأنه يعتمد في مبدأ عمله على وصلة فيزيائيّة مُكوّنة من نوعين من [[حامل الشحنة|حوامل الشحنات]] الكهربائية وهي [[ثغرة إلكترونية|الثغرات الإلكترونية]] و[[إلكترون|الإلكترونات]] الحرة.<ref name="Web-44">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = B. Van Zeghbroeck
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190211205234/http://www.ucdenver.edu/faculty-staff/hfardi/teach/ecen5355/Documents/pdf/chapter5a.pdf| تاريخ أرشيف = 11 فبراير 2019| تاريخ = 28 أكتوبر 1998
| مسار= https://www.ucdenver.edu/faculty-staff/hfardi/teach/ecen5355/Documents/pdf/chapter5a.pdf
| عنوان= 5. The bipolar junction transistor
| صفحة = 1
| موقع=  The Regents of the University of Colorado
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 11 فبراير 2019}}</ref> ويُسمّى باللغة العربية ترانزستور ثنائي القطب، وأيضاً النيقل زوجي الأقطاب.<ref group="عر">{{استشهاد مختصر|1=الموحد|2=1989|ص=32، 292}}</ref> ومِقْحَل المُلتقَى،<ref group="عر">{{استشهاد مختصر|بدران|1980|ص=170}}</ref> وتشير هذه الكلمة إلى [[منطقة انخفاض|منطقة الافتقار أو العبور]] في [[وصلة الموجب والسالب|الوصلة الثنائيّة]].

يُرمز للترانزستور ثنائي القطب بالشكل الآتي: خط مُستقيم يُمثّل مادة [[شبه موصل|شبه المُوصِل]]، يتصل هذ الخط مع ثلاثة تفرعات، تكون أحدها مُتعامدة معه، ويعني التعامد وجود وصلة ذات مقاومة أوميّة، ويُسمّى هذا القطب بقاعدة الترانزستور {{إنج|Base}}. أمّا القطبان الآخران، يسميّان الباعث {{إنج|Emitter}} والمُجمّع {{إنج|Collector}}، ويكونان مائلين بزاوية قيمتها 60 درجة عن الخط المستقيم، ويوجد رأس سهم في مُنتصف التفريعة التي تصل بين القاعدة والباعث، حيث يحدد رأس السهم نوع الترانزستور، فهو يشير دائماً إلى [[شبه موصل مشاب|شبه الموصل المشاب]] سالب النوع؛ فإذا كانت القاعدة سالبة النوع أشار إليها، وكان الترانزستور من النوع PNP، بينما إذا كانت موجبة النوع، أشار للاتجاه المعاكس، وكان الترانزستور من النوع NPN. توجد التركيبة السابقة ضمن إطار تغليف دائريّ.<ref name = "Book-8">{{استشهاد بكتاب
|عنوان= 315-1975 - IEEE Standard American National Standard Canadian Standard Graphic Symbols for Electrical and Electronics Diagrams (Including Reference Designation Letters)
|صفحة= 113-112
|سنة=1993
|ناشر= IEEE
|ردمك= 0738109479
|لغة= en
|doi=10.1109/IEEESTD.1993.93397
|مسار=https://ieeexplore.ieee.org/document/985670
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20191216184601/https://ieeexplore.ieee.org/document/985670/ | تاريخ أرشيف = 16 ديسمبر 2019 }}</ref>

سُميت القاعدة بهذا الاسم لأنّها كانت الأساس الذي ارتكزت عليه كامل البُنية في الترانزستورات الأولى،<ref name="Web-50">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Maysam Ghovanloo
| مؤلف2= Paul Hasler
| مؤلف3 = Sheng-Yu Peng
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190217192455/https://mgh-courses.ece.gatech.edu/ece4430/ECE4430/Unit1/LectureNotes/LargeBJT.pdf
| تاريخ أرشيف = 17 فبراير2019
| تاريخ= 12 مايو 2000
| مسار= https://mgh-courses.ece.gatech.edu/ece4430/ECE4430/Unit1/LectureNotes/LargeBJT.pdf
| عنوان=LARGE-SIGNAL BEHAVIOR OF BJTS
| صفحة = 3
| موقع= Georgia Institute of Technology
| لغة= ar
| تاريخ الوصول= 17 فبراير 2019}}</ref> أمّا الباعث فأطلق عليه هذا الاسم لأنّه المصدر، أو الباعث الأساسيّ، [[حامل الشحنة|لحوامل الشحنات]]، فيما سُمّيَ المُجمّع بذلك لأنّه يقوم بالتقاط أو تجميع حملة الشحنات المُنطلقة من الباعث والقاعدة.<ref name="Web-45">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180628224110/https://nptel.ac.in/courses/117107095/lecturers/lecture_10/lecture10_page1.htm
| تاريخ أرشيف = 28 يونيو 2018
| مسار= https://nptel.ac.in/courses/117/107/117107095/
| عنوان= Lecture -10: BIpolar Junction Transistor
| صفحة = 1
| موقع= National program on technology enhanced learning NPTEL
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 11 فبراير 2019}}</ref>

== نبذة تاريخية ==
[[ملف:Bardeen Shockley Brattain 1948.JPG|تصغير|300بك|من اليمين:[[والتر براتين]] و[[وليم شوكلي|وليام شوكلي]] و[[جون باردين]]، صورة لمخترع التّرانزستور ثنائي القطبية في مختبرات بل في العام 1948م. ]]
[[ملف:Replica-of-first-transistor.jpg|تصغير|300بك| نسخةٌ طبق الأصل من الترانزستور وحيد الوصلة الأول المصنوع، عرضته [[لوسنت|لوسنت تكنولوجيز]] عام 1997م بمناسبة مرور 50 سنة على صناعة أول ترانزستور ثنائي القطبية.]]

خلال النصف الأول من القرن العشرين، كان [[صمام مفرغ|الصمام المُفرّغ]] هو العنصر الإلكتروني الذي تدور حوله الأبحاث. في العام 1904م، نجح
[[جون أمبروز فلمنج|جون فلمنج]] في تطوير ديود الصمام المُفرّغ {{إنج|Vacuum-tube Diode}}، ثُمّ أضاف [[لي دي فورست]] عام 1906 شبكة تحكم للصمام المُفرّغ لينتج بذلك أول [[مضخم]]، وهو [[صمام ثلاثي|الصمام الثلاثي]]، والذي استعمل بشكل مكثف في تطبيقات الراديو والهاتف، وخضع في السّنوات اللاحقة لتعديلات كبيرة ليتكمن من تحمل استطاعة أعلى ويعمل على ترددات أكبر مع محاولة تصغير حجمه.<ref name = "Book-2">Electronic devices and circuit theory; P.112</ref>

حصل الفيزيائي [[جوليوس إدغار ليلينفيلد|يوليوس ليلينفيلد]] في العام 1930م على أول براءة اختراع خاصة بمبدأ عمل [[ترانزستور الأثر الحقلي]]،<ref name="Web-1">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200228173746/https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=US&NR=1745175&KC=&FT=E&locale=en_EP
| تاريخ أرشيف =
2020-02-28| مسار= https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=US&NR=1745175&KC=&FT=E&locale=en_EP
| عنوان= Bibliographic data: US1745175 (A) ― 1930-01-28
| موقع= Espacenet
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 نوفمبر 2018}}</ref> ولكنّه لم ينشر أي أبحاث لاحقة حول ذلك، ولم يُتناول عمله على المستوى الصّناعي، بينما حصل الفيزيائي [[أوسكار هايل|أوسكار هيل]] لاحقاً على براءة اختراع أخرى لترانزستور الأثر الحقلي وذلك عام 1934م.<ref name="Web-2">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181106175907/https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?locale=en_EP&FT=E&CC=GB&NR=439457&KC=| تاريخ أرشيف = 6 نوفمبر 2018| مسار= https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?CC=GB&NR=439457&KC=&FT=E&locale=en_EP
| عنوان= Bibliographic data: GB439457 (A) ― 1935-12-06
| موقع= Espacenet
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 نوفمبر 2018}}</ref>

استخدم الصمام الإلكتروني في عملية تضخيم الإشارة في [[شبكة هاتف عامة|شبكات الهاتف]]، ولكنّه كان غير موثوقٍ، بالإضافة لاستهلاكه العالي للطاقة وإشعاعه الحراري، وفي الثلاثينيّات من [[القرن 20|القرن العشرين]]، بدا واضحاً للمسؤول عن مختبرات بل، {{وإو|مارفين كيلي|Mervin Kelly Lilienfeld|en|مارفين كيلي}}، الحاجة الماسة لجهاز جديد يواكب تطلعات شركات الهاتف الراغبة في مزيدٍ من التوسع، وبدأ العمل على صنف غريب من العناصر سُمّي [[شبه موصل|أشباه الموصلات]].<ref name="Web-4">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ralph Bray
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180329232217/http://www.pbs.org/transistor/album1/
| تاريخ أرشيف = 12 مارس 2018
| مسار= http://www.pbs.org/transistor/album1/
| عنوان= An outline of the history of the transistor
| موقع=  Public Broadcasting Service (PBS)
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 نوفمبر 2018}}</ref> خلال [[الحرب العالمية الثانية]]، عملت [[مختبرات بل]] بشكل حثيث لتطوير بلورة نقية من عنصر شبه موصل هو [[جرمانيوم|الجرمانيوم]]، وذلك لاستخدامها في مازج الترددات المُستعمل في وحدات الاستقبال في [[رادار|الرادارات]]، في الوقت نفسه، نجح مشروع آخر في المختبرات ذاتها في إنتاج بلورات أشباه موصلات من الجرمانيوم ذات جودة جيدة.<ref name="Web-3">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ralph Bray
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180312112159/http://www.physics.purdue.edu/about/history/semi_conductor_research.html
| تاريخ أرشيف = 12 مارس 2018
| مسار= http://www.physics.purdue.edu/about/history/semi_conductor_research.html
| عنوان= The Origin of Semiconductor Research at Purdue
| موقع= Purdue
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 نوفمبر 2018}}</ref>

في 23 ديسمبر 1947م، نجح [[والتر براتين]] و[[جون باردين]] و[[وليم شوكلي|وليام شوكلي]] في مختبرات بل في صناعة أول ترانزستور باستعمال الجرمانيوم،<ref name = "JOU-8">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Riordan
|الأول=  M.
|مؤلف2-الأخير= Hoddeson
|مؤلف2-الأول= L.
|صحيفة = IEEE Spectrum
|عنوان= The origins of the pn junction
|المجلد= 34
|العدد = 6
| تاريخ = يونيو 1996
|صفحة= 46-51
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/6.591664
| issn = 0018-9235
}}</ref> وكان [[ترانزستور التلامس النقطي|ترانزستور نقطة الاتصال]]، كان الترانزتسور الأول مُكوّناً من قطبين معدنيين مُتقاربين مُثبّتين برقّة على سطح شريحة من الجرمانيوم، سُميت النقطتان بالباعث والمُجمّع على التوالي، أمّا السطح السفلي لشريحة الجرمانيوم فقد سمي بالقاعدة. كان مبدأ عمل الترانزستور يعتمد على تحييز الباعث إيجابياً، من أجل تضخيم التيار القادم من القاعدة.و بعد 6 أشهر، تحديداً في 30 يونيو 1948م، أعلنت مختبرات بل عن الاختراع رسمياً في موتمر صحفي.<ref name="Web-5">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180403000414/http://www.pbs.org/transistor/background1/events/bigannouncement.html
| تاريخ أرشيف = 3 أبريل 2018
| مسار= http://www.pbs.org/transistor/background1/events/bigannouncement.html
| عنوان= The Big Announcement
| موقع= Public Broadcasting Service (PBS)
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 24 يونيو 2018}}</ref> لقد كانت إيجابيات الترانزستور مقارنة مع الصمام الثلاثي واضحة من البداية، فهو أصغر حجماً وأقل وزناً وليس بحاجة لفترة تسخين أو إحماء، ما يجعله متاحاً للاستخدام الفوري، بالإضافة لكونه أقل استهلاكاً للطاقة.<ref name="Book-2"/>

في الفترة التالية؛ تواصل عمل الفريق لتحسين الترانزستور من خلال إزالة نقاط الاتصال والاستعاضة عنها [[وصلة الموجب والسالب|بوصلة PN]] (P-N)، ونجح الفريق في صناعة ترانزستور يعمل بهذا المبدأ، لكنه عجز عن تقديم {{وإو|استجابة ترددية|Frequency response|en|استجابة ترددية}} بجودة تلك التي يقدمها ترانزستور نقطة الاتصال، نتيجة لذلك، تأخّر الإعلان عن نجاح تنفيذ وصلة PN حتى العام 1951م، لمعالجة مشكلة الاستجابة الترددية.<ref name="Web-6">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181110192158/https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/the-lost-history-of-the-transistor/s101
| تاريخ أرشيف = 10 نوفمبر 2018
| تاريخ = Alfred Rosenblatt
| مسار= https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/the-lost-history-of-the-transistor/s101
| عنوان= The Lost History of the Transistor, Transistors 101: The Junction Transistor
| موقع= IEEE
| لغة= en
| تاريخ الوصول=  10 نوفمبر 2018}}</ref> بعد ذلك بأربعة أعوام، وتحديداً في العام 1956م، حصل المُخترعون الثلاثة على [[جائزة نوبل في الفيزياء]] بسبب «أبحاثهم على أشباه الموصلات ولاكتشاف تأثير الترانزستور».{{للهامش|1}}<ref name="Web-12"/>

كان عنصر الجرمانيوم غير مستقر كيميائيّاً بشكل كافيّ بالإضافة لدرجة انصهار منخفضة، لذلك، تحوّل التنافس نحو تطوير ترانزستور وصلة ثنائية القطب باستعمال شبه مُوصِل آخر هو [[سيليكون|السيليكون]]، الذي يقع مباشرة فوق الجرمانيوم في [[الجدول الدوري]]، ويبدي خواصاً أكثر ملاءَمة للتطبيقات الصناعيّة.<ref name = "Book-13">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=Fumio Shimura
|عنوان= Single-Crystal Silicon: Growth and Properties
|صفحة= 294
|مسار= https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2F978-3-319-48933-9_13.pdf
|سنة=2017
|ناشر= Springer
|ردمك= 978-3-319-48931-5
|doi= 10.1007/978-3-319-48933-9_13
|لغة= en
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180730141118/https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-3-319-48933-9_13.pdf | تاريخ أرشيف = 30 يوليو 2018 }}</ref> تسارع السباق في منتصف العام 1954م، ففي 25 أبريل، أعلنت مُختبرات بل عن نجاحها في إنتاج وصلة PN باستعمال السيليكون عن طريق [[إشابة]] رقاقة من السيليكون سالبة النوع باستعمال طبقة رقيقة من ذرات [[بورون|البورون]]، لكن شركة [[تكساس إنسترومنتس]] فاجأت الجميع في 10 مايو بإعلانها في مؤتمر صحفي عن إنتاج أول ترانزستور وصلة ثنائية القطبية باستعمال السيليكون.<ref name="Web-6"/>

بعد ذلك، فتح تطوير الترانزستور السيليكوني الباب لظهور [[مستقبل راديوي|المذياع]]، والذي يُسمى أيضاً راديو ترانزستور {{إنج|Transistor radio}} في إشارة إلى اعتماده على الترانزستور بشكل أساسي في بنيته الداخليّة. ظهر المذياع أولاً في [[اليابان]] في عام 1954م، عندما نجحت شركة هندسة الاتصالات البعاديّة في طوكيو{{للهامش|2}}، والمعروفة اليوم باسم [[سوني]]، في إنتاج أول راديو ترانزستور، لكن تأخر الإنتاج الاستهلاكي حتى العام التالي، وعُرض حينها تحت اسم سوني تي آر 55 {{إنج|Sony TR-55}}.<ref name = "Book-1">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= D. R. Lane
|مؤلف2= Robert A. Lane
|عنوان= Transistor Radios: A Collector's Encyclopedia and Price Guide
|مسار= https://archive.org/details/transistorradios0000lane
|صفحة= [https://archive.org/details/transistorradios0000lane/page/2 2]-7
| طبعة=الأولى
|سنة= 1994
|ناشر= Wallace-Homestead Book Co
|ردمك= 0870697129
|لغة= en
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20211009021653/https://archive.org/details/transistorradios0000lane | تاريخ أرشيف = 9 أكتوبر 2021 }}</ref> أمّا تكساس إنسترومنتز فأعلنت في 18 أكتوبر 1954م عن الإصدار التجاري لراديو الترانزستور الخاص بها تحت الاسم التجاري [[ريجينسي تي آر-1|ريجينسي تي آر 1]].<ref name="Web-8">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Suzanne Deffree
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181017002034/https://www.edn.com/electronics-blogs/edn-moments/4398895/TI-announces-1st-transistor-radio--October-18--1954
| تاريخ أرشيف = 17 أكتوبر 2018
| تاريخ = 18 أكتوبر 2017
| مسار= https://www.edn.com/electronics-blogs/edn-moments/4398895/TI-announces-1st-transistor-radio--October-18--1954
| عنوان= TI announces 1st transistor radio, October 18, 1954
| موقع= IEEE
| لغة= en
| تاريخ الوصول=  11 نوفمبر 2018}}</ref>

== خلفية عامة ==
=== أشباه الموصلات ===

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Silicon Crystal structure.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = البنية البلوريّة
 | image2 = Covalent bonding in silicon-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = [[رابطة تساهمية|الرابطة التساهمية]]
 | footer = {{وسط|البنية البلورية في السيليكون، وفيها تُشكّل كل ذرة أربع روابط تساهميّة مع أربع ذرات مجاورة.}}
}}

{{مفصلة|شبه موصل}}

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = توزيع إلكتروني 014 سيليكون.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = ذرة [[سيليكون (توضيح)|السيليكون]]
 | image2 = توزيع إلكتروني 032 جرمانيوم.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = ذرة [[جرمانيوم|الجرمانيوم]]
 | footer = {{وسط|[[نموذج بور]] لذرتي الجرمانيوم والسيليكون، توجد 4 إلكترونات في مدار التكافؤ لكل منهما.}}
}}

تُعرّف [[شبه موصل|أشباه الموصلات]] بأنّها مواد فيزيائيّة تتغير قيمة [[مقاومة ومواصلة كهربائية|مقاومتها الكهربائية]] تبعاً لشروط مُحددة، فإن توافرت هذه الشروط، سلكت هذه المادة سلوك [[موصل كهربائي|الموصل الكهربائي]]، وإذا لم تتوافر سلكت المادة سلوكاً يشبه سلوك [[عازل كهربائي|العازل]].<ref name = "Book-15">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Donald A. Neamen
|عنوان= <!-- عنوان الكتاب -->Semiconductor Physics and Devices Basic Principles
|طبعة= الثالثة
|صفحة= 2
|مسار= http://www.fulviofrisone.com/attachments/article/403/Semiconductor%20Physics%20And%20Devices%20-%20Donald%20Neamen.pdf
|سنة= 2003
|ناشر= McGraw-Hill
|ردمك= 0072321075
|لغة= en
|تاريخ الوصول= 9 مايو 2019
|تاريخ أرشيف= 27 نوفمبر 2018
|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20181127193749/http://www.fulviofrisone.com/attachments/article/403/Semiconductor%20Physics%20And%20Devices%20-%20Donald%20Neamen.pdf
|حالة المسار= bot: unknown
}}</ref> تسمح هذه الخاصية باستعمال المواد شبه المُوصِلة لأغراض التحكم [[تيار كهربائي|بالتيار الكهربائي]]. على سبيل المثال، في [[درجة حرارة الغرفة]]، تبلغ المقاومة الكهربائية لعازل مثل [[ميكا (توضيح)|الميكا]] <math>{10^{13}}</math> أوم•متر، في حين أنها تبلغ مُوصل مثل [[نحاس|النحاس]] <math>{1.72 \times 10^{-8}}</math> أوم•متر، أما المقاومة الكهربائيّة لشبه مُوصِل مثل [[جرمانيوم|الجرمانيوم]] فهي <math>{0.6}</math> أوم•متر.<ref name="Web-102">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Alexander Zaitsev
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20160627021926/http://csivc.csi.cuny.edu/engsci/files/csiengdp/faculty/zaitsev/PHY156ResistivityExp.pdf
| تاريخ أرشيف = 27 يونيو 2016
| مسار= http://csivc.csi.cuny.edu/engsci/files/csiengdp/faculty/zaitsev/PHY156ResistivityExp.pdf
| عنوان= RESISTIVITY
| صفحة = 7
| موقع= The City University of New York
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019|url-status=dead}}</ref><ref name="Web-103">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Anne Helmenstine
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190406064321/https://sciencenotes.org/table-of-electrical-resistivity-and-conductivity/
| تاريخ أرشيف = 6 أبريل 2019
| تاريخ =16 يناير 2019
| مسار= https://sciencenotes.org/table-of-electrical-resistivity-and-conductivity/
| عنوان= Table of Electrical Resistivity and Conductivity
| صفحة = 7
| موقع= Science Notes and Projects
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

تُشكّل ذرات أشباه الموصلات بُنيّة ذريّة ذات [[نظام بلوري|نمط دوري مٌحدد]] تُسمّى [[بلورة|البلّورة]]، إذا تكررت البنية نفسها ضمن مادة شبه المُوصِل، فتُسمّى حينئذ بالبنية بلورة [[أحادية (فلسفة)|أحاديّة البلورة]] وتُفسَّر خواص أشباه الموصلات اعتماداً على بنيتها البلورية. بُنية بلورتي الجرمانيوم والسيليكون، وهما شبه موصِلين، هي بنيّة وحيدة البلورة.<ref name="Web-105">{{استشهاد بويب
| مؤلف = B. Van Zeghbroeck
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180207090632/https://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_2.htm
| تاريخ أرشيف = 07 فبراير2018
| تاريخ =  أغسطس 2007
| مسار= https://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_2.htm
| عنوان= Chapter 2: Semiconductor Fundamentals. 2.2. Crystals and crystal structures
| موقع= University of Colorado Boulder
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

تتألف كل ذرة من ذرات البلورة من نواة يدور حولها عدد من [[إلكترون|الإلكترونات]]، تتوزع الإلكترونات في مدارات مختلفة حسب سويّة الطاقة، وكلما كان مدار الإلكترون أبعد عن النواة كانت [[طاقة تأين|الطاقة]] اللازمة لانتزاعه من ذرته أقل. يُسمّى أبعد مدار عن النواة بمدار التكافؤ، في الجرمانيوم والسيليكون، يحتوي مدار التكافؤ على أربع إلكترونات. في بلورة السيليكون النقية أو في بلورة الجرمانيوم النقية تكون كل ذرة مشتركة مع أربع ذرات مجاورة لها في [[رابطة تساهمية]]، وتسهم كل ذرة بأحد إلكترونات التكافؤ من مدارها الخارجي لإنشاء هذه الرابطة.<ref name="Web-109">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170609023102/http://butane.chem.uiuc.edu/pshapley/genchem2/C4/1.html
| تاريخ أرشيف = 9 يونيو 2019
| مسار= http://butane.chem.uiuc.edu/pshapley/genchem2/C4/1.html
| عنوان= Intrinsic Semiconductors
| موقع= University of Illinois
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

بالرغم من وجود الرابطة التساهمية، فإن بإمكان إلكترون التكافؤ إذا امتص طاقة كافية من مصادر خارجية أن يقفز خارج ذرته ويصبح إلكتروناً حراً،<ref name="Web-109"/> تشمل المصادر الخارجية الطاقة الضوئية مُمثلة [[فوتون|بالفوتونات]] أو الطاقة الحراريّة. تُسمّى الإلكترونات الحرة التي تقفز خارج ذرتها بحوامل الشحنة الذاتيّة {{إنج|intrinsic carriers}}. يُخلّف كل إلكترون حر وراءه [[ثغرة إلكترونية]] موجبة الشحنة، وهي مفهوم نظري يُعبّر عن غياب الإلكترون.<ref name="Web-100">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170508100450/http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node1.html
| تاريخ أرشيف = 8 مايو 2017
| مسار= http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node1.html
| عنوان= Semiconductor materials
| موقع=  Harvey Mudd College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref> تحتوي أشباه الموصلات في [[درجة حرارة الغرفة]] مليارات الإلكترونات الحرة، مثلاً يحتوي 1 سم<sup>3</sup> من الجرمانيوم على <math>{2.5 x 10^{13}}</math> إلكترون حر، ولكن هذا العدد ما يزال صغيراً مقارنة مع مثيله في النواقل، في 1 سم<sup>3</sup> من [[نحاس|النحاس]] يوجد <math>{8.5 x 10^{22}}</math> إلكترون،<ref name="Web-10">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180102122136/http://resources.schoolscience.co.uk/cda/16plus/copelech2pg3.html
| تاريخ أرشيف = 2 يناير 2018
| مسار= http://resources.schoolscience.co.uk/cda/16plus/copelech2pg3.html
| عنوان=  Drift velocity
| موقع= SchoolScience.co.uk
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 نوفمبر 2018}}</ref> وبناء على ذلك فإن الجرمانيوم يسلك سلوك شبه موصل في درجة حرارة الغرفة.

=== مستويات الطاقة ===
[[ملف:Electrons and Energy bands in materials-ar.svg|تصغير|300بك|{{وسط|حزم الطاقة والإلكترونات في أنواع مختلفة من المواد: العازل وشبه المُوصِل والمُوصِل.}}]]

توجد مستويات طاقيّة مُتمايزة لكل [[إلكترون]] يدور حول [[نواة الذرة|النواة]] في بنيةٍ ذريّة معزولة. لكل عنصر مستوياته الطاقية المميزة ضمن البنية الذريّة الخاصّة به، وتفصل بين هذه المستويات فجوات طاقية تسمى كل منها [[فجوة النطاق|فجوة نطاق]]، ولا يُمكن للإلكترون أن ينتقل من مستوى ذو طاقة دُنيا إلى مستوى ذو طاقة عُليا بدون أن يكتسب طاقةً أكبر من قيمة الفجوة بين المستويين.<ref name="Web-108">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190121051241/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/band.html
| تاريخ أرشيف = 21 يناير 2019
| مسار= http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/band.html
| عنوان= Band Theory of Solids
| موقع= hyperphysics.phy
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref> أمّا في البنية البلوريّة، فإنّ الذرات تقترب من بعضها البعض وتتداخل مدارتها. نتيجةً لذلك، فإنّ بعض الإلكترونات في مدارات مُحددة قد تكتسب طاقة إضافية، لتصبح طاقتها الإجماليّة أكبر من تلك التي تقع في المدارات نفسها في ذرات مجاورة. عموماً، كلما كان الإلكترون بعيداً عن النواة، كانت طاقته أكبر، بالإضافة لذلك، فإن أي ألكترون غادر ذرته يملك طاقة أكبر من أي ألكترون آخر مازال ضمن المدارات الإلكترونية للذرة الأم نفسها.<ref name="Web-107">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180602045530/http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_3.htm
| تاريخ أرشيف = 2 يونيو 2018
| تاريخ = أغسطس 2007
| مسار= http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter2/ch2_3.htm
| عنوان= Chapter 2: Semiconductor Fundamentals - 2.3 Energy bands
| موقع= University of Colorado Boulder
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

يُسمى مستوى الطاقة الأخير في الذرة [[نطاق التكافؤ|بنطاق التكافؤ]]، وتحدد الإلكترونات التي تقع في هذه النطاق تكافؤ [[عنصر كيميائي|العنصر الكيمائي]]. لكي يصبح الإلكترون حُراً ويخرج من مستواه الطاقيّ، نحو مستوى الطاقة التالي الذي يُسمّى [[نطاق التوصيل]]، يجب أن يكتسب طاقة أكبر أو تساوي الفجوة الطاقيّة التي تفصل بين النطاقين. لا يوجد قيمة محددة بدقة لطاقة الإلكترون ليصبح نطاق التكافؤ، ولكن يوجد حدٌّ أعلى لا يمكن أن يمتلك أي إلكترون في نطاق التكافؤ طاقةً أعلى منه، ويسمى هذا المستوى الطاقي [[مستوى فيرمي|بمستوى فيرمي]]، يتبع مستوى فيرمي بشكل مباشر لدرجة الحرارة، كما يتأثر أيضاً في حالة [[إشابة|الإشابة]].<ref name="Web-11">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180322142631/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/Fermi.html
| تاريخ أرشيف = 22 مارس 2018
| مسار= http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/Fermi.html
| عنوان= Fermi Level
| موقع= HyperPhysics
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 28 ديسمبر 2018}}</ref>

في [[موصل كهربائي|المُوصِلات]] يتداخل نطاق التوصيل مع نطاق التكافؤ، وتكون إلكترونات التكافؤ حرّة في الانتقال ضمن البنية الشبكية للذرات أو الجزئيات التي تكوّن المادة المُوصِلة. أمّا في أشباه المُوصِلات، فتفصل فجوة طاقيّة قيمتها أقل من 5 إلكترون.فولط بين النطاقين، وتزيد قيمة هذه الفجوة عن القيمة السابقة في [[عازل كهربائي|العوازل]].<ref name = "Book-14">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=Volker Quaschning
|عنوان= Understanding Renewable Energy Systems
|صفحة= [https://archive.org/details/understandingren00quas_533/page/n138 120]
|مسار=https://archive.org/details/understandingren00quas_533
|التسجيل=registration
|سنة=2005
|ناشر= Earthscan
|ردمك=1844071367
|لغة= en
}}</ref> يجب الانتباه إلى أن قيمة الفجوة الطاقية تتبع لدرجة الحرارة، ففي درجة حرارة الصفر المطلق، تكون قيمة الفجوة في مادة مثل السيليكون مساوية للصفر، ويسلك العنصر سلوك مُوصِل مثالي. أمّا في درجة حرارة الغرفة، فإن قيمة الفجوة تبلغ 0.67 و1.1 إلكترون.فولط للجرمانيوم والسيليكون على الترتيب، ويسلك العنصران عندها سلوك أشباه الموصلات.<ref name="Web-104">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180319001424/http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiGe/bandstr.html
| تاريخ أرشيف = 19 مارس 2017
| مسار= http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiGe/bandstr.html
| عنوان= Band structure and carrier concentration
| موقع= The Ioffe Physico-Technical Institute
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

=== الإشابة ===
{{مفصلة|إشابة}}
تُصنّف أشباه الموصلات حسب تجانس تكوينها إلى [[شبه موصل أصيل|أشباه موصلات أصيلة]] وأشباه موصلات مشابة. أمّا أشباه الموصلات الأصيلة فهي أشباه الموصلات التي تتكون مادتها من نوع واحد من الذرات، وأمّا أشباه الموصلات المشابة فهي أشباه موصلات أصيلة أُضيفت ذارت من مادة أخرى إليها، بعملية تُسمّى [[إشابة|الإشابة]]. تكون تراكيز ذرات المادة الشائبة بين <math>10^{15}</math> و<math>10^{18}</math> ذرة/سم<sup>3</sup>، أمّا تركيز ذرات مادة شبه الموصل الأصيلة فيكون قرابة <math>10^{22}</math> ذرة/سم<sup>3</sup>، أي أكثر بعشرة آلاف ضعف على الأقل.<ref name = "Book-17">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= J.-P. Colinge
|مؤلف2= C.A. Colinge
|عنوان= Physics of Semiconductor Devices
|صفحة= 19
|طبعة = الأولى
|سنة=2005
|ناشر=  Springer
|ردمك=0387285237
|لغة= en
}}</ref>

تدخل المادة الشائبة ضمن تركيب البنية البلورية لشبه الموصل الأصيل فتحوّله إلى شبه موصل مشاب. إذا كان عدد إلكترونات التكافؤ في المادة الشائبة أكبر من عدد إلكترونات التكافؤ في شبه الموصل الأصيل، فيفيض عدد الإلكترونات في البنية البلورية الجديدة، ويوصف شبه الموصل بأنه سالب النوع وهي مأخوذة من الحرف الأول لكلمة سالب {{إنج|Negative}}. أما إذا كان عدد إلكترونات التكافؤ في المادة الشائبة أقل من عدد إلكترونات التكافؤ في شبه الموصل الأصيل، فيفيض عدد في الثغرات الإلكترونية. ويُوصف شبه الموصل الناتج بأنه موجب النوع، والاسم مأخوذ من الحرف الأول لكلمة موجب {{إنج|Positive}}.<ref name="Web-101">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Mark Redekopp
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20171208155043/http://bcf.usc.edu/~franzke/courses/ee209/2017-03/slides/EE209-Spiral1-8-dist.pdf
| تاريخ أرشيف = 8 ديسمبر 2017
| تاريخ = مارس 2017
| مسار= https://viterbi-web.usc.edu/~franzke
| عنوان= SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - Silicon Lattice and Dopant Atoms
| صفحة = 7
| موقع= University of Southern California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

تُشكّل أشباه الموصولات سالبة النوع وموجبته حجر الأساس الذي يُستخدم في بناء [[مكون إلكتروني|العناصر الإلكترونية]]، وتقوم عليها [[صناعة الإلكترونيات]] كاملةً.<ref name = "Book-16">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=S. M. Sze
|عنوان= Semiconductor Devices Physics Technology
|صفحة= 1
|مسار= https://www.academia.edu/18640825/Semiconductor_Devices_Physics_Technology_Sze_2nd_Ed_Wiley_2002_1_
|طبعة = الثانية
|سنة=2002
|ناشر=  John Wiley Sons, Inc
|ردمك=0471333727
|لغة= en
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190407211835/https://www.academia.edu/18640825/Semiconductor_Devices_Physics_Technology_Sze_2nd_Ed_Wiley_2002_1_ | تاريخ أرشيف = 7 أبريل 2019 }}</ref>

==== سالب النوع ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Energy bands of a semiconductor type N-ar.svg
 | width1 = 163
 | alt1 =
 | caption1 = مستويات الطاقة<ref name="Web-16"/>
 | image2 = Silicon doping - Type N-ar.svg
 | width2 = 137
 | alt2 =
 | caption2  = البنية الجزيئيّة
 | footer = {{وسط|شبه الموصل المشاب سالب النوع.}}
}}

يُصنَّع شبه الموصل مشاب سالب النوع بإضافة شوائب من عنصر خماسي التكافؤ، مثل [[إثمد|الإثمد]]، إلى مادة شبه الموصل الأصيلة. نتيجة لذلك، تُشكّل [[ذرة|الذرة]] الشائبة أربع [[رابطة تساهمية|روابط تساهمية]] مع ذرات المادة الأصيلة، ويبقى الإلكترون الخامس حرّاً ضمن شبه الموصل المشاب.<ref name="Web-110">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180121125504/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/dope.html
| تاريخ أرشيف = 21 يناير 2018
| مسار= http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/dope.html
| عنوان= The Doping of Semiconductors
| موقع= hyperphysics
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 7 أبريل 2019}}</ref> تسمى الذرات الشوائب [[مانح|بالذرات المانحة]]، لأنّها تمنح إلكترونها الخامس الفائض لذرات أخرى بحاجة لإلكترون من أجل تشكيل رابطة تساهمية.<ref name="Web-111">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Bart J. Van Zeghbroeck,
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180228023544/http://ecee.colorado.edu/~bart/book/extrinsi.htm
| تاريخ أرشيف = 28 فبراير 2018
| تاريخ = 1997
| مسار= http://ecee.colorado.edu/~bart/book/extrinsi.htm
| عنوان= 2.7 Doped Semiconductors
| موقع= University of Colorado Boulder
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 أبريل 2019}}</ref>

يُسبب تشويب المادة بذرات مانحة امتلاك الإلكترونات الفائضة لمستوى طاقي أعلى من [[مستوى فيرمي]]، ولكنّه يظل غير كافيّاً لبلوغ حزمة التوصيل. نتيجة لذلك تحتاج هذه الإلكترونات لطاقة أقل لبلوغ نطاق التوصيل، أي تُقلل عملية التشويب السابقة من قيمة الفجوة الطاقية التي يجب على الإلكترونات الحرة التغلب عليها.<ref name="Web-106">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190406174729/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/dsem.html
| تاريخ أرشيف = 6 أبريل 2019
| مسار= http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/dsem.html
| عنوان= Bands for Doped Semiconductors
| موقع= HyperPhysics
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 6 أبريل 2019}}</ref>

مع أن عدداً كبيراً من الإلكترونات الحرّة موجود في مادة شبه المُوصِل المشاب سالب النوع، فإنّه يظلّ مُتعادلاً كهربائيّاً، لأن عدد البروتونات الإجماليّ يساوي عدد الإلكترونات الحرة.<ref name = "Book-18">Fundamentals of Solid-state Electronics; P.188</ref>

==== النوع الموجب ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Energy bands of a semiconductor type p -ar.svg
 | width1 = 163
 | alt1 =
 | caption1 = مستويات الطاقة<ref name="Web-16">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Chenming Hu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170814190517/https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1.pdf
| تاريخ أرشيف = 14 أغسطس 2017
| تاريخ =  12 فبراير 2009
| مسار= https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1.pdf
| عنوان= Chapter 1: Electrons and Holes in Semiconductors
| صفحة= 10
| موقع= Berkeley University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 يناير 2018}}</ref>
 | image2 = Silicon doping - Type P-ar.svg
 | width2 = 137
 | alt2 =
 | caption2  = البنية الجزيئية
 | footer = {{وسط| شبه الموصل من النوع الموجب.}}
}}

يُصنَّع شبه موصل مشاب من موجب النوع بإضافة شوائب من عنصر ثلاثي التكافؤ، مثل [[بورون|البورون]] أو [[إنديوم|الإنديوم]] أو [[غاليوم|الغاليوم]]، إلى مادة شبه الموصل الأصليّة. نتيجة لذلك، تشكل الذرة الشائبة ثلاث روابط تساهمية مع ذرات المادة الأصلية، وتحتاج [[إلكترون|لإلكترون]] رابع لتشكيل الرابع الرابعة، ويُعبّر عن غياب الإلكترون بثغرة إلكترونية.<ref name="Web-110"/> تسمى الذرات الشوائب [[متقبل|بالذرات المُتقبّلة]] أو الآخذة، لأنها مستعدة لتستقبل إلكترون حر متى ما سنحت لها الفرصة من أجل إكمال الرابطة التساهمية الأخيرة.<ref name="Web-111"/>

إذا اكتسب أحد إلكترونات ذرات المادة الأساسية طاقة حركية كافية فإنه سيخرج من نطاق التكافؤ الخاص بذرته، ويسبب ذلك ظهور ثغرة إلكترونية في الموقع الذي تركه الإلكترون. بعد ذلك، يقوم الإلكترون بملء الفراغ أو الثغرة الإلكترونية في إحدى الذرات الشائبة الأخرى. وتسبب هذه الحركة انتقالاً للشحنة الكهربائية ويولد ذلك تياراً كهربائياً معاكساً في الاتجاه لجهة حركة الإلكترون. يُنظر إلى ذلك بطريقة أخرى تسبب فيها حركة الإلكترونات من ذرة إلى أخرى ضمن البنية البلورية المشابة، حركةً للثغرات بالاتجاه المعاكس.{{للهامش|3}}<ref name="Web-127">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Chenming Hu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170814190517/https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1.pdf
| تاريخ أرشيف = 14 أغسطس 2017
| تاريخ = 12 فبراير 2009
| مسار= https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1.pdf
| عنوان= The Doping of Semiconductors
| صفحة = Chapter1: Electrons and Holes in Semiconductors
| موقع= University of California Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 أبريل 2019}}</ref>

مع أن عدداً كبيراً من الثغرات الإلكترونية موجودة في مادة شبه موصل مشاب موجب النوع، فإنّه يظل متعادلاً كهربائياً، لأن عدد البروتونات الإجمالي يساوي عدد الإلكترونات، وتكون الشحنة الكلية مُتعادلة.<ref name="Book-18"/>

=== حوامل الشحنة الأقلية والأكثرية ===
{|class="wikitable floatleft"
|-
|+ حوامل الشحنة الأقلية والأكثرية في شبه المُوصِل المشاب<ref name = "Book-20">
The Electronics Handbook;P.470
</ref>
|-
! شبه الموصل المشاب !! حاملات الشحنة الأقلية !! حاملات الشحنة الأكثرية
|-
| align="center" | سالبة النوع || align="center" | الثقوب الإلكترونية || align="center" | الإلكترونات
|-
| align="center" | موجبة النوع || align="center" | الإلكترونات || align="center" | الثقوب الإلكترونية
|}

في [[شبه موصل أصيل|شبه الموصل الذاتي]]، قد تكتسب بعض إلكترونات التكافؤ [[طاقة حركية|طاقة حركيّة]] إضافيّة كافيّة لتُغادر [[نطاق التكافؤ]]، ويكون مصدر هذه الطاقة [[ضوء|ضوئيٌّ]] أو [[حرارة|حراريٌّ]]. نتيجةً لذلك، تغادر هذه الإلكترونات ذرّاتها وتصبح إلكتروناتٍ حُرّة ضمن البنية البلوريّة وتُخلّف وراءَها ثغراتٍ إلكترونيّة مُوجبة.<ref name = "Book-21">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Rashid A. Ganeev
|عنوان= Laser - Surface Interactions
|طبعة= <!-- رقم الطبعة الخاص بالكتاب (يفضل استخدام صيغة الترتيب مثل الأولى بدلا من الرقم 1) -->
|صفحة= 13
|سنة=2013
|ناشر= Springer
|ردمك=9789400773400
|doi=10.1007/978-94-007-7341-7
|لغة= en
}}</ref>

في شبه موصولٍ مشابٍ سالب النوع، تحصل الزيادة في عدد الإلكترونات المُرشّحة لتصبح إلكترونات حُرّة، ويكون عدد هذه الإلكترونات أكبر بكثير من عدد [[ثغرة إلكترونية|الثغرات]] الموجودة في هذا النوع من أشباه الموصلات المشابة. أمّا في شبه الموصل موجبة النوع، فإنّ [[إشابة|الإشابة]] تُسبب زيادةً في عدد الثغرات الإلكترونيّة في مقابل بقاء عدد الإلكترونات المرشحة لتكون حرة على ما هو عليه. لذلك، في شبه الموصل سالب النوع، توصف الإلكترونات بأنّها حاملات الشحنة الأكثرية وتُوصف الثغرات بأنهنّ حملات الشحنة الأقليّة. أمّا في شبه الموصل المشاب موجب النوع، فإنّ حاملات الشحنة الأكثرّية هُنّ الثغرات الإلكترونيّة وحاملات الشحنة الأقليّة هُنّ الإلكترونات.<ref name="Book-20"/>

تتحرك حاملات الشحنة بإحدى طريقتين، هما الانجراف {{إنج|Drift}} والانتشار {{إنج|Diffusion}}. أمّا الانجراف فهو حركة حاملات الشحنة بتأثير الحقل الكهربائي، وأما الانتشار فهو حركة حاملات الشحنة بين منطقتين، يكون تركيز الحاملات مرتفعاً في المنطقة الأولى ومُنخفضاً في الثانية، ويكون الانتقال من المنطقة ذات التركيز المرتفع إلى المنطقة ذات التركيز المنخفض.<ref name="Web-48">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190216080636/https://dspace.mit.edu/bitstream/handle/1721.1/46331/6-720JFall-2002/NR/rdonlyres/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-720JIntegrated-Microelectronic-DevicesFall2002/B2ACA25C-4171-4637-ACD5-B39C43447C73/0/lecture7.pdf
| تاريخ أرشيف = 16 فبراير 2017
| تاريخ =2001
| مسار= https://dspace.mit.edu/bitstream/handle/1721.1/46331/6-720JFall-2002/NR/rdonlyres/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-720JIntegrated-Microelectronic-DevicesFall2002/B2ACA25C-4171-4637-ACD5-B39C43447C73/0/lecture7.pdf
| عنوان= Lecture 7 - Carrier Drift and Diffusion
| موقع= Massachusetts Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 فبراير 2019}}</ref> على أي حال، وفي كلا النوعين، N و P، تحمل حاملات الشحنة الأكثريّة الجزء الأكبر من الشحنة الكهربائيّة وتُسبب حركتها مرور تيارٍ رئيسيّ في الوصلة، أمّا حركة حاملات الشحنة الأقليّة، فتسبب مرور تيّارٍ ثانويّ صغير القيمة مُقارنةً مع التيّار الرئيسيّ.<ref name="Web-122">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170701133328/http://www.physics-and-radio-electronics.com/electronic-devices-and-circuits/semiconductor/majority-and-minority-carriers.html
| تاريخ أرشيف = 1 يوليو 2017
| مسار= http://www.physics-and-radio-electronics.com/electronic-devices-and-circuits/semiconductor/majority-and-minority-carriers.html
| عنوان= Majority & minority carriers
| موقع= Physics and Radio-Electronics
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 15 أبريل 2019}}</ref>

== بنية الترانزستور ==

=== الوصلة ثنائية الطبقات ===
{{مفصلة|وصلة الموجب والسالب}}

==== بنية الوصلة ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Un-Biased pn Junction Bands ar.svg
 | width1 = 165
 | alt1 =
 | caption1 = حزم الطاقة لوصلة سالب موجب من غير تحييز، وأظهر الحقل الكهربائي في منطقة العبور على على هيئة منحدر، تحتاج حوامل الشحن الأكثرية في النوع السالب إلى طاقة لاجتيازه.
 | image2 = Pn Junction Diffusion and Drift-ar.svg
 | width2 = 135
 | alt2 =
 | caption2  = انتشار حملة الشحنات عبر وصلة سالب موجب، وتجمّع الشحنات على طرفي الوصلة وظهور فرق جهد العبور، بالإضافة لحركة حوامل الشحنات الأكثرية والأقلية في نوعي شبه الموصلات.
 | footer = {{وسط|وصلة سالب موجب بدون تحييز.}}
}}

تُصنَّع وصلة سالب موجب من خلال جمع مادتي شبه موصل واحد من نوعين مختلفين، هما النوع الموجب والنوع السالب. يُجمَع النوعان باستخدام تقنيات مُختلفة مثل [[غرس الأيونات]] أو عن طريق [[انتشار|الانتشار]]. تُقسّم وصلة سالب موجب إلى ثلاث مناطق هي: المنطقة الموجبة والمنطقة السالبة وبينهما منطقة الوصلة التي تسمى أيضاً منطقة العبور أو [[منطقة انخفاض|منطقة افتقار]]، والسبب في التسمية الأولى هو كونها المنطقة التي تعبرها حوامل الشحنات في أثتاء حركتها، وفي التسمية الثانية هو افتقارها لحوامل الشحنات التي ستنتقل بين جانبي الوصلة بعد عملية الجمع فتنجذب الإلكترونات الحرة السالبة إلى الثغرات الإلكترونية الموجبة.<ref name="Web-120">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Y. Baghzouz
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190411213115/http://www.egr.unlv.edu/~eebag/Semiconductors%20II.pdf
| تاريخ أرشيف = 21 يناير 2018
| مسار= http://www.egr.unlv.edu/~eebag/Semiconductors%20II.pdf
| عنوان= EE 495/695 - Semiconductors II
| صفحة = 1-3
| موقع= University of Nevada, Las Vegas  - UNLV
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 11 أبريل 2019}}</ref>

في الحالة العامة، وبعد إنشاء وصلة سالب موجب، تنتقل الإلكترونات الحرة، والتي تشكل حوامل الشحنة الأكثرية في شبه الموصل سالب النوع، باتجاه الثغرات الإلكترونية في شبه الموصل موجب النوع، وتسمى هذه العملية بانتشار الإلكترونات، وكلما كان موقع الإلكترون الحر أقرب إلى الوصلة، كان انجذابه نحو الثغرة الإلكترونية أكبر. نتيجة لذلك تتجمع الشحنة السالبة على طرف الوصلة في شبه الموصل موجب النوع، والشحنة الموجبة على طرف الوصلة في شبه الموصل سالبة النوع.<ref name="Web-121">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Y. Baghzouz
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190411214040/https://www.academia.edu/10242163/The_p-n_Junction
| تاريخ أرشيف = 11 أبريل 2019
| تاريخ = مارس 2009
| مسار= https://www.academia.edu/10242163/The_p_n_Junction
| عنوان= The pnJunction
| صفحة = 3-5
| موقع= www.academia.edu
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 11 أبريل 2019}}</ref>

مع استمرار انجراف حاملات الشحنة الأكثريّة، تبدأ الشحنات بالتراكم على طرفي الوصلة، ونتيجة لذلك، يحصل فرق جهد كهربائي بين الطرفين، يُسمّى جهد العبور {{إنج|Built-in voltage}}. ينتج عن هذا الفرق حقل كهربائي <math>\epsilon</math>، مع زيادة الفرق في الجهد بشكل تدريجي كنتيجة لزيادة الشحنة المُتجمّعة على طرفي منقطة العبور، تزداد قوة الحقل الكهربائي حتى تبلغ الحدّ الذي يمنع أي ألكترونات حرة جديدة من الانتقال من بين المادتين، في حال عدم وجود [[جهد كهربائي|جهد]] خارجي مُطبّق، مع ثبات [[درجة حرارة|درجة الحرارة]]، فإنّ طرفي الوصلة يُصبحان مستقرين كهربائياً، ويسمى هذا التوازن [[توازن حراري|بالتوازن الحراري]].<ref name="Web-124">{{استشهاد بويب
| مؤلف =  Octavian Florescu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20060918211325/http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee40/su06/lectures/lecture11.pdf
| تاريخ أرشيف = 18 سبتمبر 2018
| تاريخ = يونيو 2006
| مسار= http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee40/su06/lectures/lecture11.pdf
| عنوان= Lecture 11: The pn Junction Diode
| صفحة =3
| موقع= University of California Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 أبريل 2019}}</ref><ref name="Web-123">{{استشهاد بويب
| مؤلف = J. S. Smith
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180712212742/http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp04/handouts/lectures/Lecture19.pdf
| تاريخ أرشيف = 12 يوليو 2018
| تاريخ = مارس 2004
| مسار= http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp04/handouts/lectures/Lecture19.pdf
| عنوان= Lecture 19: Review, PN junctions, Fermi levels, forward bias
| صفحة = 10-12
| موقع= University of California Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 أبريل 2019}}</ref>

مع توسّع منطقة العبور وتجمّع الشحنات على طرفيها، فإنّ حاملات الشحنة الأقليّة اللواتي أصبحن في منطقة العبور في كلا الطرفين، تتأثّر بالحقل الكهربائي فيها، وتتسرب نحو الطرف الآخر، لذلك، يمر تيار كهربائي صغير ناجم عن تسرب حوامل الشحنة الأقلية باتجاه معاكس للتيار الرئيسي في الوصلة، ويكون ذو قطبية متوافقة مع قطبية الحقل الكهربائي الناتج عن تجمّع الشحنات.<ref name="Web-125">{{استشهاد بويب
| مؤلف =   Doris Jeanne Wagner
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190416222301/http://www.rpi.edu/dept/phys/ScIT/InformationProcessing/semicond/sc_content/doping_25.html
| تاريخ أرشيف = 16 أبريل 2019
| مسار= http://www.rpi.edu/dept/phys/ScIT/InformationProcessing/semicond/sc_content/doping_25.html
| عنوان= The p-n junction - 25
| موقع=Rensselaer Polytechnic Institute (RPI)
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 أبريل 2019}}</ref>

==== تحييز الوصلة ====
تحييز {{إنج|Biasing}} أي جهاز إلكتروني هو تطبيق جهد خارجي مستمر على نهاياته،<ref name = "Book-29">Semiconductor Devices & Circuits; P.100</ref> وتحييز الوصلة الثنائيّة هو تطبيق [[جهد كهربائي|جهد]] مُستمر على طرفيها. يوجد طريقتان لتحييز الوصلة الثنائية:<ref name="Web-130">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180119103459/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/pnjun2.html
| تاريخ أرشيف = 19 يناير 2018
| مسار= http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/pnjun2.html
| عنوان= P-N Energy Bands
| موقع= hyperphysics
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 أبريل 2019}}</ref>
# التحييز الأمامي {{إنج| Forward bias}}.
# التحييز العكسي {{إنج| Reverse bias}}.
===== التحييز الأمامي =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Forward-Biased pn Junction Bands-ar.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = حزم الطاقة في وصلة سالب موجب محيّزة أمامياً. يظهر نقصان فرق الجهد في منطقة العبور على شكل منحدر ذو حجم أصغر مقارنة مع الوصلة بدون تحييز.
 | image2 = Forward-Biased pn Junction-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = الدارة الكهربائية المستعملة لتحييز وصلة سالب موجب أماميّاً.
 | footer = {{وسط|التحييز الأمامي لوصلة سالب موجب.}}
}}

يُوصل شبه الموصل سالب النوع إلى القطب السالب من مولد خارجي جهده <math>V_{ext}</math> لتحييز الوصلة أمامياً، ويُوصل أيضاً شبه الموصل موجب النوع إلى القطب الموجب للمولد نفسه.<ref name="Book-29"/> يسبب هذا التوصيل تطبيق جهد كهربائي <math>V_{ext}</math> مُعاكس بالقطبية لجهد العبور <math>V_{0}</math> الموجود سلفاً نتيجة لإنشاء الوصلة، وتكون المُحصلة الناتجة هي فرق الجهدين. إذا كانت قيمة <math>V_{ext}</math> أكبر من قيمة <math>V_{0}</math>، فإنّ الجهد الخارجي يتغلب على جهد العبور، وتكون المحصلة الجبرية للحقلين أكبر من الصفر، أي <math>\epsilon_{ext} - \epsilon_{0} > 0 </math>، ويُسبب ذلك حركة حاملات الشحنة الأكثريّة حركة متواصلة عبر الوصلة.<ref name = "Book-30">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Abdelhalim Zekry
|عنوان= Electronic devices: A University text book
|صفحة= 97
|مسار= https://www.researchgate.net/publication/236003006_Electronic_Devices
|سنة=1996
|ناشر= Dar El Hakeem Press
|لغة= en
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190419190512/https://www.researchgate.net/publication/236003006_Electronic_Devices | تاريخ أرشيف = 19 أبريل 2019 }}</ref>

فيما يخص حركة حاملات الشحنة، تنتشر الثغرات الإلكترونية من شبه الموصل المشاب موجب النوع باتجاه القطب الموجب للمولد، وتنتشر الإلكترونات الحرّة من شبه الموصل المشاب سالب النوع باتجاه القطب السالب للمولد، وينتج عن هاتين الحركتين تيارٌ يعبر الوصلة من شبه الموصل موجب النوع باتجاه شبه الموصل من سالب النوع، بما يتوافق مع قطبية التغذية الخارجية.{{للهامش|4}}<ref name="Web-128">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190419192638/https://staff-old.najah.edu/sites/default/files/Lec11.pdf
| تاريخ أرشيف = 19 أبريل 2019
| مسار= https://staff-old.najah.edu/sites/default/files/Lec11.pdf
| عنوان= Lecture 11: pn junctions under bias
| صفحة = 3
| موقع= جامعة النجاح الوطنية، نابلس
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 أبريل 2019}}</ref> يزداد التيار المار في الوصلة مع فرق الجهد المطبق، وكلما كان الجهد المطبق أكبر في القيمة كان التيار المار في الوصلة أكبر.<ref name = "Book-33">CMOS Electronics: How It Works, How It Fails; P.49</ref>

===== التحييز العكسي =====

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 =Reverse-Biased pn Junction Bands-ar.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = حزم الطاقة في وصلة سالب موجب محيّزة عكسياً، تظهر زيادة فرق الجهد في منطقة العبور على شكل منحدر ذو حجم أكبر مقارنة مع الوصلة بدون تحييز.
 | image2 = Reverse-Biased pn Junction ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = الدارة الكهربائية المستعملة لتحييز وصلة سالب موجب عكسياً.
 | footer = {{وسط|التحييز العكسي لوصلة PN.}}
}}

يُوصَل شبه الموصل سالب النوع إلى القطب الموجب لمُولّد خارجيّ جهده <math>V_{ext}</math> لتحييز الوصلة عكسياً، ويُوصَل أيضاً شبه الموصل سالب النوع إلى القطب السالب للمولد نفسه.<ref name = "Book-29-replecated">Semiconductor Devices & Circuits, P.103</ref> يسبب هذا التوصيل تطبيق حقل متوافق بالقطبية <math>\epsilon_{ext}</math> مع الحقل الناتج عن جهد العبور والموجود سلفاً نتيجة لإنشاء الوصلة <math>\epsilon_{0}</math>، وتكون المُحصلة الجبريّة للحقلين مساوية لمجموعهما أي <math>\epsilon_{ext} + \epsilon_{0} </math>. نتيجة لذلك، يزداد عرض منطقة العبور على جانبي الوصلة، ويعيق ذلك حركة حاملات الشحنة الأكثريّة.<ref name = "Book-44">CMOS Electronics: How It Works, How It Fails P.49-50</ref>

في ما يخص حركة حاملات الشحنة، فإن انتشار حوامل الشحنات الأكثرية يكون ضعيفاً بسبب حاجز الجهد المضاعف، وينتج عن هذا الانتشار تيار بالغ الصغر، لذا يُهمل عادةً. أما تيار الإشباع العكسي، والذي ينتج عن انجراف حاملات الشحنة المتولدة في منطقة العبور، فيكون ثابت القيمة، ولا يتعلق بقيمة الجهد الخارجي المطبق، ومعاكس في جهته مع قطبية المولّد.<ref name="Web-129">Lecture 11: pn junctions under bias, P.9</ref> يُسمّى هذا التيار بتيار التسريب {{إنج|Leakage current}} أو بتيار الإشباع العكسي {{إنج|Reverse saturation current}}.<ref name="Book-32"/>

=== الوصلة ثلاثية الطبقات ===

==== بنية الوصلة ====

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN BJT ar.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = النوع NPN
 | image2 = PNP BJT-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = النوع PNP
 | footer = {{وسط|بنية الترانزستور ثنائي القطب (الشكل تجريدي، أبعاد المناطق غير متناسبة)}}
}}

[[ترانزستور|الترانزستور]] هو [[مكون إلكتروني|عنصرٌ إلكترونيّ]] شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكون إمّا من طبقتين من شبه الموصل سالب النوع وطبقة من النوع الموجب، أو من طبقتين من شبه الموصل من النوع الموجب وطبقة من شبه الموصل سالب النوع، يُسمّى الأول ترانزستور NPN والثاني ترانزستور PNP.<ref name="Web-21">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Balagangadhar G Bathula
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190115214350/http://www.ee.columbia.edu/~bbathula/courses/SSDT/lect05.pdf?fbclid=IwAR1JyhaOT0W5pVnr4XCm24L3hJQgd2FrUS3usQoh7UiQc5RbJp2iYjmxERw
| تاريخ أرشيف =  15 يناير 2019
| مسار= http://www.ee.columbia.edu/~bbathula/courses/SSDT/lect05.pdf?
| عنوان= Lecture-5 Bibolar Junction Transistor
| صفحة = 3
| موقع=  Columbia University
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 5 يناير 2019}}</ref> تفصل الطبقة المغايرة بين الطبقتين المتماثلتين، وتُسمّى القاعدة، أمّا الطبقتان المتشابهتان فتسميان الباعث والمُجمّع.<ref name="Web-92"/> يكون المجمّع هو أكبر الطبقات حجماً، وتكون القاعدة أصغرها، أمّا الباعث فيكون ذو مقاسات تقع بين الاثنين.<ref name = "Book-50">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Rekha Singh
|مؤلف2= B. P. Singh
|عنوان= Electronic Devices and Integrated Circuits
|صفحة= 173
|طبعة = الثالثة
|سنة=2006
|ناشر= Digital electronics
|ردمك= 9788177586381
|لغة= en
}}</ref> يكون تركيز الإشابة مرتفعاً في الباعث والمجمع وأكثر بعشرين ضعفاً على الأقل من القاعدة، ولكن هذا الرقم قد يبلغ المئات، مثلاً قد يكون تركيز الإشابة في مادة شبه المُوصِل، مُقدرّاً بواحدة شائبة في سم<sup>3</sup>، كما يلي: في الباعث <math>10^{19}</math> وفي المجمع <math>10^{17}</math> وفي القاعدة <math>10^{15}</math>.<ref name = "Book-51">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Jianjun Gao
|عنوان= Heterojunction Bipolar Transistors for Circuit Design: Microwave Modeling and Parameter Extraction
|صفحة= 70
|طبعة = الثالثة
|سنة=2015
|ناشر= John Wiley & Sons
|ردمك= 9781118921524
|لغة= en
}}</ref>

سواءَ كان الترانزستور من النوع PNP أو كان NPN فإنّه يتكوّن من وصلتي PN تشتركان إمّا بشبه موصل من النوع السالب أو بشبه موصل من النوع الموجب. لذلك، تُمثَّل الوصلة الثلاثيّة باستعمال [[ثنائي المساري|ثنائيي مساري]] يشتركان في أحد أقطابهما، فإذا كانت الوصلة هي NPN فهما يشتركان في المِصعد، وإن كانت الوصلة هي PNP فهما يشتركان في المِهبط.<ref name="Web-94"/> لتفعيل الترانزستور تُحيَّز الوصلتان وتخضعان عندها للقواعد الخاصة بانتقال حاملات الشحنات الأكثرية والأقلية.

==== تحييز الوصلة ====

تحييز الترانزستور هو تطبيق قيم للجهد الكهربائي المُستمر على دبابيسه بهدف ضبط كيفيّة عمله. يتكون الترانزستور ثنائي القطب من وصلتي سالب موجب، وتعني عملية التحييز تحديد قيمة الجهد المستمر الواجب تطبيقه على الباعث والقاعدة والمجمع من أجل تحييز هاتين الوصلتين. توجد حالات مختلفة لتحييز الوصلتين، فقد حُيِّزت وصلة الباعث والقاعدة أمامياً ووصلة القاعدة والمجمع عكسيّاً، والعكس بالعكس ممكن، فتحييز الوصلة الأولى عكسيّاً والثانية أماميّاً، وقد تحيز كلتا الوصلتان عكسيّاً معاً أو كلتاهما أماميّاً معاً، ويتحدد نمط عمل الترانزستور حسب ذلك توجد 4 أنماط متاحة:{{للهامش|5}}<ref name="Web-22">{{استشهاد بويب
| مؤلف = C.G. Sodini
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190404184020/http://web.mit.edu/6.012/www/SP07-L18.pdf
| تاريخ أرشيف =  4 أبريل 2019
| تاريخ = 2007
| مسار= http://web.mit.edu/6.012/www/SP07-L18.pdf
| عنوان= Microelectronic Devices and Circuits, Lecture 18: The Bipolar Junction Transistor (II) Regimes of Operation
| صفحة = 2
| موقع= MIT
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 15 يناير 2019}}</ref><ref name="Web-49">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Deborah L. Sharer
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190216082005/https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/C2.pdf
| تاريخ أرشيف = 16 فبراير 2017
| تاريخ= أبريل 2012
| مسار= https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/C2.pdf
| عنوان= Section C2: BJT Structure and Operational Modes
| موقع= UNC Charlotte
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 فبراير 2019}}</ref>

{| class="wikitable" style="float:left;"
|+ حالات تحييز وصلتي PN في الترانزستور ثنائي القطب حسب الجهود النسبية المطبقة على أقطابه<ref name="Web-88">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Charlie Curtsinger
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20171031191839/https://www.cs.grinnell.edu/~curtsinger/teaching/2017F/CSC211/extras/transistors.html
| تاريخ أرشيف = 31 أكتوبر 2017
| تاريخ = 2017
| مسار= https://curtsinger.cs.grinnell.edu/teaching/2017F/CSC211/extras/transistors.html
| عنوان= Transistors - Relating to the PNP
| موقع=  Grinnell College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 أبريل 2019}}</ref>
! rowspan=2 | نوع <br />الترانزستور
! rowspan=2 | الجهد <br /> المُطبّق
! colspan=2 | تحييز الوصلة
! rowspan=2 | نمط العمل
|-
! B-E
! B-C
|-
| rowspan=4 | إن بي إن
| E &lt; B &lt; C || أمامي || عكسي || فعالّ <br />(المنطقة الأماميّة)
|-
| E &lt; B &gt; C || أمامي || أمامي || إشباع
|-
| E &gt; B &lt; C || عكسي || عكسي || قطع
|-
| E &gt; B &gt; C || عكسي || أمامي || فعالّ <br />(المنطقة العكسيّة)
|-
| rowspan=4 | بي إن بي
| E &lt; B &lt; C || عكسي || أمامي || فعالّ <br />(المنطقة العكسيّة)
|-
| E &lt; B &gt; C || عكسي || عكسي || قطع
|-
| E &gt; B &lt; C || أمامي || أمامي || إشباع
|-
| E &gt; B &gt; C || أمامي || عكسي || فعالّ <br />(المنطقة الأماميّة)
|}
[[ملف:BJT commn emitter operation region-ar.svg|تصغير|300بك|مناطق العمل حسب جهود تحييز الوصلتين في ترانزستور ثنائي بنوعيه، NPN وPNP.]]
# وصلة القاعدة والباعث مُحيّزةٌ أَماميّاً والقاعدة والمُجمّع مُحيّزةٌ عكسيّاً، يكون الترانزستور في نمط العمل الأماميّ، ويعمل عندها مضخماً للتيار أو الجهد،<ref name="Web-131">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Suketu Naik
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190421133733/http://faculty.weber.edu/snaik/EE3110/01Chapter%206-1.pdf
| تاريخ أرشيف = 21 أبريل 2019
| مسار= http://faculty.weber.edu/snaik/EE3110/01Chapter%206-1.pdf
| عنوان= Chapter 6: Bipolar Junction Transistors (BJT)
| صفحة = 6-8
| موقع= Weber state university
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 أبريل 2019}}</ref> حسب طريقة إعداد الوصلة. في هذا النمط، يحقن الباعث حوامل الشحنة الأكثريّة إلى المُجمّع عبر القاعدة، وتتحدد نوعيّة حوامل الشحنة بنوعية الترانزستور، فهي الإلكترونات الحرّة من أجل NPN، والثغرات الإلكترونيّة من أجل PNP.
# وصلة الباعث والقاعدة مُحيّزة عكسيّاً والقاعدة والمجمع محيزة أماميّاً، يكون الترانزستور في نمط العمل العكسي، ويمكن أن يعمل الترانزستور عندها مضخماً للتيار أو للجهد حسب طريقة إعداد الوصلة. في هذه الحالة يقوم المُجمّع بحقن حوامل الشحنة الأكثريّة إلى الباعث عبر القاعدة.
# وصلتا الباعث والقاعدة مُحيّزتان أماميّاً، ويكون الترانزستور عندها في نمط الإشباع. في هذه الحالة يقوم الباعث بحقن حوامل الشحنة الأكثرية إلى المجمع عبر القاعدة، ويقوم المجمع بحق حوامل الشحنة الأكثريّة إلى الباعث عبر القاعدة، وتكون الوصلة الثلاثيّة مغمورة بحوامل الشحنات الأكثريّة.
# وصلتا الباعث والقاعدة محيزتان عكسيّاً، ويكون الترانزستور عندها في نمط القطع. يمكن أن يعمل الترانزستور مفتاحاً إلكترونيّاً عندما يُنقل نمط عمله بين القطع والإشباع.<ref name="Web-131"/> في هذه الحالة تستقبل القاعدة حوامل الشحنات الأقلية فقط من الباعث والمجمع معاً، ويمر تيار تسريب صغير جداً في القاعدة، من مرتبة <math>10^{-15}</math> أمبير.

يجب الانتباه إلى أن عملية تحييز الترانزستور PNP معاكسة بقطبية الجهود المستعملة لعملية تحييز الترانزستور NPN.<ref name="Web-132">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170314205415/https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_3.html
| تاريخ أرشيف = 14 مارس 2017
| مسار= https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_3.html
| عنوان= PNP Transistor
| موقع= AspenCore
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 أبريل 2019}}</ref>

<gallery>
NPN charge carrier movments-ar.svg|حركة حوامل الشحنات في وصلة NPN، في نمط العمل الفعّال الأمامي: وصلة الباعث والقاعدة محيّزة أماميّاً، والمجمع والقاعدة محيّزة عكسيّاً
PNP charge carrier movments-ar.svg|حركة حوامل الشحنات في وصلة PNP، في نمط العمل الفعّال العكسي: وصلة الباعث والقاعدة مُحيّزة أماميّاً، والمجمع والقاعدة محيّزة عكسيّاً
</gallery>

==== تيارات الوصلة ====
{|class="wikitable floatleft"
|-
|+ قوانين لحساب تيارات الدبابيس في الترانزستور بغض النظر عن إعداد الوصلة أو دارة التحييز
|-
! الترانزستور || {{وسط|إن بي إن  <br /><math>NPN</math><ref name="Book-5"/>}} !!{{وسط| بي إن بي <br /><math>PNP</math><ref name="Web-171">Microelectronic Circuit Design; P.226</ref>}}
|-
|تيار القاعدة <br />{{وسط|<math>I_B</math>}}||{{وسط|<math>\frac{I_{S}}{\beta_{F}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{BE}}{V_{TH}}}-1\Bigr] + \frac{I_{S}}{\beta_{R}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{BC}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}} {{refn|و<math>V_{TH}</math> هو الجهد الحراري، وتساوي قيمته 26 ميلي فولت في [[درجة حرارة الغرفة]]، وتحسب قيمته باستخدام العلاقة:<ref name="Web-17"/>
{{وسط|<math>V_{TH} = \frac {KT}{q}</math>}}
: وفيه <math>T</math> هي درجة الحرارة مقدرة بالكلفن، و<math>K</math> هو ثابت بولتزمان، و<math>q</math> هي شحنة الإلكترون مقدرة بالكولون.|name="SDE"|group=lower-alpha}}|| {{وسط|<math>\frac{I_{S}}{\beta_{F}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{EB}}{V_{TH}}}-1\Bigr] + \frac{I_{S}}{\beta_{R}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{CB}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}}
|-
|تيار المُجمّع <br />{{وسط|<math>I_C</math>}}|| {{وسط|<math>I_S.\Bigr[ e^{\frac{V_{BE}}{V_{TH}}} - e^{\frac{V_{BC}}{V_{TH}}} \Bigr] - \frac{I_{S}}{\beta_{R}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{BC}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}} || {{وسط|<math>I_S.\Bigr[ e^{\frac{V_{EB}}{V_{TH}}} - e^{\frac{V_{CB}}{V_{TH}}} \Bigr] - \frac{I_{S}}{\beta_{R}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{CB}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}}
|-
|تيار الباعث<br />{{وسط|<math>I_E</math>}}|| {{وسط|<math>I_S.\Bigr[ e^{\frac{V_{BE}}{V_{TH}}} - e^{\frac{V_{BC}}{V_{TH}}} \Bigr] + \frac{I_{S}}{\beta_{F}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{BE}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}} || {{وسط|<math>I_S.\Bigr[ e^{\frac{V_{EB}}{V_{TH}}} - e^{\frac{V_{CB}}{V_{TH}}} \Bigr] + \frac{I_{S}}{\beta_{F}}.\Bigr[ e^{\frac{V_{EB}}{V_{TH}}}-1\Bigr]</math>}}
|-
| colspan="3" | '''الملاحظات'''
{{مراجع|group=lower-alpha}}
|}

يمكن بتطبيق [[قانونا كيرشوف|قانون كيرشوف الأول]] على الترانزستور ثنائي القطب، في الترانزستور NPN، يدخل التيار من المجمع والقاعدة، ويخرج من الباعث، أما في الترانزستور PNP، فيدخل من الباعث ويخرج من القاعدة والمُجمّع، وفي كلا الحالتين، يكون تيار الباعث <math> I_{E}</math> مساوٍ لمجموع تياري المُجمع <math> I_{C}</math> والقاعدة <math> I_{B}</math>، ويُعبّر عن ذلك رياضياً بالشكل:<ref name="Web-134">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = David Cory
| مؤلف2 = Ian Hutchinson
| مؤلف3 = Manos Chaniotakis
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170830080643/https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-071j-introduction-to-electronics-signals-and-measurement-spring-2006/lecture-notes/19_bjt_1.pdf
| تاريخ أرشيف = 30 أغسطس 2017
| تاريخ = مارس 2006
| مسار= https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-071j-introduction-to-electronics-signals-and-measurement-spring-2006/lecture-notes/19_bjt_1.pdf
| عنوان= Transistors: Bipolar Junction Transistors (BJT)

| صفحة =3
| موقع= MIT
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 أبريل 2019}}</ref>

{{وسط|<math> I_{E} = I_{B} + I_{C} </math>}}

يضاف لذلكأيضاً تيار الإشباع <math>I_S</math> وهو ذو قيمة صغيرة ضمن المجال <math> 10^{-18} \le I_S \le 10^{-9}</math> أمبير، وهذه القيمة مستقلة عن الجهد الخارجي المطبق ومتعلقة بدرجة الحرارة وبأبعاد منطقة العبور.<ref name="Book-6"/>

===== العامل ألفا =====

يُعرّف العامل ألفا الأمامي<math>\alpha_F</math> بأنّه النسبة بين تيار المجمع وتيار الباعث من أجل عمل الترانزستور في المنطقة الفعّالة الأماميّة، ويسمى أيضاً ربح التيار في وصلة القاعدة المشتركة، ويُوصف رياضياً عند استعمال القيم المستمرّة بالعلاقة:<ref name = "Book-6">Microelectronic Circuit Design; P.221</ref>

{{وسط|<math>\alpha_F = \frac{ I_{C}}{I_{E}}</math>}}

أما عند العمل استعمال القيم المتناوبة، فإنّ قيمة العامل بيتا تتعلق بحركة نقطة العمل، وتُحسب عندها من أجل قيمة ثابتة لجهد المُجمّع والقاعدة، وتحدد قيمتان لتياري المجمع والباعث من أجل مجموعتين من قيم التحييز المختلفة، ثُمّ يحسب فرق القيمتين من أجل كل تيار، أيّ<math>\Delta I = I_2 - I_1</math>، ويُعبّر رياضياً عن قيمة العامل ألفا كنسبة بين الفرقين بالشكل التالي:<ref name="Web-137">Electronic Devices and Circuit Theory, P118</ref>
{{وسط|<math>\alpha_F =  \left. \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{E}} \right\vert_{V_{CB} = constant} </math>}}

تكون قيمة العامل ألفا أصغر من الواحد دائماً، وتتراوح عادة 0.95 و 0.998.<ref name="Book-6"/>

===== العامل بيتا =====

عند عمل الترانزستور في النمط الفعّال الأمامي، يُستخدم العامل بيتا الأمامي <math>\beta_{F}</math> لوصف العلاقة بين التيارات، ويشار إليه أحياناً بالعامل بيتا فقط، ويُسمّى أيضاً في بعض المراجع ربح التيار الأمامي في وصلة الباعث المشترك، أو العامل <math>h_{FE}</math>،<ref name = "Book-52">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Michael H. Tooley
|عنوان= Electronic Circuits: Fundamentals and Applications
|مسار= https://archive.org/details/electroniccircui0000tool_d8g8
|صفحة= [https://archive.org/details/electroniccircui0000tool_d8g8/page/98 98]-99
|طبعة = الثالثة
|سنة= 2006
|ناشر= Routledge
|ردمك= 0750669233
|لغة= en
}}</ref> ويُسمّى أيضاً عامل التضخيم. وهو النسبة بين تيار المُجمع وتيار القاعدة، ولا واحدة له، يُوصف هذا العامل رياضيّاً عند التحييز ترانزستور بالجهد المستمر بالعلاقة:<ref name="Web-135">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = W. Marshall Leach, Jr
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190421212403/http://leachlegacy.ece.gatech.edu/ece3050/notes/bjt/BJTBasicsAdv.pdf
| تاريخ أرشيف = 21 أبريل 2019
| تاريخ = 2010
| مسار= http://leachlegacy.ece.gatech.edu/ece3050/notes/bjt/BJTBasicsAdv.pdf
| عنوان= The BJT
| صفحة =1
| موقع= Georgia Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 أبريل 2019}}</ref>

{{وسط|<math>\beta_{F} = \frac{ I_{C}}{I_{B}}</math>}}

أمّا عند استعمال القيم المُتناوبة، فإنّ قيمته تتعلق بحركة نقطة العمل، وتُحسب عندها من أجل قيمة ثابتة لجهد المُجمّع والباعث، ويُسمّى أيضاً العامل <math>h_{fe}</math>،<ref name="Book-52"/> ويُعبّر رياضيّاً عن هذه العلاقة بالشكل الثالي:<ref name="Web-136">Electronic Devices and Circuit Theory, P.123</ref>
{{وسط|<math>\beta_{F} =  \left. \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}} \right\vert_{V_{CE} = constant} </math>}}

أمّا عند العمل بالنمط الفعال العكسي، فيُعرّف العامل بيتا العكسي <math>\beta_{R}</math> وهو النسبة بين تيار الباعث وتيار القاعدة، يُوصف هذا العامل رياضيّاً عند العمل بنمط التيار المستمر بالعلاقة:<ref name="Book-5"/>

{{وسط|<math>\beta_{R} = \frac{ I_{E}}{I_{B}}</math>}}

تكون قيمة العامل بيتا الأماميّ مُرتفعة مُقارنةً بالعامل ألفا الأمامي، وتعبّر عن نسبة تضخيم التيار، وتتراوح عادة بين 10 و 500.<ref name = "Book-5">Microelectronic Circuit Design; P.223</ref> أمّا قيمة العامل بيتا العكسيّ فتكون صغيرةً مقارنة بعامل بيتا الأماميّ، وتتراوح بين 0.1 و 5.<ref name="Web-20">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Prof. C.G. Sodini
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190112182846/http://web.mit.edu/6.012/www/SP07-L18.pdf
| تاريخ أرشيف = 12 يناير 2019
| تاريخ = March 2007
| مسار= http://web.mit.edu/6.012/www/SP07-L18.pdf
| عنوان= Chapter 8: Bipolar Transistor
| صفحة = 6
| موقع= Lecture 18: The Bipolar Junction Transistor (II)
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 12 يناير 2019}}</ref>

كما يمكن أن يُستخدم العامل بيتا الأمامي لوصف العلاقة بين تيار الباعث وتيار القاعدة وفق العلاقة التالية:<ref name="Web-170">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Neil Goldsman
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180121125504/http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/dope.html
| تاريخ أرشيف = 18 أبريل 2019
| تاريخ = مارس 2019
| مسار= https://user.eng.umd.edu/~neil/enee313/BJTnotes_05_6_10.pdf
| عنوان= Bipolar Junction Transistor Concepts - Forward Active NPN BJT Operatio
| صفحة = 1
| موقع= University of Maryland
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 أبريل 2019}}</ref>

{{وسط|<math>I_{E} = (1+\beta).I_{B}</math>}}

أخيراً، يُعرّف العامل ألفا العكسي <math>\alpha_{R}</math> من خلال العلاقة التالية التي تربطه مع العامل بيتا العكسي:<ref name="Web-172">{{استشهاد بويب
| مؤلف =  Ming C. Wu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190423185511/https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa14/lectures/Lecture10-BJT%20Physics.pdf
| تاريخ أرشيف = 23 أبريل 2019
| تاريخ = سبتمبر 2014
| مسار= https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa14/lectures/Lecture10-BJT%20Physics.pdf
| عنوان= Microelectronic Devices and Circuits
| صفحة = 3
| موقع= University of California Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 23 أبريل 2019}}</ref>

{{وسط|<math>\alpha_{R} = \frac{ \beta_{R}}{1-\beta_{R}}</math>}}

وهذه العلاقة صحيحة أيضاً من عندما يكون العاملان أماميّان معاً.<ref name="Book-6"/>

===== تيارا التسريب العكسيان =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = ICB0 leakage transistor-ar.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = دارة قياس التيار <math>I_{CBO}</math>
 | image2 = ICE0 leakage transistor-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  دارة قياس التيار <math>I_{CEO}</math>
 | footer = دارات قياس تياري التسريب العكسيين في وصلة NPN.
}}
{{وإو|تيار التسريب|Reverse leakage current|en|تيار التسريب العكسي}} هو [[تيار كهربائي]] ناجم عن حركة الشحنات الأقليّة عند التحييز العكسيّ لوصلة شبه موصل. ويُوصف هذا التيار بأنّه عكسيّ لأن أثره يصبح واضحاً عند التحييز العكسيّ للوصلة، وترتبط قيمته بحوامل الشحنة المتولدة في منطقة العبور، لا بالجهد الكهربائي المُطبق على الوصلة.<ref name = "Book-32">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Pavan Yadav
|مؤلف2= Ashish Dixit
|مؤلف3= Rakesh Kumar Garg
|عنوان= Basic Electronics
|صفحة= 43
|ردمك=9788131803028
|سنة= 2008
|ناشر= Firewall Media
|لغة= en
}}</ref>

في ترانزستور ثنائي القطب من النوع NPN، يمرّ تيارا تسريب عكسيّان الأوّل بين المُجمّع والقاعدة والثاني بين المُجمّع والباعِث، ويُمكن قياسهما من خلال تطبيق جهد كهربائي مناسب على الدبوسين المعنيين، وترك الدبوس الثالث بدون تطبيق أي جهد، أي ترك دارته مفتوحة. وهذان التياران هما:<ref name = "Book-57">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=U.A.Bakshi
|مؤلف2= A.V.Bakshi
|عنوان= Electronic Measurement Systems
|صفحة= 9-3
|سنة=2009
|ناشر= Technical Publications
|ردمك= 9788184316032
|لغة= en
}}</ref>

# تيار التسريب العكسي بين المجمع والقاعدة مع باعث مفتوح <math>I_{CBO}</math>.
# تيار التسريب العكسي بين المجمع والباعث مع قاعدة مفتوحة <math>I_{CEO}</math>.

يلعب كل من التيارين دوراً رئيسياً في تحديد الحدود التي تفصل بين منطقة القطع ومنطقة العمل الفعال في ميزة خرج الترانزستور.<ref name = "Book-58">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Simon M. Sze
|مؤلف2= Kwok K. Ng
|عنوان= Physics of Semiconductor Devices
|صفحة= 256
|سنة=2006
|ناشر= John Wiley & Sons
|ردمك=  0471143235
|لغة= en
}}</ref> تكون قيمة تيار التسريب العكسي بين المجمع والقاعدة مع باعث مفتوح <math>I_{CBO}</math> صغيرة من رتبة [[نانو (توضيح)|النانو]] [[أمبير]]،<ref name = "Book-60">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=Saeid Ghassemi
|عنوان= Development of a 24GHz fully integrated VCO
|صفحة=23
|سنة=2008
|ناشر= diplom.de
|ردمك= 9783836620444
|لغة= en
}}</ref> وتتبع [[درجة حرارة|درجة الحرارة]].<ref name = "Book-59">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=Adel S Sedra
|مؤلف2= Kenneth C Smith
|عنوان= Circuits microélectroniques
|صفحة= 238
|سنة=2016
|ناشر= De Boeck Superieur
|ردمك= 9782804177775
|لغة= fr
}}</ref>

يرتبط تيارا التسريب العكسيان مع بعضهما البعض بالعلاقة الرياضية:<ref name="Web-23">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190115221432/https://pdfs.semanticscholar.org/743f/998272ea5d4182582f513fca7fa9cb7139ca.pdf?fbclid=IwAR0iXCJ0AB-sCmnUyhaKb0870Jq9Pu5WdIRtH3wEqAwdjnxG619FRXLi8BY
| تاريخ أرشيف =  15 يناير 2019
| مسار= https://www.semanticscholar.org/paper/Bipolar-Junction-Transistor-2.0-History-Bardeen-Shockley/743f998272ea5d4182582f513fca7fa9cb7139ca?p2df
| عنوان= Chapter 2 Bipolar Junction Transistor
| صفحة = 44
| موقع= semanticscholar
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 15 يناير 2019}}</ref>

{{وسط|<math>I_{CEO} = I_{CBO} (\beta + 1)</math>}}

==== إعداد الوصلة ====

{| class="wikitable" style="float:left; margin-left:1em;"
|+ خصائص الوصلات المختلفة للترانزستور ثنائي القطب<ref name="Web-31">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180418094903/http://www.rfwireless-world.com/Terminology/CB-vs-CE-vs-CC-transistor-configurations.html
| تاريخ أرشيف = 18 أبريل 2018
| مسار= http://www.rfwireless-world.com/Terminology/CB-vs-CE-vs-CC-transistor-configurations.html
| عنوان= difference between CB,CE,CC transistor configurations
| موقع= RF Wireless World
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 فبراير 2019}}</ref>
! الخاصية !! القاعدة المشتركة !! الباعث المشترك !! المجمع المشترك
|-
| ربح الجهد || {{وسط|مرتفع}} || {{وسط|مرتفع}} || {{وسط|أقل من الواحد}}
|-
| ربح التيار || {{وسط|أقل من الواحد}} || {{وسط|مرتفع}} || {{وسط|مرتفع}}
|-
| ربح الاستطاعة || {{وسط|معتدل}} || {{وسط|مرتفع}} || {{وسط|مرتفع}}
|-
| انعكاس في الطور || {{وسط|لا}} || {{وسط|نعم}} || {{وسط|لا}}
|-
| معاوقة الدخل || {{وسط|منخفضة}} || {{وسط|معتدلة}} || {{وسط|مرتفعة}}
|-
| معاوقة الخرج || {{وسط|مرتفعة}} || {{وسط|معتدلة}} || {{وسط|منخفضة}}
|}

الترانزستور ثنائي القطب هو [[مكون إلكتروني|عنصر إلكتروني]] ثُلاثي النهايات، دبابيسه هي القاعدة والباعث والمجمع. توجد دارتان منفصلتان في التطبيق العملي هما دارتا الدخل والخرج، أي توجد حاجة لأربعة أقطاب، يُستخدم اثنان منهما في دارة الدخل واثنان في دارة الخرج.<ref name="Book-56">The Electronics Handbook, P.474</ref> ولكنّ وبما أن هذا الترانزسستور له ثلاثة دبابيس فقط، فلا بد أن تشترك دارتا الدخل والخرج بأحد الأقطاب.<ref name="Web-30">{{استشهاد بويب
| مؤلف =  Tarun Agarwal
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20150727020652/https://www.elprocus.com/types-of-transistor-configuration/
| تاريخ أرشيف = 27 يوليو 2015
| مسار= https://www.elprocus.com/types-of-transistor-configuration/
| عنوان= Different Types of Transistor Configuration
| موقع= Elprocus
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 فبراير 2019}}</ref> تُصنَّف وصلات الترانزستور بناءً على النهاية المشترك بين الدارتين، وبناء على ذلك، تُصنّف وصلات التغذية المُستعملة لتحييز الترانزستور إلى ثلاث مجموعات:<ref name="Web-173">{{استشهاد بويب
| مؤلف = R. VICTOR JONES
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180722004502/https://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.html
| تاريخ أرشيف = 22 يوليو 2018
| تاريخ = 2001
| مسار= https://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.html
| عنوان= Basic BJT Amplifier Configurations
| موقع= Harvard College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 23 أبريل 2019|url-status=dead}}</ref>
* وصلة القاعدة المشتركة، وتكون القاعدة هي النقطة ذات الجهد المرجعي بين دارتي الدخل والخرج.
* وصلة الباعث المشترك، ويكون الباعث هي النقطة ذات الجهد المرجعي بين دارتي الدخل الخرج.
* وصلة المُجمّع المشترك، ويكون المُجمّع هي النقطة ذات الجهد المرجعي بين دارتي الدخل والخرج.

يكون لكل وصلة خواص مميزة، تشمل [[كسب كهربائي|الأرباح]]، أي ربح الجهد والتيار والاستطاعة، وهي نسب بين القيم المدروسة في دارتي الدخل والخرج، و[[معاوقة|معاوقتي]] الدخل والخرج، وهي المعاوقة الكهربائية للدارة منظورّة من دارتي الدخل والخرج، بالإضافة ميّزة عكس [[طور موجة|طور الإشارة]]، أي حدوث فرق في طور الإشارة المدروسة بقيمة 180 درجة بين دارتي الدخل والخرج.<ref name="Web-31"/>

===== القاعدة المشتركة =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN common-base configuration.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = ترانزستور NPN
 | image2 = PNP common base configuration.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  ترانزستور PNP
 | footer ={{وسط|إعدادات وصلة القاعدة المشتركة في ترانزستور ثنائي القطب: القاعدة مشتركة بين دارتي الدخل والخرج.}}
}}

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Input characteristic common-base silicon transistor-en.svg
 | width1 = 130
 | alt1 =
 | caption1 = مميزة الدخل
 | image2 = Output characteristic common-base silicon transistor-ar.svg
 | width2 = 170
 | alt2 =
 | caption2  =  مميزة الخرج
 | footer = مميزتا الدخل والخرج لترانزستور ثنائي قطب NPN سيلكوني في وصلة القاعدة المشتركة.
}}

في وصلة {{وإو|القاعدة المشتركة|Common base|en|القاعدة المُشتركة}} تكون القاعدة هي النقطة ذات الجهد المرجعي بين دارتي الدخل والخرج، وتشمل دارة الدخل وصلة الباعث والقاعدة والتي تُحيَّز أماميّاً. أمّا الوصلة الأخرى، والتي تشمل القاعدة والمُجمّع، فتُحيّز عكسيّاً، وتسمى دارة الخرج.<ref name = "Book-61">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= A.P.Godse
|مؤلف2= U.A.Bakshi
|عنوان= Basic Electronics
|مسار= https://archive.org/details/analogelectronic00uaba
|صفحة=[https://archive.org/details/analogelectronic00uaba/page/n8 17]-6
|سنة=2009
|ناشر=  Technical Publications
|ردمك= 9788184317077
|لغة= en
}}</ref>

تُدرس هذه الوصلة بواسطة مجموعتين منفصلتين من المنحنيات، تضمّ المجموعة الأولى دارة الدخل، ويجري فيها التركيز محددات الدخل، وتحديداً العلاقة بين تيار الباعث <math>I_{E}</math>، الذي يُمثّل تيار الدخل، وفرق الجهد بين القاعدة والباعث <math>V_{BE}</math>، من أجل قيم مختلفة للجهد بين الباعث والمجمع <math>V_{CE}</math> وتسمى المنحنيات الناتجة مميّزة الدخل للترانزستور. أمّا في دارة الخرج، فتدرس العلاقة بين تيار المجمع <math>I_{C}</math>، الذي يُمثّل تيار الخرج، وفرق الجهد بين القاعدة والمجمع <math>V_{CB}</math> من أجل قيم مختلفة لتيار الباعث <math>I_{E}</math>.<ref name="Book-71">Electronic Devices and Circuit , P.115-116</ref>

في ترانزستور NPN، تبدي منحنيات ميزة الدخل سلوكاً مُركّباً، فطالما كانت قيمة جهد الدخل أقل من القيمة اللازمة للتغلب على جهد العبور في وصلة PN المُحيّزة أماميّاً، فإنّ قيمة تيار الخرج تكون صفريّة. أمّا عندما تكون قيمة جهد الدخل أكبر من قيمة عتبة العبور، فإنّ المنحي يسلك سلوكاً أسيّاً، وكلما كانت قيمة الجهد المُطبق لتحييز دارة الخرج عكسيّاً أكبر، كان انحدار منحني ميزة الدخل في القسم الأسيّ أكبر. أمّا مُميّزة الخرج. يجري تقسيم فضاء مميزة الخرج إلى ثلاث مناطق متمايزة وهذه المناطق هي:<ref name = "Book-70">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Afzal Khan
|عنوان= Introduction to Electrical , Electronics and Communication Engineering
|صفحة=201
|سنة=2005
|ناشر=  Firewall Media
|ردمك=8170086396
|لغة= en
}}</ref>
# '''منطقة القطع:''' وهي تظهر في المنطقة تحت الخط البياني الذي يمثل تيار دخلٍ صفري، أي <math>I_{E} = 0</math>، ويكون تيار الخرج في هذه الحالة مساوياً لتيار التسريب العكسي <math>I_{CBO}</math>، لأنّ:<ref name = "Book-72">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= SANGEETA. CHAUDHARY
|عنوان= Principles of Electronics
|صفحة=180
|سنة=2014
|ناشر=  Laxmi Publications,
|ردمك=9789381159323
|لغة= en
}}</ref> {{وسط|<math>I_{C} = \alpha.I_{E} + I_{CBO}</math>}} ويكون الترانزستور في هذه المنطقة إذا اختيرت قيم الجهود لتحقق تحييزاً عكسيّاً للوصلتين.<ref name="Book-69">Basic Electronics, P.187</ref>
# '''المنطقة الفعالة:''' وتشغل هذه المنطقة معظم مساحة مميزة الخرج، وهي في الربع الأول من جملة الإحداثيات الديكارتية حيث تكون قيم المحورين الأفقي والشاقولي موجبةً، وفيها ومع زيادة قيمة تيار الباعث فوق الصفر، فإنّ تيار المُجمّع يزداد إلى قيمة مُقاربة له. أي يبدي تيار المُجمّع سلوكاً خطياً ذو [[ميل المستقيم|ميل]] صفري تقريباً طالما كانت وصلة المجمع والقاعدة محيزّة عكسياً، أي طالما كانت قيمة <math>V_{CB}</math> أكبر من الصفر. لا تتعلق قيمة تيار المُجمّع بفرق الجهد بين المجمع والباعث.<ref name="Book-69"/>
# '''منطقة الإشباع:''' وتظهر هذه المنطقة في القسم المُوافِق لجهد خرج أصغر من الصفر، أي <math>V_{CB} < 0</math> وفيها تتغير قيمة تيار الخرج كثيرًا مع تغيير جهد الخرج. يكون الترانزستور في هذه المنطقة إذا اختيرت قيم الجهود لتحقق تحييزاً أماميّا للوصلتين.

أمّا في ترانزستور PNP، فتربط مميزة الدخل بين الجهد بين الباعث والقاعدة <math>V_{EB}</math>، وبين تيار الباعث <math>I_{E}</math> من أجل قيم مختلفة سالبة للجهد بين المُجمّع والقاعدة <math>V_{CB}</math>، وتكون مميزة الدخل مشابهة في الترانزستور من النوع PNP مشابهة في شكلها لميزة الدخل في النوع NPN. في حين تُرسم مميزة الخرج في الربع الثالث من جملة الإحداثيات الديكارتية حيث تكون المحاور سالبة القيم، ويُمثّل المحور الأفقي فرق الجهد بين القاعدة والمجمع <math>V_{CB}</math>، والمحور الشاقولي تيار المُجمّع <math>I_{C}</math>، وذلك من أجل قيم مُختلفة لتيار الباعث <math>I_{E}</math>، وتُقسم مميزة الخرج إلى مناطق القطع والعمل والإشباع بشكل مشابه للترانزستور NPN.<ref name = "Book-66">Electronics (fundamentals And Applications) ; P.125</ref>

قيمة مقاومة الدخل في هذا الإعداد صغيرة، ونتيجة لذلك، يظهر تيار الدخل <math>I_{E}</math> مع تطبيق جهود صغيرة على دارة الدخل.<ref name="Book-69"/> لذلك، تستخدم هذه الوصلة مضخماً للجهد، والسبب في ذلك أن تيار الدخل فيها مساوٍ تقريباً إلى تيار الخرج، ولكن قيمة المقاومة منظورة من دارة الدخل أقل بصورة ملحوظة من المقاومة منظورة من دارة الخرج، وذلك بسبب التحييز العكسي والأمامي للوصلتين، ويسبب هذا تضخيماً للجهد بين دارتي الدخل والخرج.

===== الباعث المشترك =====
{{مفصلة|الباعث المشترك}}
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN common emitter configuration.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = ترانزستور NPN
 | image2 = PNP common emitter configuration.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  ترانزستور PNP
 | footer = {{وسط|إعدادات وصلة الباعث المشترك في ترانزستور ثنائي القطب.}}
}}

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Input characteristic common-emitter silicon transistor-en.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = مميزة الدخل
 | image2 = Output characteristic common-emitter silicon transistor-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  مميزة الخرج
 | footer = مميزتا الدخل والخرج لترانزستور ثنائي قطب NPN سيلكوني في وصلة الباعث المشترك.
}}

يكون الباعث هو النقطة ذات الجهد المرجعي لدارتي الدخل والخرج في هذا الإعداد، وتشمل الدارة الأولى القاعدة والباعث أمّا الدارة الثانية، فتضمّ المجمع والباعث، ويجب توصيل جهود التغذية توصيلاً متوافقاً مع نوع الترانزستور لتحقيق التحييز المناسب لوصلتي الترانزستور.<ref name="Book-62">Basic Electronics, P.6-21</ref>

تُدرس هذه الوصلة بواسطة مجموعتين منفصلتين من المنحنيات، تشمل المجموعة الأولى مُحددات دارة الدخل، وتحديداً العلاقة بين تيار القاعدة <math>I_{B}</math>، وهو تيار الدخل، وفرق الجهد بين القاعدة والباعث <math>V_{BE}</math>، من أجل قيم مختلفة للجهد بين المجمع والباعث <math>V_{CE}</math> وتُسمّى المنحنيات الناتجة مميّزة الدخل للترانزستور. أمّا في دارة الخرج، فتدرس العلاقة بين تيار المجمع <math>I_{C}</math>، وهو تيار الخرج وفرق الجهد بين المجمع والباعث <math>V_{CE}</math> وذلك من أجل قيم مختلفة لتيار القاعدة <math>I_{B}</math>. وتُسمّى المُنحنيات الناتجة مُميّزة الخرج.<ref name="Book-73">Electronic Devices and Circuit , P.121</ref>

في ترانزستور NPN تبدي منحنيات ميزة الدخل سلوكاً مركّباً، فطالما كانت قيمة جهد الدخل أقل من القيمة اللازمة للتغلب على جهد العبور في وصلة PN المُحيّزة أماميّاً، فإنّ قيمة تيار الخرج تكون صفريّة. أمّا عندما تكون قيمة جهد الدخل أكبر من قيمة عتبة العبور، فإنّ المنحي يسلك سلوكاً أسيّاً، وكلما كانت قيمة فرق الجهد بين الباعث والمجمع أكبر، كان انحدار منحني ميزة الدخل في القسم الأسيّ أقل.
يجري تقسيم فضاء مميزة الخرج إلى ثلاث مناطق متمايزة حسب تحييز دارتي الدخل والخرج، وهذه المناطق هي:<ref name = "Book-76">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= U.A.Bakshi
|مؤلف2= V.U.Bakshi
|عنوان= Electrical And Electronics Engineering
|مسار= https://archive.org/details/analogelectronic00uaba
|صفحة=[https://archive.org/details/analogelectronic00uaba/page/n6 8]-16
|سنة=2009
|ناشر= Technical Publications
|ردمك=9788184316971
|لغة= en
}}</ref>

# '''منطقة القطع:''' وهي تقع تحت الخط البياني الذي يمثل تيار دخلٍ صفري، أي <math>I_{B}=0</math>، وتكون قيمة تيار الخرج صغيرة جداً ومرتبطة بتيار التسريب العكسيّ، لأن:<ref name = "Book-74">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Arora C.L. & Hemne P.S.
|مؤلف2= Hemne P.S.
|عنوان= Physics for Degree Students for B.Sc. 3rd Year
|صفحة=865
|سنة=2014
|ناشر= S. Chand Publishing
|ردمك=9788121942874
|لغة= en
}}</ref>{{وسط|<math>I_C=\beta.I_B+(\beta+1).I_{CBO}</math>}} ويكون الترانزستور في هذه المنطقة عندما تكون وصلتاه محيزتين بشكل عكسيّ.
# '''المنطقة الفعّالة''': وتشمل الجزء الأكبر من مميزة الخرج، وتكون في الربع الأول من جملة الإحداثيات الديكارتية، وتبدأ مع زيادة قيمة تيار الدخل، أي تيار القاعدة، فوق الصفر، ويبدأ حينها تيار المُجمّع بالزيادة بشكلٍ طردي. يجب الانتباه إلى أن العلاقة بين تيار المجمع وجهد المجمع والباعث ليست خطيّة في المنطقة الفعّالة كلها، لكنّها تنزع لأن تكون كذلك في جزء مُحدد منها فقط.
# '''منطقة الإشباع''': وتتحدد هذه المنقطة في الجزء الذي يكون فيه جهد الخرج أصغر من الصفر، وتيار الدخل أكبر من الصفر <math>I_{B}<0</math> ويكون الترانزستور في هذه المنطقة عندما تكون وصلتاه محيزتين بشكل أمام.

أمّا في ترانزستور PNP، ترسم ميزة الدخل في الربع الثالث من جملة الإحداثيات الديكارتية حيث تكون المحاور سالبة القيم، ويرتبط فرق الجهد بين القاعدة والباعث <math>V_{BE}</math> مع تيار القاعدة <math>I_{B}</math> وذلك من أجل قيم سالبة لفرق الجهد بين المجمع والباعث <math>V_{CE}</math>. وكذا الأمر لميزة الخرج التي ترسم في الربع الثالث حيث يُمثّل المحور الأفقي فرق الجهد بين المجمع والباعث <math>V_{CE}</math>، والشاقولي تيار المُجمّع <math>I_{C}</math>. وذلك من أجل قيم سالبة لتيار القاعدة <math>I_{B}</math> وتُقسم مميزة الخرج إلى مناطق القطع والفعالة والإشباع بشكل مشابه للترانزستور NPN.<ref name="Book-67">Electronics (fundamentals And Applications), P.126</ref>

إن إعداد وصلة الباعث المشترك هو الإعداد الأكثر استعمالاً في ترانزستور ثنائي القطب، ويرجع ذلك لسببين: الأول هو أنه الإعداد الوحيد الذي يحقق ربحاً للجهد والتيار معاً، والثاني هو أن نسبة مقاومة الخرج إلى الدخل صغيرة وتتراوح بين 10 و100 [[أوم]] فقط.<ref name="Book-68">Basic Electronics, P.6-29</ref> تُستخدم هذه الوصلة لجعل الترانزستور يعمل مفتاحاً إلكترونياً يمكن التحكم بمرور التيار في دارة خرجه بضبط جهد التغذية في دارة دخله.<ref name="Web-33"/> كما تستعمل أيضاً في عمليات تضخيم الإشارات المتناوبة،<ref name = "Book-83">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Babu V Suresh
|عنوان= Solid State Devices and Technology
|صفحة=323-324
|سنة= 2010
|ناشر= Pearson Education India
|ردمك=9788131732366
|لغة= en
}}</ref> وللاستفادة من ذلك، يُوضع الترانزستور في القسم الخطي من المنطقة الفعالة.

===== المجمع المشترك =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN common-collector configuration.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = ترانزستور NPN
 | image2 = PNP common-collector configuration.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  ترانزستور PNP
 | footer = {{وسط|إعدادات وصلة المجمع المشترك في ترانزستور ثنائي القطب. }}
}}

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Input characteristic common-collector silicon transistor.svg
 | width1 = 120
 | alt1 =
 | caption1 = مميزة الدخل
 | image2 = Output characteristic common-collector silicon transistor-ar.svg
 | width2 = 180
 | alt2 =
 | caption2  =  مميزة الخرج
 | footer = مميزتا الدخل والخرج لترانزستور سيلكوني ثنائي قطب NPN في وصلة المُجمّع المُشترك.
}}

يكون المجمع هو النقطة ذات الجهد المرحعي لدارتي الدخل والخرج في وصلة {{وإو|المُجمّع المُشترك|Common collector|en|المُجمّع المُشترك}}، وفيها تضم الدارة الأولى القاعدة والمجمع، أمّا الثانية، فتصل بين المجمع والباعث.<ref name="Book-63">Basic Electronics, P.6-26</ref> تُسمّى هذه الوصلة أيضاً التابع الباعثي<ref name="عر">{{استشهاد مختصر|1=شابسيغ|2=2016|ص=31}}</ref> {{إنج|Emitter follower}}.<ref name = "Book-84">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Michael Reisch
|عنوان= High-Frequency Bipolar Transistors
|صفحة= 471
|سنة= 2012
|ناشر= Springer Science & Business
|ردمك=9783642632051
|لغة= en
}}</ref>

تُدرس هذه الوصلة بواسطة مجموعتين مُنفصلتين من الخطوط البيانيّة، تشمل الأولى مُحددات دارة الدخل، وتحديداً العلاقة بين تيار القاعدة <math>I_{B}</math>، الذي يُسمّى أيضاً تيارَ الدخل، وفرق الجهد بين المجمع والقاعدة <math>V_{CB}</math>، وذلك من أجل قيم مُختلفة للجهد بين الباعث والمجمع <math>V_{CE}</math> أمّا في دارة الخرج، فتدرس العلاقة بين تيار الباعث <math>I_{E}</math>، ويسمى أيضاً تيار الخرج، وفرق الجهد بين المُجمّع والباعث <math>V_{CE}</math> وذلك من أجل قيم مختلفة لتيار القاعدة <math>I_{B}</math>.<ref name = "Book-85">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Albert Malvino
|مؤلف2= David Bates
|عنوان=Basic Electr-Msbte
|صفحة= 132
|سنة= 2007
|ناشر= Tata McGraw-Hill Education
|ردمك=0070667195
|لغة= en
}}</ref>

في ترانزستور NPN، تختلف ميزة الدخل في وصلة المُجمّع المشترك عن ميزة الدخل في وصلتي القاعدة المشتركة والباعث المشترك، فهي لا تبدي أي خاصية أسيّة، فمن أجل كل قيمة لفرق الجهد بين الباعث القاعدة، تكون العلاقة بين جهد المجمع والقاعدة وتيار القاعدة خطية وذات ميل موجب، أي مع زيادة قيمة فرق الجهد بين المجمع والقاعدة تزداد قيمة تيار القاعدة بشكل خطي.<ref name="Book-64">Basic Electronics, P.6-27</ref> باستثناء كون تيار الخرج <math>I_{E}</math> بدلاً من <math>I_{C}</math>، فإنّ المعلومات المستخلصة من ميزة الخرج في إعداد المجمع المشترك مُشابهة لنظيرتها في إعداد الباعث المشترك.<ref name = "Book-80">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= U.A.Bakshi
|مؤلف2= A.P.Godse
|عنوان= Basic Electronics Engineering
|مسار= https://archive.org/details/basicelectricale00uaba
|صفحة=[https://archive.org/details/basicelectricale00uaba/page/n21 26]-2
|سنة=2009
|ناشر= Technical Publications
|ردمك=9788184315806
|لغة= en
}}</ref> وذلك سواء في العلاقة بين تياري الدخل والخرج أو في تقسيم المميزة إلى مناطق القطع والفعالة والإشباع.

يُستخدم هذا الإعداد لأغراض مُطابقة [[معاوقة|المعاوقة الكهربائية]]، لامتلاك دارة الدخل قيمة معاوقة مرتفعة جداً، في حين تمتلك دارة الخرج قيمة معاوقة مُنخفضة، لذلك فإن باستطاعة الترانزستور في هذا الإعداد أن يلعب دور ربط بيني لمنبع ذي معاوقة خرج مرتفعة وحمل ذي معاوقة دخل مُنخفضة.<ref name = "Book-79">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= C M Kachhava
|عنوان= Solid State Physics, Solid State Device And Electronics
|صفحة=10.17
|سنة=2003
|ناشر= New Age International
|ردمك=8122415008
|لغة= en
}}</ref><ref name = "Book-81">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Salivahanan
|عنوان= Electronic Devices and Circuits
|مسار= https://archive.org/details/electronicdevice0000sali
|صفحة=[https://archive.org/details/electronicdevice0000sali/page/260 260]
|سنة=2008
|ناشر= Tata McGraw-Hill Education
|ردمك=0070660492
|لغة= en
}}</ref>

== تحييز الترانزستور ==

تحييز الترانزستور {{إنج|Transistor Biasing}} هو تطبيق [[جهد كهربائي|جهود]] كهربائية مستمرة وخارجية وبقطبية محددة على وصلتي الترانزستور بغرض تشغيله في منطقة محددة، تظراً لإن الجهود المُطبقة مستمرّة، فإنّ العملية تُسمّى أيضاً بالتحييز المستمر {{إنج|DC Biasing}}.<ref name="Web-200">Semiconductor Devices & Circuits; P.247</ref> إن الهدف الأساسي من عملية التحييز الحصول على قيمة محددة لتيار الخرج من أجل قيمة محددة لجهد الخرج، وتُمثل هاتان القيمتان بنقطة ديكارتية على ميزة الخرج تُسمّى نقطة العمل أو النقطة الساكنة.<ref name = "Book-90">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 =  N. N. Bhargava
|مؤلف2 =  S. C. Gupta D. C. Kulshreshtha
|عنوان= Basic Electronics and Linear Circuits
|صفحة=222
|سنة=1983
|ناشر= Tata McGraw-Hill Education
|ردمك= 0074519654
|لغة= en
}}</ref>

يجري تحليل دارة التحييز من خلال دراسة منفصلة لدارتي الدخل والخرج وكتابة المعادلات الرياضية المُعبرة عن كل منهما، وهي العملية التي تسمى تحليل التحييز المستمر {{إنج|DC Biasing analyzing}}. يمكن استخدام المعادلات السابقة لتحديد العلاقة بين جهد الخرج وتيار الخرج من أجل قيمة محددة لجهد الدخل، وتسمى هذه العملية بتحديد نقطة العمل، ويجري اختيار هذه النقطة بما يتوافق مع نمط عمل المرغوب.

=== نقطة العمل ===

نقطة العمل {{إنج|Operating point}} أو النقطة الساكنة {{إنج|Quiescent Point}} هي زوج من القيم التي تمثل جهد وتيار الخرج (<math>V_{o}</math>,<math>I_{o}</math>) على ميزة خرج الترانزستور.<ref name="Book-90"/> يرتبط تحديد نقطة العمل بالطريقة التي يُراد أن يعمل الترانزستور فيها، فإذا كان الهدف هو عمله مضخماً للإشارات الصغيرة، فإن اختيار عناصر الدارة يجب أن يحقق نقطة ضمن المنقطة الفعّالة،<ref name="Web-36"/> أمّا إذا كان المرغوب عمل الترانزستور قاطعاً إلكترونياً، فإن اختيار العناصر يجب أن يحقق نقطة عمل تنتقل بين منطقتي القطع والإشباع.<ref name="Web-33"/>

تُحدَّد نقطة العمل من خلال تحييز وصلتي PN في الترانزستور، وتشمل عملية التحييز اختيار قيم العناصر الإلكترونية التي تجعل من نقطة العمل في الموقع المناسب الذي يتوافق مع غرض الدارة.<ref name="Web-203"/>

==== تحديد نقطة العمل ====
[[ملف:BJT operating Point-ar.svg|300بك|تصغير|كيفية تحديد نقطة العمل رياضيّاً من خلال تقاطع خط الحمل مع أحد الخطوط البيانية لتيار الدخل في ميزة الخرج.<ref name="Web-205">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ruye Wang
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180623114632/http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node4.html
| تاريخ أرشيف = 23 يونيو 2018
| مسار= http://fourier.eng.hmc.edu/e84/lectures/ch4/node4.html
| عنوان= DC operating point
| موقع= Harvey Mudd College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 1 مايو 2019}}</ref>]]
تحديد موقع نقطة العمل هو معرفة [[نظام إحداثيات ديكارتية|إحداثياتها الديكارتيّة]] على مخطط ميّزة الخرج الخاصة بالترانزستور. ولتحقيق ذلك، يجب دراسة دارتي الدخل والخرج حسب إعدادات الوصلة المُستعملة، وحساب وإيجاد معادلة تيار الدخل والمعادلة التي تربط جهد الخرج بتيار الخرج، ثم حساب هذه القيم من أجل قيم محددة للعاملين ألفا <math>\beta</math> وبيتا <math>\alpha</math> ولعناصر الدارة المستعملة.<ref name="Web-203">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Farrokh Najmabadi
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180328194437/http://aries.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/02-S/NOTES/BJT2.pdf
| تاريخ أرشيف = 28 مارس 2018
| تاريخ = مارس 2002
| مسار= http://aries.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/02-S/NOTES/BJT2.pdf
| عنوان= BJT as an amplifier: Biasing and Small Signal Model
| صفحة =78
| موقع= University of California.
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 1 مايو 2019}}</ref>

يُحيَّز الترانزستور لتحديد نقطة عمله، وتُتبع الخطوات التالية لتحييزه:<ref name="Web-301">[https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02364351 الترانزستور ثنائي القطب، القواعد والفوائد]، ص.88 {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20191220060455/https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02364351 |date=20 ديسمبر 2019}}</ref>
# دراسة دارة الدخل، وحساب تيار الدخل <math>I_{i}</math>، باستخدام [[قانونا كيرشوف|قانون كيرشوف الثاني،]] والذي تكون معادلته من الشكل:{{وسط|<math>I_{i} = \frac{f(V)}{f(R)}</math>}} وفيها تُمثّل <math>f(V)</math> علاقة بين الجهود الكهربائية في دارة الدخل، و <math>f(R)</math> علاقة بين المقاومات فيها.
# تحديد الخط البياني المتوافق مع قيمة تيار الدخل في ميزة الخرج، إذا كانت قيمة تيار الدخل أصغر من الصفر، فالترانزستور في منطقة القطع.
# دراسة دارة الخرج وإيجاد العلاقة بين تيار الخرج <math>I_{o}</math> وجهد الخرج <math>V_{o}</math>، باستعمال قانون كيرشوف الثاني، وتكون المعادلة من الشكل:{{وسط|<math>V_{o} = f(I_{o})</math>}} تكون هذه المعادلة من الدرجة الأولى، أي أنها تمثل مستقيماً في المستوي الديكارتي.
# رسم المستقيم السابق على ميزة الخرج، ويسمى خط الحمل {{إنج|Load line}}، وهو مستقيم يربط بين جهد الخرج وأعظم تيار خرج ممكن موافق.<ref name = "Book-86">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = B. Somanathan Nair
|مؤلف2 = S. R. Deepa
|عنوان= Basic Communication and Information Engineering
|صفحة=43
|سنة=2009
|ناشر= I. K. International Pvt Ltd
|ردمك=9789380026626
|لغة= en
}}</ref>
# نقطة العمل هي نقطة تقاطع خط الحمل مع الخط البياني المُتوفق مع قيمة تيار الدخل.<ref name = "Book-88">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = MAHESH B. PATIL
|عنوان= Basic electronic devices and circuits
|صفحة=231
|سنة=2013
|ناشر= PHI Learning Pvt. Ltd
|ردمك=9788120347298
|لغة= en
}}</ref>
<gallery mode=packed heights=200px>
BJT operating point changing 1-ar.svg|تأثير تغيير مقاومات دارة التحييز على موقع نقطة العمل.
BJT operating point changing 2-ar.svg| تأثير تغيير قيمة تيار الدخل في دارة التحييز على موقع نقطة العمل.
BJT operating point changing 3-ar.svg| تأثير تغيير قيم جهود التغذية في دارة التحييز على موقع نقطة العمل.
</gallery>

==== تحديد منطقة العمل ====
[[ملف:BJT Operating Regions-ar.svg|تصغير|300بك|منطقتا العمل الخطية وغير الخطية في ميزة الخرج لترانزستور ثنائي القطب.]]

يكون لعمل الترانزستور ضمن الدارة الإلكترونية حدود فيزيائية لا يمكن تجاوزها، تُحدد هذه الحدود منطقة عمل تسمى منطقة العمل الخطية، فإذا كانت نقطة العمل ضمن المنطقة الخطيّة، يكون [[تشوه|التشوّه]] في الإشارة صغيراً أو معدوماً، أمّا إذا كانت نقطة العمل في المنطقة غير الخطية، فإن تشوّه الإشارة يكون كبيراً، وقد تسبب شروط العمل في المنطقة غير الخطية ضرراً دائماً في الترانزستور.<ref name="Web-206">Electronic Devices and Circuit Theory; P.128-129</ref>

إنّ أقصى تيار خرج يمكن أن يتحمله الترانزستور ويحافظ على الخاصية الخطيّة هو تيار الخرج الأعظمي<math>I_{o_{max}}</math>، في حين تكون قيمة أدنى تيار في المنطقة الخطيّة هي تيار التسريب العكسي الذي يتحدد حسب إعداد الوصلة. أمّا أدنى جهد خرج في المنطقة الخطيّة فيُسمّى جهد الإشباع <math>V_{o_{sat}}</math>، وإذا كانت قيمة جهد الخرج أقل من هذه العتبة، فإنّ الترانزستور يعمل في نمط الإشباع. أمّا أقصى جهد خرج للترانزستور من أجل الحفاظ على نقطة العمل في المنطقة الخطيّة، فيُسمّى جهد الخرج الأعظمي<math>V_{o_{Max}}</math>، وتتحدد قيم هذه العتبات في {{وإو|ورقة البيانات|Datasheet|en|ورقة بيانات}} الترانزستور. بالإضافة للشرطين السابقين، لا يمكن أن يبدد الترانزستور استطاعة حرارية أعلى من حد مُعين هو <math>P_{o_{Max}} = V_{o}.I_{o}</math>، وعادة ما يُحدد هذا الحدّ من ورقة بيانات العنصر، على أي حال، فإن جميع النقاط في ميزة الخرج (<math>V_{o}</math>, <math>I_{o}</math>) التي تحقق العلاقة السابقة تُشكّل حدّاً علويّاً لمنطقة العمل الخطيّة.<ref name = "Book-93">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = I. J. NAGRATH
|عنوان= Electronic Devices and Circuits
|صفحة=88-89
|سنة=2007
|ناشر= PHI Learning Pvt. Ltd
|ردمك=9788120331952
|لغة= en
}}</ref>

=== دارات تحييز الترانزستور ===

==== دارة التحييز لوصلة القاعدة المشتركة ====
[[ملف:NPN BJT common base biasing-ar.svg|تصغير|300بك|دارة الانحياز الثابت لترانزستور من النوع NPN.]]
في دارة التحييز الخاصّة بوصلة القاعدة المُشتركة تكون القاعدة هي النهاية المُشتركة بين دارتي الدخل والخرج. تضمّ دارة الدخل وصلة الباعث والقاعدة، ويجري تحييزها أماميّا باستخدام مولد جهده <Math>V_{EE}</Math>، ويكون تيار الدخل هو <Math>I_{E}</Math>، أما دارة الخرج فتضمّ وصلة المُجمّع والقاعدة، وتحييز عكسيّاً باستعمال مولّد جهده <Math>V_{CC}</Math>ويكون تيار الخرج هو <Math>I_{C}</Math>.<ref name = "Book-190">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = U.A.Bakshi
|مؤلف2 = A.P.Godse
|عنوان= Electronic Devices and Circuits
|صفحة=11-2
|سنة=2008
|ناشر= Technical Publications
|ردمك=9788184313543
|لغة= en
}}</ref>

يجري التحليل المستمر للدارة كما يلي:<ref name="Web-220">Electronic Devices and Circuit Theory; P.172</ref>

# تطبيق [[قانونا كيرشوف|قانون كيروشوف الثاني]] على دارة الدخل، ويمكن كتابة المعادلة: {{وسط|<Math>-V_{EE} - I_{E}.R_{E} - V_{BE}=0</Math>}}أي:{{وسط|<Math>I_{E}=\frac {V_{EE}-V_{BE}}{R_{E}} </Math>}}
# حساب قيمة تيار المجمع حسب العلاقة:{{وسط|<Math>I_{C}=\alpha.I_{E}</Math>}}
# تطبيق قانون كيروشوف الثاني على دارة الخرج، ويمكن كتابة المعادلة: {{وسط|<Math>-V_{CC} + I_{C}.R_{C} - V_{CB}=0</Math>}}أي:{{وسط|<Math>V_{CB}= I_{C}.R_{C} - V_{CC} </Math>}}

==== دارة التحييز الثابت ====
[[ملف:NPN BJT Fixed bais-ar.svg|تصغير|300بك|دارة الانحياز الثابت لترانزستور من النوع NPN.]]
دارة التحييز الثابت {{إنج|Fixed-Bias Circuit}} هي دارة تحييز لترانزستور ثنائي القطب بوصلة الباعث المشترك، يُوصل المُجمّع والقاعدة إلى جهد تغذية <Math>V_{CC}</Math> عبر مقاومتين هما <Math>R_{C}</Math> و<Math>R_{B}</Math> على الترتيب، أمّا الباعث فيُؤرّض. تستعمل هذه الوصلة عند عمل الترانزستور مُضخماً، وعندها تُمرَّر إشارة الدخل المتناوبة من القاعدة للحصول على إشارة الخرج المضخّمة من المجمع. يكون جهد التغذية <Math>V_{CC}</Math> هو الجهد المطبق في دراتي الدخل والخرج، اللتان تُسميان على الترتيب دارة القاعدة والباعث ودارة المجمع والباعث. يكون تيار دارة الدخل هو تيار القاعدة <Math>I_{B}</Math> أمّا تيار دارة الخرج فهو تيار المجمع<Math>I_{C}</Math>.<ref name="Web-211">Basic Electronics; P.98</ref>

يجري التحليل المستمر للدراة كما يلي:<ref name="Web-214">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Farrokh Najmabadi
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170918110928/http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/12-W/NOTES/Amp-1.pdf
| تاريخ أرشيف =  18 سبتمبر 2017
| تاريخ = ديسمبر 2012
| مسار= http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/12-W/NOTES/Amp-1.pdf
| عنوان= V. Introduction to Transistors Amplifiers: Bias & Signal Circuits
| صفحة = 5-4
| موقع= University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 1 مايو 2019}}</ref>

# تطبيق قانون كيروشوف الثاني على دارة الدخل، ويمكن كتابة المعادلة: {{وسط|<Math>+V_{CC} - I_{B}.R_{B} - V_{BE}=0</Math>}}أي:{{وسط|<Math>I_{B}=\frac {V_{CC}-V_{BE}}{R_{B}} </Math>}}
# تطبيق قانون كيروشوف الثاني على دارة الخرج فيمكن كتابة المعادلة:{{وسط|<Math>+V_{CC}- I_{C}.R_{C} -V_{CE}=0</Math>}}أي: {{وسط|<Math>V_{CE} = V_{CC}- I_{C}R_{C}</Math>}}
# أمّا تيار الخرج من أجل جهد <Math>V_{CE}</Math> صفري، والذي يُسمّى أيضاً تيار الإشباع <Math>I_{C_{sat}}</Math> فيحسب بالعلاقة:<ref name="Web-207">Electronic Devices and Circuit Theory; P.149</ref>
{{وسط|<Math>I_{C_{sat}}=\frac{V_{CC}}{R_{C}}</Math>}}

==== دارة التحييز ذات الباعث المستقر ====
[[ملف:NPN BJT Emittier-Stabilized bias-ar.svg|تصغير|300بك|دارة التحييز ذات الباعث المُستقر ترانزستور من النوع NPN.]]
دارة التحييز ذات الباعث المستقر {{إنج|Emitter-stabilized bias circuit}} هي دارة تحييز لترانزستور ثنائي القطب بوصلة الباعث المشترك. تتشابه هذه الدارة في بنيتها مع دارة التحييز الثابت، مع فرق وحيد هو زيادة مقاومة ذات قيمة صغيرة، توصل بين الباعث والأرضي هي <Math>R_{E}</Math>، تكون دارة التحييز ذات الباعث المستقر أكثر استقراراً بالنسبة لتغيرات [[درجة حرارة|درجة الحرارة]] مقارنة مع دارة التحييز الثابت.<ref name="Web-212">Basic Electronics; P.101</ref>

يجري التحليل المستمر للدارة كما يلي:<ref name="Web-215">V. Introduction to Transistors Amplifiers: Bias & Signal Circuits; P.5-5</ref>

# من دارة الدخل، بتطبيق قانون كيرشوف الثاني، يُمكن كتابة المعادلة التالية: {{وسط|<Math>+V_{CC} - I_{B}.R_{B} - V_{BE} - I_{E}R_{E}=0</Math>}} مع اعتبار أن: {{وسط|<Math>I_{E}=(\beta + 1)I_{B}</Math>}}يكون: {{وسط|<Math>I_{B}=\frac {V_{CC}-V_{BE}}{R_{B}+(\beta + 1)R_{E}} </Math>}}
# من دارة الخرج، بتطبيق قانون كيروشوف الثاني على، يمكن كتابة المعادلة: {{وسط|<Math>+V_{CC}- I_{C}.R_{C} -V_{CE}- I_{E}R_{E}=0</Math>}} مع اعتبار أن: <Math>I_{C} \approxeq I_{E}</Math>، يمكن كتابة المعادلة: {{وسط|<Math>V_{CE} = V_{CC}- I_{C}(R_{C}+R_{E})</Math>}}
# أمّا تيار الخرج من أجل جهد <Math>V_{CE}</Math> صفري، والذي يُسمّى أيضاً تيار الإشباع <Math>I_{C_{sat}}</Math> فيُحسب بالعلاقة:<ref name="Web-208">Electronic Devices and Circuit Theory; P.156</ref>
{{وسط|<Math>I_{C_{sat}}=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}}</Math>}}

==== دارة التحييز بمقسم الجهد ====
[[ملف:NPN BJT Voltage-Divider Bais-ar.svg|300بك|تصغير|دارة التحييز بمقسم الجهد لترانزستور إن بي إن من بوصلة الباعث المشترك.]]

دراة التحييز بمقسم الجهد {{إنج|Voltage-divider bias circuit}} هي دارة تحييز لترانزستور ثنائي القطب بوصلة الباعث المشترك. إنّ المشكلة الأساسية دارة التحييز بالباعث الثابت هو ارتباط كل من تيار الخرج وجهد الخرج بالعامل بيتا، الذي يكون بدوره حساساً [[درجة حرارة|لدرجة الحرارة]]، خاصة في الترانزستورات السيليكونية. تؤمن دارة التحييز بمقسم الجهد دارة تحييز يكون جهد الخرج وتياره مُستقلان عن العامل بيتا. يجري توصيل جهد التغدية نفسه <math>V_{CC}</math> إلى دارتي الدخل والخرج، في دارة الدخل، تُوصل القاعدة بين مقاومتين لمقسم جهد، هما على الترتيب <math>R_{1}</math> و<math>R_{2}</math>. أمّا في دارة الخرج فيجري توصيل جهد التغدية إلى المُجمِّع عبر مقاومة المجمع <math>R_{C}</math> والباعث إلى الأرضي عبر مقاومة الباعث <math>R_{E}</math>.<ref name="Web-213">Basic Electronics; P.104</ref>

يجري التحليل المستمر للدارة كما يلي:<ref name="Web-216">V. Introduction to Transistors Amplifiers: Bias & Signal Circuits; P.5-6</ref>
# حسب [[مبرهنة ثيفينين|نظرية ثيفنين]]، يُستعاض عن مقسم الجهد بمنبع جهد ثيفنين ومقاومة ثيفنين، وتحسب قيمتهما باستعمال العلاقتين:{{وسط|<math>R_{TH} = R_{1}||R_{2} = \frac{R_{1}.R_{2}}{R_{1}+R_{2}}</math>}}{{وسط|<math>V_{TH} = \frac{R{2}}{R{1}+R{2}}. V_{CC}</math>}}
# بعد ذلك، يجري استبدال مُقسّم الجهد بمقاومة ثيفنين ومنبعه.ومع <math>I_{E} = (\beta+1).I_{B} </math> تُصبح معادلة دارة الدخل:{{وسط|<math>V_{TH} - I_{B}.R_{TH} - V_{BE} - (\beta + 1).I_{B}.R_{E} = 0 </math>}} فيكون: {{وسط|<math>I_{B} = \frac{V_{TH} - V_{BE}}{R_{TH} - (\beta+1).R_{E}} </math>}}
# في دارة الخرج، تكون المعادلة حسب قانون كيرشوف الثاني: {{وسط|<math>V_{CC} - I_{C}.R_{C} - V_{CE} - I_{E}.R_{E} = 0 </math>}}مع اعتبار أن: <Math>I_{C} \approxeq I_{E}</Math>، يمكن كتابة المعادلة بالشكل التالي: {{وسط|<Math>V_{CE} = V_{CC}- I_{C}.(R_{C}+R_{E})</Math>}}
# أمّا تيار الإشباع <Math>I_{C_{sat}}</Math> فيُحسب بالعلاقة:<ref name="Web-209">Electronic Devices and Circuit Theory; P.164</ref>
{{وسط|<Math>I_{C_{sat}}=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}}</Math>}}

==== دارات تحييز أخرى ====
<gallery mode=packed heights=150px>
NPN Voltage Feed-Back Bais-ar.svg|دارة التحييز بالتغذية العكسية لترانزستور NPN من بوصلة الباعث المشترك.
NPN Baising Method 1-ar.svg|دارة تحييز أخرى لترانزستور من النوع NPN بوصلة الباعث المشترك.
NPN Voltage divider biasing 1-ar.svg| دارة تحييز باستخدام مقسم الجهد مع منبعي تغذية لترانزستور من النوع NPN بوصلة الباعث المشترك.
NPN BJT common collector biasing-ar.svg|دارة تحييز لترانزستور من النوع NPN بوصلة المجمع المشترك.
NPN BJT common collector Biasing Circuit.svg| دارة متتبع الباعث لتحييز لترانزستور من النوع NPN بوصلة المجمع المشترك.
</gallery>

== نمذجة الترانزستور ==

يُعرّف نموذج الترانزستور بأنه مجموعة من عناصر الدارة التي تحاكي تحت شروط عمل محددة وبشكل تقريبي السلوك الفعلي لأشباه الموصولات المُشكّلة للترانزستور.<ref name="Web-217">Electronic Devices and Circuit Theory,; P.306</ref> يُمكن نمذجة الترانزستور باستعمال نماذج خطيّة أو غير خطيّة<ref name = "Book-92">{{استشهاد بكتاب
 |مؤلف1                   = Muhammad H. Rashid
 |عنوان                  = Microelectronic Circuits: Analysis and Design
 |طبعة                  = الثانية
 |مسار                    = http://prof.usb.ve/mirodriguez/electronico/0495667722MicroelecCircuits.pdf
 |صفحة                    = 533
 |سنة                      = 2011
 |ناشر                    = Global Engineering Program
 |ردمك= 0495667722
 |لغة                      = en
 |مسار أرشيف         = https://web.archive.org/web/20200325111003/https://web.archive.org/web/20190504171651/http://prof.usb.ve/mirodriguez/electronico/0495667722MicroelecCircuits.pdf
 |تاريخ أرشيف       = 25 مارس 2020
 |تاريخ الوصول     = 9 مايو 2019
 |حالة المسار                  = bot: unknown
}}</ref> في النماذج الخطية تستعمل [[دارة خطية|الدارات الخطيّة]] فقط، أمّا في النماذج غير الخطية فتستعمل عناصر غير خطية مثل [[ثنائي المساري|الثنائي]]، أشهر النماذج الخطيّة هي:
* نموذج آر إي <math>r_{e}</math>
* النموذج المكافئ الهجين
* نموذج تي
* نموذج باي الهجين

أمّا أشهر النماذج غير الخطية للترانستور ثتائي القطب فهي:
* نموذج إيبرس مول
* نموذج غوميل بون

تُصنّف نماذج الترانزستور أيضاً حسب الإشارات التي التي تُضّخمها إلى [[نموذج الإشارة الصغيرة|نماذج إشارات صغيرة]] ونماذج إشارات كبيرة.{{للهامش|11}} يكون لمضخمات الإشارات الصغيرة ربح جهد عالٍ وربح تيار منخفض، ولذلك وهي لا تستطيع نقل تيارات كبيرة وتستعمل في مراحل التضخيم الأولى، أما مضخمات الإشارات الكبيرة فلها ربح تيار عالٍ ويمكن أن توصل إلى الحمل مباشرة، لذلك تستعمل في مراحل التضخيم المتأخرة.<ref name="Web-218">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ryan Child
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190504172206/http://homepages.uc.edu/~childrn/classes/designlab/child_designlab_presentation.pptx
| تاريخ أرشيف =  4 مايو 2019
| مسار= http://homepages.uc.edu/~childrn/classes/designlab/child_designlab_presentation.pptx
| عنوان= Large Signal Amplifier Design

| صفحة = 2
| موقع= University of Cincinnati
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 مايو 2019}}</ref>

=== النماذج الخطيّة ===

==== النموذج آر إي ====
{| class="wikitable" style="float:left; margin-left:1em;"
|+ المحددات الرئيسة لترانزستور PNP حسب نموذج آر إي
|-
! وصلة القاعدة المشتركة !! وصلة الباعث المشترك !! وصلة المجمع المشترك
|-
| [[ملف:BJT pnp common base re model.svg|150بك]] || [[ملف:BJT pnp common emitter re model.svg|150بك]] || [[ملف:BJT pnp common collector re model.svg|150بك]]
|}

في نموذج آر إي {{إنج|model <math>r_{e}</math>}}، يُستبدل بالترانزستور {{وإو|رباعي أقطاب (إلكترونيات)|Two-port network|en|رباعي أقطاب}} يحتوي على ثنائي ومنبع تيار مُتحكّم به، ومنبع التيار المُتحكّم به هو منبع للتيار ترتبط مُحدداته بتيار في موقع آخر من الدارة. يُمثّل الثنائي في حالة التحييز الأمامي بمقاومة تُسمّى مقاومة الباعث المُتزايدة {{إنج|Emitter incremental resistance}} ويُرمز لها: <math>r_{e}</math>، وهي التي أعطت هذا النموذج اسمه، وتحسب قيمتها من العلاقة:<ref name = "Book-94">Solid State Physics, Solid State Device And Electronics; P.10.22</ref>

{{وسط|<math>r_{e} = \frac {V_{Th}}{I_{E}}</math>}}
* وفيها <math>V_{Th}</math> هو الجهد الحراري، وتساوي قيمته 26 ميلي فولت في درجة حرارة الغرفة، وتحسب قيمته باستخدام العلاقة:<ref name="Web-17">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180401154654/https://www.pveducation.org/pvcdrom/appendices/constants
| تاريخ أرشيف = 1 أبريل 2018
| مسار= https://www.pveducation.org/pvcdrom/appendices/constants
| عنوان= Physical Constants
| موقع= PVEducation
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 5 يناير 2019}}</ref>
{{وسط|<math>V_{th} = \frac {KT}{q}</math>}}
:* وفيها <math>T</math> هي درجة الحرارة مقدرة بالكلفن، و<math>K</math> هو ثابت بولتزمان، و<math>q</math> هي شحنة الإلكترون مقدرة بالكولون.

يستعمل هذا النموذج لدراسة الترانزستور في نمط التيار المتناوب من أجل تضخيم الإشارات الصغيرة.<ref name="Web-225">Electronic Devices and Circuits; P.263</ref>

==== النموذج المكافئ الهجين ====
[[ملف:Hybrid Parameters model main circuit.svg|تصغير|300بك|الدارة الأساسية المستعملة في توليد معادلات النموذج الهجين المكافئ.]]

وسُميّ النموذج بالهجين لأنه معادلاته تحتوي خليطاً من محددات الدخل والخرج معاً، ومنها اشتق الرمز <math>h</math> المُستعمل لتسمية المحددات، وهو الحرف الأول من كلمة هجين {{إنج|Hybrid}}.في هذا النموذج يُستبدل الترانزستور [[رباعي أقطاب (إلكترونيات)|برباعي الأقطاب]]، يضمّ هذا الرباعي عنصرين مُتحكم بهما يربطان الجهود والتيارات بين منفذي الدخل والخرج. بشكلٍ أكثر تفصيلاً، يحتوي هذا الرباعي على مقاومة كهربائية قيمتها <math>h_{11}</math> أوم، موصولة على التسلسل مع منبع جهد متحكم به قيمته <math>h_{12}.V_{0}</math> فولت بين قطبي منفذ الدخل، ويضم أيضاً مقاومة [[قبولية|سماحيتها]] <math>h_{22}</math> سيمنز موصولة على التفرع مع منبع تيار متحكم به قيمة تياره <math>h_{21}.I_{i}</math>، وكلاهما موصول على التفرع مع قطب الخرج.<ref name="Web-228">Solid State Physics, Solid State Device And Electronics; P.10.26-10.30</ref>

في دارة كهذه، بتطبيق قانون كيرشوف الثاني على دارة الدخل، وقانون كيرشوف الأول على دارة الخرج يمكن كتابة المعادلتين التاليتين:<ref name="Web-229">Electronic devices and circuit theory; P.321</ref>

{{وسط| <math>V_{i}= h_{11}I_{i}+ h_{12}V_{0}</math>}}
{{وسط| <math>I_{0}= h_{21}I_{i}+ h_{22}V_{0}</math>}}

ثُمّ تحسب قيم العوامل الأربعة <math>h_{11},h_{12},h_{21},h_{21}</math> كما يلي:<ref name="Web-230">Electronic devices and circuit theory; P.322</ref>

{{وسط|<math>h_{11}=  \left. \frac{V_{i}}{I_{i}} \right\vert_{V_{o} = 0 } </math>}}

{| class="wikitable" style="float:left; margin:0 1em 0em 0;"
|+ العوامل الهجينة لترانزستور PNP حسب النموذج المكافئ الهجين<ref name="Web-13">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Andy Collinson
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180221051136/http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/tr_model.htm
| تاريخ أرشيف = 21 فبراير 2018
| مسار= http://www.zen22142.zen.co.uk/Theory/tr_model.htm
| عنوان= Transistor Hybrid Model
| موقع= Circuit Exchange International
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 يناير 2018}}</ref>
|-
! اسم المُحدد !! وصلة القاعدة المشتركة !! وصلة الباعث المشترك !! وصلة المجمع المشترك
|-
| {{وسط|مُحدد مقاومة الدخل <br /> <math>h_{i}</math>}}|| {{وسط|<math>h_{ib} = \frac{V_{eb}}{I_{e}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{ie} = \frac{V_{be}}{I_{b}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{ic} = \frac{V_{bc}}{I_{b}}</math>}}
|-
| {{وسط|مُحدد نسبة تحويل الجهد المقلوب <br /> <math>h_{r}</math>}}|| {{وسط|<math>h_{rb} = \frac{V_{eb}}{V_{cb}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{re} = \frac{V_{be}}{V_{ce}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{rc} = \frac{V_{bc}}{V_{ec}}</math>}}
|-
| {{وسط|مُحدد نسبة تحويل التيار <br /> <math>h_{f} </math>}} || {{وسط|<math>h_{fb} = \frac{I_{c}}{I_{e}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{fe} = \frac{I_{c}}{I_{b}}</math>}}|| {{وسط|<math>h_{fc} = \frac{I_{e}}{I_{b}}</math>}}
|-
| {{وسط|مُحدد مواصلة الخرج <br /> <math>h_{o} </math>}} || {{وسط|<math>h_{ob} = \frac{I_{c}}{V_{cb}}</math>}} || {{وسط|<math>h_{oe} = \frac{I_{c}}{V_{ce}}</math>}}|| {{وسط|<math>h_{oc} = \frac{I_{e}}{V_{ec}}</math>}}
|-
| {{وسط|الدارة المكافئة <br />الكاملة}} || [[ملف:PNP BJT common base full hybrid model.svg|150بك]] || [[ملف:PNP BJT common emitter full hybrid model.svg|150بك]] || [[ملف:PNP BJT common collector full hybrid model.svg|150بك]]
|-
| {{وسط|الدارة المكافئة <br />المختصرة}} || [[ملف:PNP BJT common base abbreviated hybrid model.svg|150بك]] || [[ملف:PNP BJT common emitter abbreviated hybrid model.svg|150بك]] || [[ملف:PNP BJT common collector abbreviated hybrid model.svg|150بك]]
|}

{{وسط|<math>h_{12}=  \left. \frac{V_{i}}{V_{o}} \right\vert_{I_{i} = 0 } </math>}}

{{وسط|<math>h_{21}=  \left. \frac{I_{o}}{I_{i}} \right\vert_{V_{o} = 0 } </math>}}

{{وسط|<math>h_{22}=  \left. \frac{I_{o}}{V_{o}} \right\vert_{I_{i} = 0 } </math>}}

بعد ذلك يُسمّى:<ref name="Web-231">Electronic devices and circuit theory; P.323</ref>{{للهامش|6}}
* المُحدد <math>h_{11}</math> بمُحدد مقاومة الدخل <math>h_{i}</math>، ويقاس بالأوم،
* المُحدد <math>h_{12}</math> بمُحدد نسبة تحويل الجهد المقلوب <math>h_{r}</math> وهو عديم الواحدة.
* المُحدد <math>h_{21}</math> بمُحدد نسبة تحويل التيار <math>h_{f}</math> وهو أيضاً عديم الواحدة.
* المُحدد <math>h_{22}</math> بمُحدد [[مواصلة كهربائية|مواصلة]] الخرج <math>h_{o}</math> وواحدته السيمنز.

يُمكن أن تطبق المنهجية السابقة من أجل كل وصلة من وصلات الترانزستور، ويعطي ذلك 12 مُحدداً بالإجمال. في الدارسات العملية، غالباً ما يُهمل أثر مُحدد تحويل الجهد المقلوب، ويعوّض عنه بدارة مقصورة، وأثر مُحدد مواصلة الخرج، ويعوّض عنه بدارة مفتوحة، وينتج ذلك دارة مكافئة كاملة تحتوي كل المُحددات الخاصة بوصلة محددة، ودارة مكافئة مختصرة لا تحتوي على العوامل المحذوفة. لتمييز العوامل الخاصة بكل وصلة، يُضاف أحد المحارف {b,e,c} من أجل القاعدة والباعث والمجمع على الترتيب، فتصبح عوامل وصلة القاعدة:<math>h_{ib}, h_{rb}, h_{fb}, h_{ob}</math>، وعوامل وصلة الباعث المشترك <math>h_{ie}, h_{re}, h_{fe}, h_{oe}</math> وعوامل وصلة المُجمّع المُشترك <math>h_{ic}, h_{rc}, h_{fc}, h_{oc}</math>.<ref name="Web-235">Electronic Devices and Circuits; P.266-270</ref>

يستعمل النموذج المكافئ الهجين لمحاكاة الترانزستور عند العمل مع الإشارات الصغيرة. إنّ نموذجي آر إي والمكافئ الهجين متكافئان، ويُمكن التحويل رقميّاً بين مُحددات <math>\alpha, \beta, r_{e}</math> وعوامل الثاني <math>h_{i}, h_{r}, h_{f}, h_{o}</math> من أجل كل وصلات الترانزستور الثلاث.<ref name = "Book-104">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Chinmoy Saha,
|مؤلف2= Arindam Halder
|مؤلف3= Debarati Ganguly
|عنوان= Basic Electronics: Principles and Applications
|صفحة= 343-344
|سنة= 2018
|ناشر= Cambridge University Press
|ردمك= 9781316632932
|لغة= en
}}</ref>

==== نموذج تي ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN BJT T Model.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = إن بي إن
 | image2 = PNP BJT T Model.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = بي إن بي
 | footer = {{وسط|نموذج تي لترانزستور ثنائي القطب.}}
}}

نموذج تي {{إنج|T-Model}} هو نموذج خطي لدراسة الإشارات الصغيرة في الترانزستور ثنائي القطب، وفيه يُستبدل الترانزستور ثنائي القطب بشبكة على شكل [[T|الحرف اللاتيني (T)]]، وهي التي أعطت النموذج اسمه.<ref name = "Book-99">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = A. KANDASWAMY
|مؤلف2 = ANDRÉ PITTET
|عنوان= Analog Electronics
| طبعة = الثانية
|صفحة= 55-56
|سنة= 2005
|ناشر= PHI Learning Pvt. Ltd
|ردمك= 8120327845
|لغة= en
}}</ref>

يحتوي النموذج على مُعاملين فقط، هما [[مواصلة منقولة|بالمواصلة المنقولة]] <math>g_{m}</math> ومقاومة الباعث المُتزايدة <math>r_{e}</math> وتحسب قيمتاهما حسب العلاقة:<ref name = "Book-96">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = Yumin Zhang
|عنوان= The Tao of Microelectronics
| طبعة = الثانية
|صفحة= 11-3
|سنة= 2014
|ناشر= Morgan & Claypool Publishers
|ردمك= 9781627054522
|لغة= en
}}</ref>

{{وسط|<math>g_{m} = \frac {I_{o}}{V_{Th}}</math>}}
: وفيها <math>V_{Th}</math> هو الجهد الحراري، وتساوي قيمته 26 ميلي فولت في درجة حرارة الغرفة، و <math>I_{o}</math> هو تيار دارة الخرج.
{{وسط|<math>r_{e} = \frac {V_{Th}}{I_{E}}</math>}}

يمكن أيضاً إضافة مقاومة <math>r_{o}</math> بين النهايتين اللتين تشكلان دارة الخرج لإدخال أثر {{وإو|جهد إيرلي|Early effect|en|جهد إيرلي}} <math>V_{A}</math> إلى النموذج، وتحسب قيمتها بالعلاقة:<ref name="Web-27"/>

{{وسط|<math>r_{o} = \frac {V_{A}+V_{o}}{I_{o}}</math>}}

<gallery>
NPN BJT T Model with r0.svg| نموذج تي لترانزستور NPN مع إضافة المقاومة <math>r_{o}</math> في دارة الخرج.
</gallery>

==== نموذج باي الهجين ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN BJT Pi Model (Small signal).svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = إن بي إن
 | image2 = PNP BJT Pi Model (Small signal).svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = بي إن بي
 | footer = {{وسط|نموذج باي لترانزستور ثنائي القطب (مع إسقاط <math>r_{o}</math>).}}
}}
[[ملف:NPN BJT Hybrid Pi model common-emitter high frequency.svg|300بك|تصغير|نموذج باي الكامل من أجل ترانزستور ثنائي القطب من النوع NPN بتوصيلة الباعث المشترك من أجل الترددات المرتفعة.]]
نموذج باي الهجين {{إنج|Hybrid-pi model}} ويسمى أيضاً نموذج جياكوليتو نسبة إلى {{وإو|لورانس جياكوليتو|Lawrence J. Giacoletto|en|لورانس جياكوليتو}} الذي اقترحه في عام 1969<ref name = "JOU-1">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Giacoletto
|الأول= L.J.
|صحيفة = IEEE Journal of Solid-State Circuits
|عنوان= Diode and transistor equivalent circuits for transient operation
|المجلد= 4
|العدد = 2
| تاريخ = أبريل 1969
|صفحة= 80-83
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/JSSC.1969.1049963
}}</ref>، هو نموذج للترانزستور ثنائي القطب عند العمل في نمط الإشارات الصغيرة والكبيرة، فيه يجري استبدال الترانزستور [[رباعي أقطاب (إلكترونيات)|برباعي الأقطاب]] يحتوي على مجموعة من العناصر الخطيّة التي تحاكي في أدائها عمل الترانزستور. يسمى أحد هذه العناصر بالمقاومة باي <math>r_{\pi}</math>، وهي التي منحت النموذج اسمه المميز.<ref name="Web-226">Electronic Devices and Circuits; P.272-273</ref>

يجري تعويض الترازستور بمقاومة وحيدة تمثل المقاومة المتزايدة، وتُسمّى المقاومة باي في دارة الدخل،<ref name="Web-239">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190505205251/https://groups.csail.mit.edu/mac/classes/6.002x/spring04/handouts/bjts/bjts-without-tears/
| تاريخ أرشيف =  5 مايو 2019
| تاريخ = مارس 2004
| مسار= https://groups.csail.mit.edu/mac/classes/6.002x/spring04/handouts/bjts/bjts-without-tears/
| عنوان= BJT's Without Tears

| صفحة = 2
| موقع= MIT
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 5 مايو 2019}}</ref> أما دارة الخرج فيجري فتحتوي منبع تيار متحكم به، تساوي قيمته جهد دارة الدخل مضروباً [[مواصلة منقولة|بالمواصلة المنقولة]] <math>g_{m}</math>، ويختلف اتجاه التيار الصادر عن المنبع حسب نوع الترانزستور، PNP أو NPN. تحسب المحددات الثلاثة باستعمال العلاقات التالية:<ref name="Web-26">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Alan Doolittle
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180127090231/http://alan.ece.gatech.edu:80/ECE3040/Lectures/Lecture20-BJT%20Small%20Signal%20Model.pdf
| تاريخ أرشيف =  27 يناير 2018
| مسار= http://alan.ece.gatech.edu/ECE3040/Lectures/Lecture20-BJT%20Small%20Signal%20Model.pdf
| عنوان= Lecture 20, Bipolar Junction Transistors (BJT): Part 4 Small Signal BJT Model
| صفحة =8
| موقع= Georgia Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 20 يناير 2019}}</ref>

{{وسط|<math>g_{m} = \frac {I_{o}}{V_{Th}}</math>}}
:وفيها <math>V_{Th}</math> هو الجهد الحراري، وتساوي قيمته 26 ميلي فولت في درجة حرارة الغرفة، و <math>I_{o}</math> هو تيار دارة الخرج.
{{وسط|<math>r_{\pi} = \frac {\beta{o}}{g_{m}}</math>}}
: وفيها <math>\beta{o}</math> هو عامل ربح الإشارات الصغيرة، وغالباً تستعمل قيمة العامل بيتا <math>\beta_{F}</math> من أجله.

تضاف مقاومة <math>r_{o}</math> على التفرع مع منبع التيار لإدخال {{وإو|جهد إيرلي|Early effect|en|جهد إيرلي}} <math>V_{A}</math> في النموذج، وتحسب قيمتها بالعلاقة:<ref name="Web-27">{{استشهاد بويب
| مؤلف = R. VICTOR JONES
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180312031807/http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_models/bjt_models.html
| تاريخ أرشيف =  12 مارس 2018
| مسار= http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_models/bjt_models.html
| عنوان= Electronic Devices and Circuits, Engineering Sciences 154, BJT Large and Small Signal Models
| موقع= Harvard College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 20 يناير 2019|url-status=dead}}</ref>
{{وسط|<math>r_{o} = \frac {V_{A}+V_{o}}{I_{o}}</math>}}

يستعمل هذا النموذج من أجل الإشارات الصغيرة، ويتميز هذا النموذج عن باقي نماذج الإشارات الصغيرة بوجود بكونه تابعاً لتردد الإشارة، فالدارة السابقة، تمثل النموذج عندما يكون تردد الإشارات صغيراً، أما في الحالة التي يكون تردد الإشارة فيها كبيراً، فإن هناك أثراً سعويّاً يبدأ بالظهور، ويتبع تردد الإشارة. في وصلة الباعث المشترك، وعندما يعمل الترانزستور في المنطقة الأمامية، يمكن تمثيل هذا الأثر في النموذج باي الهجين بإضافة مُكثفتين تسمى الأولى <math>C_{\pi}</math>، وتصل بين الباعث والقاعدة، وتسمى الثانية <math>C_{\mu}</math> وتصل بين القاعدة والمجمع.<ref name="Web-47">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ernie Kim
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20161108131745/http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/hybridpi.pdf
| تاريخ أرشيف = 8 نوفمبر 2016
| تاريخ = 2001
| مسار= http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/hybridpi.pdf
| عنوان= HIGH-FREQUENCY MODELS OF THE BJT
| موقع= University of San Diego
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 13 فبراير 2019}}</ref>

يشمل نموذج باي الهجين الموسع مقاومة <math>r_{b}</math> أيضاً، تضاف بعد قطب القاعدة بشكل مباشر، ويزداد أثرها مع ارتفاع التردد، ويمكن إهمالها في حالة الترددات الصغيرة. بالإضافة لذلك، يشمل هذا النموذج أيضاً على مقاومة <math>r_{u}</math>، على التفرع مع المكثفة <math>C_{u}</math>، وتسمى مقاومة الانتشار المُحيّزة عكسيّاً {{إنج|Reverse-biased diffusion resistance}}. عموماً، تكون هذه المقاومة ذات قيمة كبيرة جداً، لذلك غالباً ما تهمل ويجري التعويض عنها بدارة مفتوحة.<ref name="Web-116">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180328170951/http://ee.sharif.edu/~faez/Chapter_6.pdf
| تاريخ أرشيف = 28 مارس 2018
| مسار= http://ee.sharif.edu/~faez/Chapter_6.pdf
| عنوان= Expanded Hybrid-π Equivalent Circuit
| صفحة = 22
| موقع= Sharif University of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 15 فبراير 2019}}</ref>

إنّ نموذجي تي وباي الهجين متكافئان ويمكن استعمالهما لدراسات الإشارات الصغيرة بنفس الطريقة، ويعتمد اختيار أحدهما دون الآخر على شكل دارة التضخيم المدروسة.<ref name="Web-25">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Jim Stiles
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180127134738/http://www.ittc.ku.edu:80/~jstiles/412/handouts/5.6%20Small%20Signal%20Operation%20and%20Models/The%20Hybrid%20Pi%20and%20T%20Models%20lecture.pdf
| تاريخ أرشيف =  27 يناير 2018
| تاريخ = 30 مارس 2011
| مسار= https://www.semanticscholar.org/paper/Bipolar-Junction-Transistor-2.0-History-Bardeen-Shockley/743f998272ea5d4182582f513fca7fa9cb7139ca?p2df
| عنوان= The Hybrid Pi and T Models lecture
| صفحة = 6
| موقع= The University of Kansas
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 20 يناير 2019}}</ref>

<gallery>
NPN BJT Pi Model with r0.svg| نموذج باي لترانزستور NPN مع إضافة المقاومة <math>r_{o}</math> في دارة الخرج.
</gallery>

=== النماذج غير الخطية ===

كان كل من {{وإو|جويل إيبرس|Jewell James Ebers|en|جويل إيبرس}} و [[جون إل. مول|جون مول]] أول من قدّم نموذجاً غير خطي للترانزستور ثنائي القطب،<ref name="JOU-2"/> ثُمّ تبعهم {{وإو|هيرمان غوميل|Hermann Gummel|en|هيرمان غوميل}} و إتش سي بون في بعد ذلك بسنوات عندما طوّروا نموذجاً موسّعاً،<ref name="JOU-3"/> يشمل على ظاهرتين غير مشمولتين في النموذج السابق، وهما ظاهرتا {{وإو|جهد إيرلي|Early effect|en|جهد إيرلي}} والحقن عالي المستوى {{إنج|High Level injuction}}، بعد ذلك وُسِّع نموذج غوميل باستعمال [[سبايس|برنامج سبايس]] الذي نتج عنه نموذج سبايس غوميل-بون الذي يُستعمل على نطاق واسع لمحاكاة عمل الترانوستور ثنائي القطب.<ref name = "Book-91">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = Stephen A. Maas
|عنوان= Nonlinear Microwave and RF Circuits
|مسار = https://archive.org/details/nonlinearmicrowa00maas_820
|صفحة=[https://archive.org/details/nonlinearmicrowa00maas_820/page/n121 101]
|سنة= 2003
|ناشر= Artech House
|ردمك= 1580534848
|لغة= en
}}</ref>

==== نموذج إيبرس مول ====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Ebers-Moll model schematic (PNP).svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = ترانزستور NPN
 | image2 = Ebers-Moll model schematic (NPN).svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  =  ترانزستور PNP
 | footer = {{وسط|الدارة الإلكترونية المكافئة لنموذج إيبرس مول}}
}}

في عام 1954م قام {{وإو|جويل إيبرس|Jewell James Ebers|en|جويل إيبرس}} و[[جون إل. مول|جون مول]] بنشر ورقة بحثيّة بعنوان: «سلوك الإشارات الكبيرة في في ترانزستورات الوصلة»،{{للهامش|7}} تضمّنت نموذجاً غير خطي لعمل وصلة PN،<ref name = "JOU-2">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Ebers
|الأول= J. J.
|الأخير= Moll
|الأول= J. L.
|صحيفة = Proceedings of the IRE
|عنوان= Large-Signal Behavior of Junction Transistors
|المجلد= 42
|العدد = 12
| تاريخ = ديسمبر 1954
|صفحة= 80-83
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/JRPROC.1954.274797
}}</ref> وسُميّ هذا النموذج باسم نموذج إيبرس مول. طوّر هذا النموذج لاحقاً ليشمل الوصلة الثلاثية PNP والوصلة الرباعية PNPN كذلك.<ref name="Web-15">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180916235256/https://ethw.org/John_L._Molloll.html
| تاريخ أرشيف = 16 سبتمبر 2018
| مسار= https://ethw.org/John_L._Moll
| عنوان= John L. Moll
| موقع= Engineering and Technology History Wiki (ETHW)
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 يناير 2018}}</ref>

في نموذج إيبرس مول، يجري تمثيل الترانزستور على شكل وصلتي PN، تشتركان في قاعدة الترانزستور، تُمثّل كل وصلة [[ثنائي المساري|بثنائي]] موصول على التفرّع مع منبع تيار متحكم به، وترتبط قيمة تيار المنبع في كل وصلة بتيار الثنائي في الوصلة الأخرى، تختلف قطبية والمنابع والثنائيات حسب نوع الترانزستور، NPN أو PNP.<ref name="Book-103"/>

في الترانزستور NPN، تحسب قيمتا تياري ثنائي الباعث <math>I_{ED}</math> وثنائي المجمع <math>I_{CD}</math> بالعلاقتين:<ref name = "Book-102">Electronic devices & Circuits Principles and applications; P.309</ref>

{{وسط|<math>I_{ED} = I_{ES}(e^{V_{BE}/V_{TH}}-1) </math>}}
{{وسط|<math>I_{CD} = I_{CS}(e^{V_{BC}/V_{TH}}-1)  </math>}}

:وفيها <math>I_{ES}</math> و<math>I_{CS}</math> هما تيارا الإشباع لثنائي الباعث والمجمع على الترتيب.

أما في ترانزستور PNP، فإن قيمتا تياري ثنائي الباعث وثنائي المجمع تحسبان بالعلاقتين:<ref name = "Book-101">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1=I. J. NAGRATH
|عنوان= Electronic Devices and Circuits
|صفحة= 535-536
|سنة= 2007
|ناشر= PHI Learning Pvt. Ltd.
|ردمك= 9788120331952
|لغة= en
}}</ref>

{{وسط|<math>I_{ED} = I_{ES}(e^{V_{EB}/V_{Th}}-1) </math>}}
{{وسط|<math>I_{CD} = I_{CS}(e^{V_{CB}/V_{Th}}-1)  </math>}}

يرتبط تيارا الإشباع الخاصين بكل وصلة مع بعضهما بالعلاقة:<ref name = "Book-103">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Debashis De
|عنوان= Basic Electronics
|صفحة= 201-202
|سنة= 2010
|ناشر= Pearson Education India
|ردمك= 9788131710685
|لغة= en
}}</ref>

{{وسط|<math>\alpha_{F}.I_{ES} = \alpha_{R}.I_{CS}</math>}}

:وفيها <math>\alpha_{F}</math> و<math>\alpha_{R}</math> هما عاملا ألفا الأمامي والعكسي على الترتيب.

من أجل نوعي الترانزستور، تكون قيمة منبع التيار في وصلة الباعث والقاعدة هي: <math>\alpha_{R}.I_{CD}</math> وفي وصلة المجمع والقاعدة هي <math>\alpha_{F}.I_{ED}</math>، وبالتالي تكون قيمة تيارا الباعث <math>I_{E}</math> والمُجمّع<math>I_{C}</math>:<ref name="Book-103"/>

{{وسط|<math>I_{E} = I_{ED} - \alpha_{R}.I_{CD} </math>}}
{{وسط|<math>I_{C} = -I_{CD} + \alpha_{F}.I_{ED} </math>}}

ثم يُحسب تيار القاعدة حسب قانون كيرشوف الأول كفرق بين تياري الباعث والمُجمّع:{{للهامش|12}}

{{وسط|<math>I_{B} = I_{E}- I_{C} </math>}}

توجد أشكال أخرى للنموذج نفسه تعتمد على المبدأ ذاته يمكن الحصول عليها من خلال التلاعب بشكل المعادلات الرياضيّة.<ref name="Web-14">{{استشهاد بويب
| مؤلف = VICTOR JONES
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180326163411/http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_models/ebers_moll/ebers_moll.html
| تاريخ أرشيف = 21 فبراير 2018
| مسار= http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_models/ebers_moll/ebers_moll.html
| عنوان= Ebers-Moll Equations
| موقع= Harvard university
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 يناير 2018|url-status=dead}}</ref>

==== نموذج غوميل بون ====
[[ملف:BJT PNP Gummel-Poon-Model.svg|تصغير|300بك|الدارة المكافئة لنموذج غوميل بون لترانزستور من النوع بي إن بي.]]
بناء على نموذج إيبرس مول، اقترح {{وإو|هيرمان غوميل|Hermann Gummel|en|هيرمان غوميل}} و إتش سي بون في عام 1970 نموذجاً جديداً لمحاكاة عمل الترانزستور عند تضخيم الإشارات الكبيرة.<ref name = "JOU-3">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Gummel
|الأول= H. K.
|الأخير= Poon
|الأول= H. C.
|صحيفة = The Bell System Technical Journal
|عنوان= An integral charge control model of bipolar transistors
|المجلد= 49
|العدد = 5
|سنة= 1970
|صفحة= 827-852
| ناشر = Nokia Bell Labs
| doi = 10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x
| issn = 0005-8580
}}</ref>، في هذه الحالة، يصبح تردد الإشارات ذات قيمة كبيرة، ولابد من إدخال الأثر السعوي في النموذج الذي سمي {{وإو|نموذج غوميل بون|Gummel–Poon model|en|نموذج غوميل بون}}.<ref name="Web-19">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Chenming-Hu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170829190124/https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch8.pdf
| تاريخ أرشيف = 29 أغسطس 2017
| تاريخ = 13 فبراير 2009
| مسار= https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch8.pdf
| عنوان= Chapter 8: Bipolar Transistor
| صفحة = 317
| موقع=  Berkeley University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 5 يناير 2019}}</ref>

يتصف هذا النموذج بالتعقيد، وهو يحتوي على مصفوفة مكونة من أربع ثنائيات وأخرى مكوّنة من أربع مكثفات بالإضافة لثلاث مقاومات تُمثّل مقاومة كل نهاية في الترانزستور. بالمُجمل، يحتوي على الترانزستور على 41 مُحدِداً أو معامِلاً تُستعمل لوصف سلوكه وتفاعله مع الإشارات الكبيرة.<ref name="Web-18">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Christoph Clauss, Karl-Heinz Diener, Peter Trappe
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20090201102947/http://virtual.cvut.cz/dynlabmodules/ihtml/dynlabmodules/semicond/node48.html
| تاريخ أرشيف = 1 فبراير 2009
| تاريخ = 21 يناير 2005
| مسار= http://virtual.cvut.cz/dynlabmodules/ihtml/dynlabmodules/semicond/node48.html
| عنوان= The Spice Gummel-Poon Model
| موقع=  Computing & Information Centre at Czech Technical University in Prague
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 5 يناير 2019}}</ref> بسبب ذلك، يمكن أن وصف ظواهر فيزيائية لم تكن مشمولة في نموذج إيبرس مول الأساسي مثل أثر إيرلي<ref name = "JOU-50">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Early
|الأول= J. M.
|صحيفة = Proceedings of the IRE
|عنوان= Effects of Space-Charge Layer Widening in Junction Transistors
|المجلد= 40
|العدد = 11
| تاريخ = نوفمبر 1952
|صفحة= 1401 - 1406
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/JRPROC.1952.273969
| issn = 2162-6634
}}</ref> وأثر ساه-نويس-شوكلي<ref name = "JOU-51">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Shockley
|الأول= Chih-tang
|مؤلف2-الأخير=  Sah
|مؤلف2-الأول= Robert
|مؤلف3-الأخير= Shockley
|مؤلف3-الأول= William
|صحيفة = Proceedings of the IRE
|عنوان= Carrier Generation and Recombination in P-N Junctions and P-N Junction Characteristics
|المجلد= 45
|العدد = 9
| تاريخ = سبتمبر 1957
|صفحة= 1228 - 1243
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/JRPROC.1957.278528
| issn = 2162-6634
}}</ref> وأثر ويبستر<ref name = "JOU-52">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Webster
|الأول= W. M.
|صحيفة = Proceedings of the IRE
|عنوان= On the Variation of Junction-Transistor Current-Amplification Factor with Emitter Current
|المجلد= 42
|العدد = 6
| تاريخ = يونيو 1954
|صفحة= 914 - 920
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/JRPROC.1954.274751
| issn = 2162-6634
}}</ref> وأثر كيرك.<ref name = "JOU-53">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Kirk
|الأول= C.T.
|صحيفة = IRE Transactions on Electron Devices
|عنوان= A theory of transistor cutoff frequency (fT) falloff at high current densities
|المجلد= 9
|العدد = 2
| تاريخ = مارس 1962
|صفحة= 164 - 174
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/T-ED.1962.14965
| issn = 2379-8661
}}</ref>
{{تحديد}}

== تطبيقات الترانزستور ==

=== مضخم الإشارات المتناوبة ===
[[ملف:BJT amplifying action.svg|تصغير|300بك|مميزة الخرج لترانزستور ثنائي القطب، نقطة العمل في منتصف خط الحمل، وإشارات الدخل والخرج موضخة على الرسم البياني، يجب الانتباه إلى أن تيار الدخل من رتبة الميكرو أمبير أما تيار الخرج فهو من رتبة الميلي أمبير.]]

إذا أضيفت إشارة [[موجة جيبية|جيبيّة]] متناوبة يتأرجح مطالها بسعة <math>\Delta V_{i}</math> إلى دارة الدخل المستعملة لتحييز ترانزستور والتي تطبق على دبوس الدخل فيه [[جهد كهربائي|جهداً كهربائيّاً]] مُستمراً هو <math>V_{i}</math>، فإنّ نقطة العمل الخاصّة بدارة تحييز الترانزستور سوف تتأرجح عن موقعها بسعة <math>\Delta V_{i}</math> ويمكن أن يُقرأ هذا التأرجح على خرج الترانزستور كتضخيم للإشارة المتناوبة التي طبقت على الدخل.<ref name="Web-36">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Farrokh Najmabadi
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170517134117/http://aries.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/03-W/NOTES/BJT2.pdf
| تاريخ أرشيف = 17 مايو 2017
| مسار= http://aries.ucsd.edu/najmabadi/CLASS/ECE60L/03-W/NOTES/BJT2.pdf
| عنوان= BJT as an amplifier: Biasing and Small Signal Model
| صفحة = 77-78
| موقع= Regents of the University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 فبراير 2019}}</ref>

يعمل الترانزستور مُضخّماً للإشارات المتناوبة في الحالة السابقة، ولضمان عدم [[تشوه|تشوّه]] الإشارة، يجب أن تظلّ نقطة العمل خلال تأرجحها داخل المنطقة الخطيّة، ويتوافق ذلك مع تحييز الترانزستور فتكون في منتصف المنطقة الفعّالة ومنتصف خط الحمل، وبذلك يكون مطال التأرجح أعظم ما يمكن. يستخدم الترانزستور الطاقة الكهربائية المقدمة من التغذية المستمرة لتحقيق عملية التضخيم، يُمكن التعبير عن فعالية عملية التضخيم <math>\eta</math> كنسبة تربط بين الاستطاعة المستمرة المقدمة من دارة التغذية، والاستطاعة المتناوبة في الإشارة المضخمة في الخرج بالشكل التالي:<ref name="Web-227">Solid State Physics, Solid State Device And Electronics; P.10.18</ref>

{{وسط|<math>\eta = \frac{P_{o(ac)}}{P_{i(dc)}} </math>}}

لدراسة تأثير الجهود والتيارات المتناوبة على دارة الانحياز، تُدخل بعض من التعديلات على دارة التحييز لتتوافق مع الدراسة المتناوبة، ولتحقيق ذلك تُتبع الخطوات التالية:<ref name="Web-236">Electronic devices and circuit theory ; P.308</ref>

# ضبط قيم جميع منابع الجهد المستمرة إلى الصفر، ثم استبدالها بدارة قصر.
# استبدال جميع [[مكثف (توضيح)|المكثفات]] [[دائرة قصر|بدارات قصر]].
# إزالة جميع العناصر المقصورة بحكم الخطوتين السابقتين.
# إعادة ترتيب العناصر بشكل أكثر مُناسبة لاستبدال الترانزستور [[دائرة مكافئة|بدارته المكافئة]].
# استبدال الترانزستور بالدارة المُكافئة المناسبة، ثُمّ حساب المُحددات الرئيسة التي تُحدد كيف سثضخَّم الإشارة المتناوبة.

==== المحددات الرئيسة ====

[[ملف:Two-port electronic system model-ar.svg|تصغير|300بك|نموذج عام لنظام إلكتروني [[رباعي أقطاب (إلكترونيات)|رباعي الأقطاب]] مع مجموعة المحددات الرئيسة.]]
لنمذجة الترانزستور، يجري الاستعاضة عن [[مكون إلكتروني|العنصر الإلكتروني]] واستبداله [[رباعي أقطاب (إلكترونيات)|برباعي الأقطاب]] بديل مكوّن من منفذين، يُسمّى هذا النظام البديل أيضاً بالنظام ثنائي المنافذ. بعد ذلك، ولدراسة النموذج، يجري تطبيق إشارة كهربائية على أحد المنفذين وُيسمّى منفذ الدخل، في حين يُوصل حملٍ ذي قيمة محددة على المنفذ الآخر، ويسمى منفذ الخرج.<ref name="Web-234">Solid State Physics, Solid State Device And Electronics; P.10.19-10.20</ref>

بناء على ذلك يمكن دراسة النظام عبر مجموعة من مُحددات خارجية ليست جزءاً من النموذج. في النظام الثنائي المنافذ، وبغض النظر عن طبيعة النظام نفسه ومكوناته، يمكن التمييز بين تيار الدخل <math>I_{i}</math> وهو التيار الذي يدخل إلى النظام أو يخرج منه عبر منفذ الدخل، وتيار الخرج <math>I_{o}</math> الذي يدخل إلى النظام أو يخرج منه عبر منفذ الخرج. يُضاف لذلك جهد الدخل <math>V_{i}</math>، وهو الجهد بين قطبي منفذ الدخل، وجهد الخرج <math>V_{o}</math> وهو الجهد بين قطبي منفذ الخرج. باستخدام المحددات السابقة، يمكن استنباط ربح الجهد الخاص بالنظام <math>A_{i}</math> وربح التيار الخاص به <math>A_{i}</math>. أخيراً، تسمى ا[[معاوقة|لمعاوقة الكهربائية]] لكامل النظام منظورة من منفذ الدخل بمعاوقة الدخل <math>Z_{i}</math>، أمّا المعاوقة المنظورة من منفذ الخرج، فتُسمّى بمعاوقة الخرج <math>Z_{o}</math>.<ref name="Web-236" />

==== الإشارات الصغيرة ====
نموذج الإشارات الصغيرة {{إنج|Small Signal Model}} هو نموذج خطي مستقل عن [[سعة (موجة)|المطال]]، وفيه تُستبدل العناصر غير الخطيّة، مثل الترانزستور ثنائي القطب، بعناصر خطية.<ref name="Web-37">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Maysam Ghovanloo
| مؤلف2 = Paul Hasler
| مؤلف3 = Sheng-Yu Peng
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180218221105/http://mgh-courses.ece.gatech.edu/ece4430/ECE4430/Unit1/LectureNotes/BJT_Smallsignal.pdf
| تاريخ أرشيف = 18 فبراير 2018
| تاريخ = 21 مايو 2000
| مسار= https://mgh-courses.ece.gatech.edu/ece4430/ECE4430/Unit1/LectureNotes/BJT_Smallsignal.pdf
| عنوان= 1.4 - SMALL SIGNAL MODEL OF THE BJT
| صفحة = 3
| موقع= Georgia Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 فبراير 2019}}</ref> يستعمل هذا النموذج عندما يكون التأرجح حول نقطة العمل صغيراً بما يكفي ليسمح بتقريب تأثير عنصر غير خطي على مطال الإشارة إلى تأثير عنصر خطي، وذلك من أجل مطالات صغيرة ومحددة.<ref name="Web-38">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Ming Wu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190210204358/https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp08/discussions/discussion3.pdf
| تاريخ أرشيف = 10 فبراير 2019
| مسار= https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp08/discussions/discussion3.pdf
| عنوان= Discussion 3 - Large‐Signal vs. Small‐Signal Analysis
| صفحة = 1
| موقع= EECS University of California, Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 فبراير 2019}}</ref> رياضيّاً، تستعمل عملية [[نمذجة علمية|النمذجة]] من أجل التخلّص من العناصر غير الخطيّة في معادلات الترانزستور، ولتبسيط العلاقات بين المحددات اعتماداً على معادلات خطيّة فقط.<ref name="Web-96">{{استشهاد بويب
| مؤلف =Jan Van der Spiegel
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20150514035701/https://www.seas.upenn.edu/~ese319/Lecture_Notes/Lec_6_BJTSmSig1_13.pdf
| تاريخ أرشيف = 14 مايو 2015
| تاريخ = 18 سبتمبر 2013
| مسار= https://www.seas.upenn.edu/~ese319/Lecture_Notes/Lec_6_BJTSmSig1_13.pdf
| عنوان= BJT Biasing Cont. & SmallSignal Model
| صفحة = 8,23
| موقع= UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 أبريل 2019}}</ref>

من الأمثلة على نماذج الإشارات الصغيرة، نموذج آر إي،<ref name="Web-39">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Chitralekha Mahanta
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190210205653/https://www.academia.edu/37994390/BJT_SMALL_SIGNAL_ANALYSIS_ECE.pdf
| تاريخ أرشيف = 10 فبراير 2019
| مسار= https://www.academia.edu/37994390/BJT_SMALL_SIGNAL_ANALYSIS_ECE_pdf
| عنوان= BJT Small Signal Analysis
| صفحة = 12
| موقع= www.academia.edu
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 فبراير 2019}}</ref> والنموذج المكافِئ الهجين<ref name="Web-225"/> ونموذج باي الهجين.<ref name="Web-40">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Bart Van Zeghbroeck
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181216031224/http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_6.htm
| تاريخ أرشيف = 16 ديسمبر 2018
| تاريخ = ديسمبر 2004
| مسار= https://www.academia.edu/37994390/BJT_SMALL_SIGNAL_ANALYSIS_ECE_pdf
| عنوان= Chapter 5: Bipolar Junction Transistors - 5.6. BJT circuit models
| موقع= University of Colorado Boulder
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 10 فبراير 2019}}</ref>

===== حسب نموذج آر إي =====

{| class="wikitable"
|-
|+ المحددات الرئيسة لأشهر دارات التحييز حسب نموذج آر إي<ref name = "Book-7">Electronic devices and circuit theory; P.348-368</ref>
! دارة التحييز !!  إعداد الوصلة !! الدارة المتناوبة المكافئة !!معاوقة الدخل<br /> <math>Z_{i}</math> !! معاوقة الخرج <br /> <math>Z_{o}</math>!! ربح الجهد <br /> <math>A_{v}</math>!! ربح التيار <br /> <math>A_{o}</math>|| ملاحظات
|-
| [[ملف:PNP BJT common Base bias.svg|150بك|]] || قاعدة مشترك || [[ملف:PNP BJT common base re model.svg|200بك]] {{refn|أهملت المقاومة <math>r_{o}</math> لتسهيل الحسابات.|name="SDE"|group=lower-alpha}} || {{وسط|<math>R_{E}||r_{e}</math>}} || {{وسط|<math>R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>\frac{\alpha.R_{C}} {r_{e}}</math>}} || {{وسط|<math>-\alpha</math>}}|| الترانزستور من نوع PNP.
|-
| [[ملف:NPN BJT Fixed bias-1.svg|150بك|]] || [[الباعث المشترك|باعث مشترك]] <br /> (تحييز ثابت) || [[ملف:NPN BJT Fixed-bais re model.svg|200بك]] || {{وسط|<math>R_{B}||\beta.r_{e}</math>}} || {{وسط|<math>R_{C}||r_{o}</math>}}|| {{وسط|<math>-\frac{R_{C}||r_{o}}{r_{e}}</math>}}|| {{وسط|<math>\frac{\beta.R_{B}.r_{o}}{(r_{o}+R_{C})(R_{B}+\beta.r_{e})}</math>}} || هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج.
|-
| [[ملف:NPN BJT Stabilized Emitter Biasing Circuit.svg|150بك|]]{{refn|يمكن أن تضاف مكثفة <math>C_{E}</math> على التفرع مع مقاومة الباعث <math>R_{E}</math>، وعندها تصبح هذه المقاومة خارج حسابات الدارة المتناوبة وتؤول هذه الدارة إلى دارة الانحياز الثابت.|name="SDE1"|group=lower-alpha}} || باعث مشترك <br /> (الباعث المستقر) || [[ملف:NPN BJT Staiblized-emitter-bais re Model.svg|200بك]] {{refn|group=lower-alpha|name="SDE"}}|| {{وسط|<math> R_{B}||Z_{b}</math>}}
{{refn|و<math>Z_{b}= \beta.r_{e}+ (\beta + 1).R_{E}</math>.|name="SDE3"|group=lower-alpha}}
|| <math>R_{C}</math> || {{وسط|<math>- \frac{\beta.R_{C}}{Z_{b}}</math>}} {{refn|group=lower-alpha|name="SDE3"}}|| {{وسط|<math>\frac{\beta.R_{B}}{R_{B}+Z_{b}}</math>}}  {{refn|group=lower-alpha|name="SDE3"}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج.
|-
| [[ملف:NPN BJT Voltage-divider bias-1.svg|150بك|]] || باعث مشترك <br /> (مقسم الجهد) || [[ملف:NPN BJT voltage-divider-bais re model.svg|200بك]] || {{وسط|<math>R^\prime||\beta.r_{e}</math>}} {{refn|و<math>R^\prime =R_{1} || R_{2} = \frac{R_{1}.R_{2}}{R_{1}+R_{2}}</math>.|name="SDE2"|group=lower-alpha}}|| {{وسط|<math>R_{C}||r_{o}</math>}}|| {{وسط|<math>- \frac{R_{C}||r_{o}}{r_{e}}</math>}} || {{وسط|<math>\frac{\beta.R^\prime.r_{o}}{(r_{o}+R_{C})(R^\prime+\beta.r_{e})}</math> {{refn|group=lower-alpha|name="SDE2"}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج.
|-
| [[ملف:NPN BJT Feed-back Biasing Circuit.svg|150بك|]]  || باعث مشترك<br /> (تغذية عكسية) || [[ملف:NPN BJT Feed-back-bais re Model.svg|200بك]] {{refn|group=lower-alpha|name="SDE"}} || {{وسط|<math>\frac{\beta.r_{e}}{1+\frac{\beta.r_{e}}{R_{F}}.\biggr[ 1 + \frac{R_{C}}{r_{e}}\biggr]}</math>}} || {{وسط|<math>R_{C}||R_{F}</math>}} || {{وسط|<math>- \frac{R_{C}}{r_{e}}</math>}} || {{وسط|<math> \frac{\beta.R_{F}}{R_{F}+\beta.R_{C}}</math>}} || هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج.
|-
| [[ملف:NPN BJT common collector Biasing Circuit.svg|150بك|]] || مجمع مشترك <br /> (متتبع الباعث) || [[ملف:NPN BJT Fixed-bais common collector re Model.svg|200بك]] {{refn|group=lower-alpha|name="SDE"}} || {{وسط|<math> R_{B}||Z_{b}</math>}}  {{refn|group=lower-alpha|name="SDE3"}} || {{وسط|<math>R_{E}||r_{e}</math>}} || {{وسط|<math>\frac{R_{E}}{R_{E}+r_{e}}</math>}} || {{وسط|<math>- \frac{(\beta+1).R_{B}}{R_{B}+Z_{b}} </math>}} {{refn|group=lower-alpha|name="SDE3"}} || -
|-
|}
'''الملاحظات'''
{{مراجع|group=lower-alpha}}
===== حسب النموذج المكافئ الهجين =====

{| class="wikitable"
|-
|+ المحددات الرئيسة لأشهر دارات التحييز حسب النموذج المكافئ الهجين<ref name = "Book-9">Electronic Devices and Circuit Theory, P.369-375</ref>
! دارة التحييز !!  إعداد الوصلة !! الدارة المتناوبة المكافئة !!معاوقة الدخل<br /> <math>Z_{i}</math> !! معاوقة الخرج <br /> <math>Z_{o}</math>!! ربح الجهد <br /> <math>A_{v}</math>!! ربح التيار <br /> <math>A_{o}</math>|| ملاحظات
|-
| [[ملف:PNP BJT common Base bias.svg|150بك]] || قاعدة مشتركة|| [[ملف:PNP BJT common base Hybrid Equivalent model.svg|200بك]] || <math>R_{E}||h_{ib}</math> || {{وسط|<math>R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-\frac{h_{fb}.R_{C}}{h_{ib}}</math>}}{{refn|تكون قيمة المعامل <math>h_{fb}</math> سالبة، لذلك فربح الجهد موجب في هذه الوصلة.|name="SDE"|group=lower-alpha}}|| {{وسط|<math>h_{fb}</math>}} ||
الترانزستور من نوع PNP.
|-
| [[ملف:NPN BJT Fixed bias-1.svg|150بك]]|| باعث مشترك<br />(تحييز ثابث)|| [[ملف:NPN BJT Fixed-bais Hybrid Equivalent model.svg|200بك]] || <math>R_{B}||h_{ie}</math> || {{وسط|<math>R_{C}||\frac{1}{h_{oe}}</math>}} || <math>-\frac{h_{fe}.(R_{C}||\frac{1}{h_{oe}})}{h_{ie}}</math> || {{وسط|<math>h_{fe}</math>}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
| [[ملف:NPN BJT Stabilized Emitter Biasing Circuit.svg|150بك]]|| باعث مشترك<br />(الباعث المستقر)|| [[ملف:NPN BJT Staiblized-emitter-bais Hybrid Equivalent Model.svg|200بك]]|| <math>R_{B}||Z_{b}</math>{{refn|و<math>Z_{b} = h_{ie} + R_{E}</math>.|name="SDE5"|group=lower-alpha}} || {{وسط|<math>R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-\frac{h_{fe}.R_{C}}{Z_{b}}</math>}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}} || <math>\frac{h_{fe}.R_{B}}{R_{B}+Z_{b}}</math> {{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
| [[ملف:NPN BJT Voltage-divider bias-1.svg|150بك]] || باعث مشترك<br />(مقسم الجهد)||  [[ملف:NPN BJT voltage-divider-bais Hybrid Equivalent Model.svg|200بك]] || <math>R^\prime||h_{ie}</math>{{refn|و<math>R^\prime =R_{1} || R_{2} = \frac{R_{1}.R_{2}}{R_{1}+R_{2}}</math>.|name="SDE2"|group=lower-alpha}} || {{وسط|<math>R_{C}</math>}} || <math>-\frac{h_{fe}.(R_{C}||\frac{1}{h_{oe}})}{h_{ie}}</math> || <math>\frac{h_{fe}.R^\prime}{R^\prime+h_{ie}}</math> {{refn|group=lower-alpha|name="SDE2"}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
| [[ملف:NPN BJT common collector Biasing Circuit.svg|150بك]] || مجمع مشترك<br />(تحييز ثابث)|| [[ملف:NPN BJT Fixed-bais common collector Hybrid Equivalent Model.svg|200بك]] || <math>R_{B}||Z_{b}</math>{{refn|و<math>Z_{b} = h_{ic} + R_{E}</math>.|name="SDE3"|group=lower-alpha}} || <math>R_{E}||\frac{h_{ic}}{1+h_{fc}}</math> || {{وسط|<math>\frac{R_{E}}{R_{E}+\frac{h_{ic}}{h_{fc}}}</math> }}|| {{وسط|<math>\frac{h_{fc}.R_{B}}{R_{B}+Z_{b}}</math>}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE3"}}|| -
|}
'''الملاحظات'''
{{مراجع|group=lower-alpha}}

===== حسب نموذج باي الهجين =====

{| class="wikitable"
|-
|+ المحددات الرئيسة لأشهر دارات التحييز حسب نموذج باي الهجين<ref name="Web-61">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20171010194934/http://web.mit.edu/6.101/www/s2017/handouts/L03.pdf
| تاريخ أرشيف = 10 أكتوبر 2017
| تاريخ = 2017
| مسار= http://web.mit.edu/6.101/www/s2017/handouts/L03.pdf
| عنوان= L03 - Bipolar junction Transistor
| صفحة = 44
| موقع= MIT
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 9 مارس 2019|url-status=dead}}</ref>
! دارة التحييز !!  إعداد الوصلة !! الدارة المتناوبة المكافئة !!معاوقة الدخل<br /> <math>Z_{i}</math> !! معاوقة الخرج <br /> <math>Z_{o}</math>!! ربح الجهد <br /> <math>A_{v}</math>!! ربح التيار <br /> <math>A_{o}</math>|| ملاحظات
|-
| [[ملف:PNP BJT common Base bias.svg|150بك]] || قاعدة مشتركة  || [[ملف:PNP BJT Common-base biased Hybrid pi Model.svg|200بك]]|| {{وسط|<math>\frac{r_{\pi}}{\beta+1}</math>}} || {{وسط|<math>r_{o}||R_{C}</math>}} || {{وسط|<math> \frac{g_{m}.R_{C}}{r_{\pi}||R_{E}}</math>}} || {{وسط|<math> \frac{\beta}{\beta+1}</math>}} || الترانزستور من النوع PNP.
|-
| [[ملف:NPN BJT Fixed bias-1.svg|150بك]] || باعث مشترك <br /> (تحييز ثابت)|| [[ملف:NPN BJT Fixed-bais Hybrid pi Model.svg|200بك]] ||{{وسط|<math>R_{B} || r_{\pi}</math>}} ||  {{وسط|<math>r_{o} || R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-g_{m}.R_{C}</math>}}  || {{وسط|<math>\beta</math>}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
|[[ملف:NPN BJT Stabilized Emitter Biasing Circuit.svg|150بك]] || باعث مشترك <br /> (باعث مستقر)|| [[ملف:NPN BJT Stabilized-emitter bias Hybrid Pi Model.svg|200بك]] ||{{وسط|<math>R_{B} || Z_{b}</math>}} {{refn|و<math>Z_{b}</math> هي المقاومة منظورة من القاعدة وتحسب بالعلاقة: <math>Z_{b} = r_{\pi} +(\beta + 1). R_{E} </math>.|name="SDE5"|group=lower-alpha}}||  {{وسط|<math>r_{o} || R_{C}</math>}} || {{وسط|<math>-\frac{g_{m}.R_{C}}{Z_{b}}</math>}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}} || {{وسط|<math>\beta</math>}}|| هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
| [[ملف:NPN BJT Voltage-divider bias-1.svg|150بك]]{{refn|في الحسابات، يُهمل أثر <math>C_{E}</math> واعتبرت غير موجودة.|name="SDE1"|group=lower-alpha}} || باعث مشترك <br /> (مُقسّم الجهد)||  [[ملف:NPN BJT voltage-divider-bias Hybrid Pi Model.svg|200بك]] || {{وسط|<math>Z_{b} || R^\prime </math>}}{{refn|حيث <math>R^\prime</math> تحسب بالعلاقة: <math>R^\prime = R_{1}||R_{2}</math>|name="SDE2"|group=lower-alpha}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}}||{{وسط|<math> r_{o} || R_{C} </math>}} ||{{وسط|<math> \frac{-g_{m}.R_{C}}{Z_{b}} </math>}}{{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}} || {{وسط|<math>\beta</math>}} || هناك فرق طور 180 درجة بين جهدي الدخل والخرج
|-
|  [[ملف:NPN BJT common collector Biasing Circuit.svg|150بك]] || مُجمّع مشترك || [[ملف:NPN BJT Fixed-bais common collector Hybrid Pi Model.svg|200بك]]||{{وسط|<math>Z_{b} || R_{B} </math>}}  {{refn|group=lower-alpha|name="SDE5"}} || {{وسط|<math>\biggr[ \frac{r_{\pi} + R_B}{\beta +1}\biggr] || R_{E} </math>}} || {{وسط|<math>\approx 1</math>}}|| {{وسط|<math>\beta +1</math>}}|| -
|}
'''الملاحظات'''
{{مراجع|group=lower-alpha}}

==== الإشارات الكبيرة ====
[[ملف:BJT-based Large-Signal Amplifier-Efficiency and Conduction Angle-ar.svg|300بك|تصغير|الكفاءة وزاوية التوصيل لأصناف متعددة لمضخم إشارات كبيرة باستعمال ترانزستور ثنائي القطب]]
قد يعمل الترانزستور مضخماً للإشارات الكبيرة {{إنج|Large-signal amplifier}}، ويسمى عندها أيضاً مضخم الاستطاعة {{إنج|Power amplifier}}، والهدف هو الدارة هو نقل كمية استطاعة كبيرة إلى حمل يوصل على خرج الترانزستور.<ref name="Web-97">{{استشهاد بويب
| مؤلف =R. VICTOR JONES
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180324203226/http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_6/pdfs/486-a.pdf
| تاريخ أرشيف = 24 مارس 2018
| تاريخ = 2001
| مسار= http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_6/pdfs/486-a.pdf
| عنوان= BJT Biasing Cont. & SmallSignal Model
| صفحة = 23
| موقع= Harvard College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 أبريل 2019|url-status=dead}}</ref>

يستطيع الترانزستور، الذي يعمل مضخماً للاستطاعة، أن يتعامل مع إشارة دخل من مرتبة عدة [[فولت]]ات. تكون قيمة العامل بيتا في هذا النوع من الترانزستورات أقل 100، ويكون المضخم ذو ربحِ جُهدٍ مُعتدل أو صغير، ولكن ميزته الأساسيّة هي قدرته على التعامل مع [[قدرة كهربائية|استطاعة]] مرتفعة تبلغ عدة عشرات من [[واط|الواطات]] بدون مشاكل، وعادة ما يكون تيار الدخل فيه من مرتبة الميلي [[أمبير]]، وتيار الخرج من مرتبة مئات الميلي أمبير.<ref name = "Book-106">Electronic devices and circuit theory ; P.679-681</ref>

تُصنّف مُضخّمات الإشارات الكبيرة إلى أصناف، ويكون التصنيف على أساس زاوية التوصيل{{للهامش|8}} الخاصّة بإشارة الخرج مقارنة مع إشارة الدخل خلال دور واحد، إذا كانت زاوية التوصيل هي 360 درجة مئوية، أي كامل دور الإشارة، فيكون المضخم من الصنف (A)، وإذا كانت زاوية التوصيل هي 180 درجة، فإن المضخم يكون من الصنف B، أمّا إذ كانت قيمة زاوية التوصيل بين القيمتين 180 و360 درجة، فإن المُضخم يكون من الصنف AB، ويكون المضخم من الصنف C إذا كانت زاوية التوصيل أقل من 180 درجة، أمّا إذا عمل في نمط النبضات، فتكون زاوية التوصيل صغيرة جداً، يكون المضخم من الصنف D.<ref name = "Book-105">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Douglas Self
|عنوان= Audio Power Amplifier Design Handbook
|مسار= https://archive.org/details/isbn_9780240521626
|صفحة=[https://archive.org/details/isbn_9780240521626/page/31 31]-32
|سنة= 2009
|ناشر= Taylor & Francis
|ردمك= 9780240521626
|لغة= en
}}</ref>

تٌعرّف كفاءة المضخم <math>\eta</math>، بأنّها نسبة الاستطاعة المُتناوبة في الخرج إلى الاستطاعة المستمرة المقدمة في الدخل، ويكون لكل صنف فعالية خاصة به، فهي تتراوح بين 25% و50% من أجل الصنف A، وبين 25% و78.5% للصنف AB، وتبلغ حتى 78.5% من أجل الصنف B، في حين تتجاوز 90% للصنف D.<ref name="Web-55">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Bruce McNair
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180517043928/http://personal.stevens.edu/~bmcnair/EE359-F09/lecture16.pdf
| تاريخ أرشيف = 17 مايو 2018
| مسار= http://personal.stevens.edu/~bmcnair/EE359-F09/lecture16.pdf
| عنوان= Output Stages and Power Output Stages and Power Amplifiers Amplifiers, Chapter 14: Classification of Output Stages Class A,B & AB Biasing AB Power BJT
| موقع= Stevens Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 25 فبراير 2019}}</ref>

هناك أصناف أخرى من مضخمات الاستطاعة هي الصنف D، الصنف F، والصنف G وغيرها، وتكون ذات كفاءة مرتفعة تتجاوز 90% وتعتمد في عملها على [[تضمين عرض النبضة]].<ref name="Web-54">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20160624210025/http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amplifier-classes.html
| تاريخ أرشيف = 24 يونيو 2016
| مسار= http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amplifier-classes.html
| عنوان= Amplifier Classes

| موقع= AspenCore
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 25 فبراير 2019}}</ref>
<gallery>
BJT Class A amplifer output.svg|تيار الخرج لترانزستور ثنائي القطب يعمل مضخماً للإشارات الكبيرة من الصنف A، زاوية التوصيل هي 360 درجة.
BJT Class AB amplifer output.svg|تيار الخرج لترانزستور ثنائي القطب يعمل مضخماً للإشارات الكبيرة من الصنف AB، زاوية التوصيل هي بين 180 و 360درجة.
BJT Class B amplifer output.svg| تيار الخرج لترانزستور ثنائي القطب يعمل مضخماً للإشارات الكبيرة من الصنف B، زاوية التوصيل هي 180 درجة.
BJT Class C amplifer output.svg|تيار الخرج لترانزستور ثنائي القطب يعمل مضخماً للإشارات الكبيرة من الصنف C، زاوية التوصيل أقل من 180درجة.
Class-AB common-emitter anim.gif|صورة متحركة لإشارتي الدخل والخرج في مضخم ترانزستوري من الصنف AB، يُمثل المنحي الأحمر إشارة الدخل والأخضر إشارة الخرج.
Class-C common-emitter anim.gif|صورة متحركة لإشارتي الدخل والخرج في مضخم ترانزستوري من الصنف C، يُمثل المنحي الأحمر إشارة الدخل والأخضر إشارة الخرج.
PWM 3L.gif|صورة متحركة لإشارتي الدخل والخرج في مضخم ترانزستوري من الصنف D، يُمثل المنحي الأحمر إشارة الدخل والخط البياني الأخضر إشارة الخرج.
</gallery>

===== الصنف A =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN BJT Class A Transformer-Coupled Amplifier circuit.svg
 | width1 = 133
 | alt1 =
 | caption1 = دارة التحييز الثابت لترانزستور ثنائي القطب NPN يعمل مضخماً للإشارات الكبيرة من الصنف A. وصلت مقاومة الحمل عبر محول لرفع كفاءة استطاعة الخرج.
 | image2 = NPN BJT large- signal class A Transformer-Coupled amp output characteristics-ar.svg
 | width2 = 167
 | alt2 =
 | caption2  =  ميزة الخرج، ويظهر فيها خط الحمل المستمر موازياً لمحور تيار الخرج، في حين يعتمد خط الحمل المتناوب على مقاومة الحمل بعد نقلها إلى دارة المحول الأولية.
 | footer = {{وسط|مضخم للإشارات الكبيرة من الصنف A، وصلت مقاومة الحمل عبر محول}}
}}
يُصنف مُضخّم الإشارات الكبيرة على أنه من الصنف A إذا كانت قيمة زاوية التوصيل هي 360 درجة مئوية. هناك نوعين من دارات المضخمات الترانزستورية من الصنف A، ويجري التصنيف حسب طريقة توصيل الحمل على خرج الترانزستور، تسمى الدارة الأولى بدارة المُضخِّم بالتغذية التتابعيّة {{إنج|Series-fed Amplifier circuit}}، وفيها يوصل الحمل مباشرة إلى خرج الترانزستور، فيما تسمى الدارة الثانية بدارة المضخم المقرون بالمحول {{إنج|Transformer-Coupled Amplifier circuit}}.<ref name = "Book-109">Electronic devices and circuit theory ; P.681-687</ref>

تتشابه دارة التغذية التتابعيّة مع دارات تحييز الترانزستور لتضخيم الإشارات الصغيرة، سواء بالتصميم أو بطريقة الدراسة، ويكون الاختلاف الأساسيّ هو قيم جهود التغذية وتيار الدخل. يجري التعبير عن استطاعة الخرج باستعمال [[جذر متوسط مربع|الجذر المتوسط التربيعي]] لجهد وتيار الخرج، أو القيمة المطلقة لقمة الإشارة المتناوبة فيهما، أو القيمة المعبرة عن التغيير بين أدنى مستوى وأعلى مستوى لهما، والتي تسمى القيمة من القمة إلى القمة،{{للهامش|9}} وبكل الأحوال لا يمكن أن تتجاوز كفاءة استطاعة الخرج في هذه الدارة 25%.<ref name = "Book-110">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Ravish Aradhya H V
|عنوان= Basic Electronics
|صفحة=176-177
|سنة= 2013
|ناشر= McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd,
|ردمك= 007133310X
|لغة= en
}}</ref>

أمّا دارة المضخم المقرون بالمحول، فتستعمل بشكل أساسي لرفع كفاءة استطاعة الخرج، ويُمكن نظرياً أن تصل كفاءة المضخم من الصنف A عند استعمال هذه الدارة حتى 50%. لتحقيق ذلك، يُوصَل الحمل إلى دارة الخرج عبر [[محول|مُحوّل]] له معامل اقتران <math>a</math> {{للهامش|10}}، ويمكن اعتماداً على ذلك نقل مقاومة الحمل <math>R_L</math> إلى دارة المُحوّل الأوليّة باستعمال العلاقة:<ref name = "Book-107">Electronics (fundamentals And Applications) ; P.188</ref>
{{وسط|<math>R_L^\prime=a^2.R_L</math>}}
: حيث <math>R_L^\prime</math> هي مقاومة الحمل في دارة المحول الثانوية منظورةً من دارة المحول الأوليّة.

عند التحليل المُتناوب للدارة السابقة، تكون المقاومة في الدارة المتناوبة المكافئة صفريّة، ويكون خط الحمل المُستمر عندها مُستقيماً يوازي محور تيار الخرج، أمّا خط الحمل المُتناوب فيشمل على المقاومة <math>R_L^\prime</math>، ويكون ذو ميلٍ سالب. على أيّ حال، يتقاطع خطا الحمل المُستمر والمُتناوب مع المنحني الممثل لتيار الدخل في نقطة العمل.<ref name = "Book-108">{{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= U.A.Bakshi
|مؤلف2= A.P.Godse
|عنوان= Power electronics - II
|صفحة=23-7
|سنة= 2009
|ناشر= Technical Publications
|ردمك= 9788184316131
|لغة= en
}}</ref>

===== الصنف B =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Class B power amplifier voltage supplies-ar.svg
 | width1 = 185
 | alt1 =
 | caption1 = طريقتين مختلفتين لتغذية مضخمين من الصنف B
 | image2 = BJT Class B amplifying action-ar.svg
 | width2 = 115
 | alt2 =
 | caption2  = ميزة الخرج وموقع نقطة العمل
 | footer = {{وسط|مضخم الإشارات الكبيرة الترانزستوري ثنائي القطب من الصنف B.}}
}}

{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = Complementary-Symmetry Circuits Class B amplifer.svg
 | width1 = 140
 | alt1 =
 | caption1 = الدارة المُتتامة التناظرية
 | image2 = Transformer-Coupled Push–Pull Class B amplifier.svg
 | width2 = 160
 | alt2 =
 | caption2  = دارة مقرونة مع محوّل دخل وخرج
 | footer = مضخم إشارات كبيرة ترانزستوري ثنائي القطب من الصنف B.
}}

مضخمات الاستطاعة من الصنف B {{إنج|Class B power amplifier}} هي المضخمات التي تكون زاوية التوصيل فيها 180 درجة، وهذا يعني أن نصف دور إشارة الدخل سوف يمر إلى الخرج فقط، نتية لذلك، يستخدم زوج من الترانزستورات في هذا النوع من المضخمات، وتحيّز بحيث تكون نقطة العمل على حدود منطقة القطع، أي أن الترانزستور يضخم أي إشارة موجبة ترد إى مدخله إذا كان النوع PNP وأي إشارة سالبة إذا كان من النوع NPN.<ref name="Web-51">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181208115842/https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_6.html
| تاريخ أرشيف = 8 ديسمبر 2018
| مسار= https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_6.html
| عنوان= Class B Amplifier
| موقع= AspenCore
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 مارس 2019}}</ref>

إذا كان الترانزستوران المستعملان من النوع نفسه، فيجب عندها تغذية أحدهما بإشارة الدخل بعد إزاحتها بزاوية 180 درجة، ومن الأمثلة على هذه الدارات دارة مضخم الصنف B المقرونة مع محوّل {{إنج|Transform-coupled circuit}}، وهي تحتوي على ترانزستورين من النوع نفسه، ويُوصل مدخل إشارة أحدهما إلى أحد طرفي محوّل، ومدخل الثاني إلى طرف المحول الثاني، وتُسمّى هذه الدارة أيضاً دارة الدفع والجذب {{إنج|Push-Bull Circuit}}. أمّا إذا كان الترانزستوران المُستعملان من نوعين مختلفين، فإن الدارة تُسمّى الدارة المُتتامة التناظرية {{إنج|Complementary-Symmetry Circuit}} ويحييزا ليضخم أحدهما أي إشارة موجبة تطبق على مدخله، والثاني أي إشارة سالبة، ثُمّ ّيجري تغذيتهما مُباشرة بإشارة الدخل.<ref name = "JOU-4">{{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= zarin
|الأول= Taifoor
|مؤلف2-الأخير= Ashraf
|مؤلف2-الأول= Muhammad
|مؤلف3-الأخير= Sajid
|مؤلف3-الأول= Muhammad
|مؤلف4-الأخير= Javed
|مؤلف4-الأول= Mubashar
|مؤلف5-الأخير= Minhas
|مؤلف5-الأول= Daud
|صحيفة =
First International Conference on Emerging Trends in Engineering, Management and Scineces CETEMS-2014
|عنوان= Improved Efficient Class B Power Amplifier using Negative feedback
| تاريخ = ديسمبر 2014
|مسار = https://www.academia.edu/25447962/Improved_Efficient_Class_B_Power_Amplifier_using_Negative_feedback
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20200126091535/https://www.academia.edu/25447962/Improved_Efficient_Class_B_Power_Amplifier_using_Negative_feedback | تاريخ أرشيف = 26 يناير 2020 }}</ref>

أما الشكل الأكثر استعمالاً لمضخمات الاستطاعة من الصنف B فهو حالة خاصة من الدارة المُتتامة التناظرية، وفيها يستخدم زوج من الترانزستورات، حسب وصلة دارلينغتون، لتحقيق التضخيم في كل طرف. وتسمى هذه الدارة بمضخم الدفع والجذب شبه المُتتام التناظري {{إنج|Quasi-Complementary Push–Pull Amplifier}}.<ref name="Web-56">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Phillip Allen
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190304230724/http://pallen.ece.gatech.edu/Academic/ECE_6412/Spring_2004/L060-Push-Pull(2UP).pdf
| تاريخ أرشيف = 4 مارس 2018
| تاريخ = 2004
| مسار= http://pallen.ece.gatech.edu/Academic/ECE_6412/Spring_2004/L060-Push-Pull(2UP).pdf
| عنوان= LECTURE 060 – PUSH-PULL OUTPUT STAGES
| صفحة = 9
| موقع= Georgia Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 4 مارس 2019}}</ref>

تبلغ كفاءة استطاعة الخرج العظمى الممكنة في هذا الصنف من المضخمات 78.5%.<ref name="Web-53">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Deborah L. Sharer
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190224084215/https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/F4.pdf
| تاريخ أرشيف = 24 فبراير 2018
| تاريخ =أبريل 2012
| مسار= https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-776-high-speed-communication-circuits-spring-2005/lecture-notes/lec18.pdf
| عنوان= Section F4: Power Amplifier Circuits - Class B & AB
| صفحة = 7
| موقع= The University of North Carolina at Charlotte
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 24 فبراير 2019}}</ref>

===== الصنف C =====
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = BJT Class C amplifier circuit.svg
 | width1 = 105
 | alt1 =
 | caption1 = دارة التحييز
 | image2 = BJT Class C amplifying action-ar.svg
 | width2 = 195
 | alt2 =
 | caption2  = ميزة الخرج وموقع نقطة العمل
 | footer = {{وسط|مضخم الإشارات الكبيرة الترانزستوري ثنائي القطب من الصنف C.}}
}}
تعمل مضحمات الاستطاعة من الصنف C {{إنج|Class C power amplifier}} مع زاوية توصيل أقل من 180 درجة، وتكون ذات كفاءة مرتفعة تصل حتى 75%، ويعود ذلك أساساً إلى تحييز الترانزستور، حيث تكون نقطة العمل في منقطة القطع.<ref name="Web-60">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ernie Kim
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180517021627/http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/lec24ek.pdf
| تاريخ أرشيف = 17 مايو 2018
| تاريخ = 2001
| مسار= http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/lec24ek.pdf
| عنوان=Class C Amplifier
| صفحة = 1
| موقع= University of San Diego
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 8 مارس 2019}}</ref>

تحتوي دارة المضخم من الصنف C على دارة تلحين تضم ملفاً ومُكثّف، وُتختار قيمهما بحيث يحققان استجابة ترددية عظمى من أجل تردد محدد. نتيجة لذلك، تُوجد تطبيقات لمضخمات الصنف C في دارات الإرسال والاستقبال الإذاعي.<ref name="Web-65">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190316072429/https://www.elprocus.com/class-c-power-amplifier-circuit-and-tutorial/
| تاريخ أرشيف = 16 مارس 2017
| مسار= https://www.elprocus.com/class-c-power-amplifier-circuit-and-tutorial/
| عنوان= Class-C Power Amplifier Circuit and Tutorial
| موقع= Elprocus
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 مارس 2019}}</ref> أي أن دارة التلحين تلعب دور مرشح حزمة يسمح بمرور ويُضخّم إشارة بتردد محدد،<ref name="Web-62">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Deborah L. Sharer
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170421034905/http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_6/pdfs/reading26.pdf
| تاريخ أرشيف = 16 مارس 2019
| تاريخ = أبريل 2012
| مسار= https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/F2.pdf
| عنوان= Section F2: Classes of Amplifiers
| صفحة = 4
| موقع= The University of North Carolina at Charlotte
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 مارس 2019}}</ref> كما يُمكن أن يُستخدم هذا النوع من المضخمات أيضاً لتضخيم إشارات تحمل معلومات [[تضمين التردد|مضمنة ترددياً]]، حيث لا تتأثر المعلومات بأي تشوه حاصل لمطال الإشارة عند التضخيم.<ref name="Web-63">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170421034905/http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_6/pdfs/reading26.pdf
| تاريخ أرشيف = 21 أبريل2017
| تاريخ = مارس 2001
| مسار= http://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_6/pdfs/reading26.pdf
| عنوان= Amplifiers
| صفحة = 7
| موقع= Harvard College
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 16 مارس 2019|url-status=dead}}</ref>

=== قاطع إلكتروني ===
{{عدة صور|caption_align=center|header_align=center
 | align = left
 | image1 = NPN BJT switch application circuit.svg
 | width1 = 150
 | alt1 =
 | caption1 = الدارة الإلكترونية
 | image2 = BJT Switch ouput charataritcs-ar.svg
 | width2 = 150
 | alt2 =
 | caption2  = ميزة الخرج
 | footer = {{وسط|عمل ترانزستور ثنائي القطب قاطعاً إلكترونياً}}
}}
يمكن أن يعمل الترانزستور قاطعاً إلكترونياً، أي أداة إلكترونية مُتحكَّم في تيار خرجها بواسطة جهد الدخل. لتحقيق ذلك، يجب تصميم دارة التحييز بحيث ينتقل الترانزستور بين نمطي عمل، الأول هو نمط القطع ويوافق كون المفتاح الإلكتروني في وضع الفتح، والثاني هو نمط الإشباع ويوافق كون المفتاح الإلكتروني في وضع التوصيل.<ref name="Web-32">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Tarun Agarwal
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170821220319/https://www.elprocus.com/using-transistor-as-a-switch/
| تاريخ أرشيف = 21 أغسطس 2017
| مسار= https://www.elprocus.com/using-transistor-as-a-switch/
| عنوان= How To Use Transistor As A Switch
| موقع= elprocus
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 3 فبراير 2019}}</ref><ref name="Web-34">{{استشهاد بويب
| تاريخ أرشيف = 18 نوفمبر 2017
| تاريخ = 15 فبراير 2015
| مسار= https://www.quora.com/How-does-a-transistor-act-as-a-switch
| عنوان= How does a transistor act as a switch?
| موقع= quora.com
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 3 فبراير 2019}}</ref>

 تُنفَّذ الدارة التي تحقق العمل السابق بواسطة وصلة باعث مشترك، مع إمكانية توصيل القاعدة إلى جهد التغذية أو إلى نقطة تأريض. ويجري اختيار مقاومتي المجمع <math>R_{C}</math> والقاعدة <math>R_{B}</math> بحيث تحققان نقطتي عمل في منطقتي القطع والإشباع، توافق الأولى حالة الفتح للمفتاح والثانية حالة التوصيل.<ref name="Web-33">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20171118154911/http://www.electronicshub.org/transistor-as-switch
| تاريخ أرشيف = 18 نوفمبر 2017
| تاريخ = 15 فبراير 2015
| مسار= https://www.electronicshub.org/transistor-as-a-switch/
| عنوان= Transistor as Switch
| موقع= Electronicshub.org
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 3 فبراير 2019}}</ref>

يجري أولاً تحديد قيمة جهد التغذية <math>V_{CC}</math>، ثُمّ تيار الإشباع <math>I_{C_{sat}}</math>، ويرتبط الاثنان بالعلاقة التالية:

{{وسط|<math>I_{C_{sat} = \frac {V_{CC}}{{R_{C}}}}</math>}}

يرتبط تيار القاعدة <math>I_{B}</math> مع تيار المجمع بالعلاقة التالية:

{{وسط|<math> I_{B}  = \frac {I_{C_{sat}}}{\beta_{dc}}</math>}}

وبعد ذلك يمكن حساب مقاومة القاعدة من العلاقة:

{{وسط|<math> R_{B}  = \frac {V_{i} - V_{BE}}{I_{B}}</math>}}

: حيث <math>V_{i}</math> هو جهد الدخل المطبق على القاعدة في حالة القطع.

يُمكن أن تستعمل الدارة السابقة كدارة منطقية تقدم وظيفة [[عاكس (بوابة منطقية)|العاكس]].<ref name="Web-35">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20161206155419/https://electronics.stackexchange.com/questions/30238/how-to-invert-a-digital-signal
| تاريخ أرشيف = 6 ديسمبر 2016
| تاريخ = 18 أبريل 2012
| مسار= https://electronics.stackexchange.com/questions/30238/how-to-invert-a-digital-signal
| عنوان= How to invert a digital signal
| موقع=  Stack Exchange Inc
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 3 فبراير 2019}}</ref>

== الاستجابة الترددية ==
[[ملف:BJT amplifier Frequency response-en.svg|300بك|تصغير|الاستجابة الترددية لمضخم ترانزستوري ثنائي القطب، في الأعلى من أجل قيمة نسبية لربح الجهد وفي الأسفل من أجل قيمة لوغاريتمية.]]
[[الاستجابة الترددية]] لمُضخّم هي التغيير في ربح المضخم كدالة لتردد إشارة الخرج.<ref name="Web-69">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190319220900/https://staff-old.najah.edu/sites/default/files/Chapter%2010.pdf
| تاريخ أرشيف = 19 مارس 2019
| مسار= https://staff-old.najah.edu/sites/default/files/Chapter%2010.pdf
| عنوان= Chapter 10: Amplifiers Frequency Response
| صفحة = 1
| موقع=  جامعة النجاح الوطنية
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 مارس 2019}}</ref> يستخدم [[مخطط بود]] لعرض الاستجابة الترددية، وهو يُمثّل ربح المضخم كتابع لتردد إشارة الدخل مقدراً بالهرتز، في حين يكون الربح عديمَ الواحدة أو مُقدراً بواحدة نسبيّة هي الديسبل. يأخذ المنحني المعبر عن الربح شكلاً هضبياً فيزداد الربح بشكل مطرد مع زيادة التردد حتى بلوغ قيمة تسمى تردد القطع الأدنى<math>f_{L}</math>، ويميل بعدها للاستقرار عند قيمة عُظمى وذلك من أجل مجال عريض من الترددات، قبل أن يعود الربح وينخفض بعد تجاوز التردد لقيمة محددة تُسمى تردد القطع الأعلى <math>f_{H}</math>. بناءً على ما سبق، يجري تقسيم الطيف الترددي الذي يعمل فيه المضخم إلى ثلاث أطياف فرعية، هي طيف الترددات المنفخضة والمتوسطة والمرتفعة. ويكون ربح المضخم مرتفعاً عند طيف الترددات المتوسطة ومنخفضاً عند طيف الترددات المنخفضة والمرتفعة.<ref name="Web-70">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Joel Schesser
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20060919042639/http://web.njit.edu/~joelsd/electronics/classwork/electronics2/BME373electronics2cw12.pdf
| تاريخ أرشيف = 19 سبتمبر 2006
| مسار= https://web.njit.edu/~joelsd/electronics/classwork/electronics2/BME373electronics2cw12.pdf
| عنوان= Frequency Response Lesson #12 Small Signal Equivalent Circuits for the BJT
| صفحة = 2
| موقع=New Jersey Institute of Technology
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 مارس 2019}}</ref>

في وصلة الباعث المشترك، تنخفض الاستجابة الترددية عند الترددات المنخفضة بسبب تأثير مكثفات التمرير <math>C_{S}</math> و<math>C_{C}</math> و<math>C_{E}</math>،التي توصل مع أقطاب الترانزستور لتحجب المركبات المركبات المستمرة وتمنع تأثيرها عن الترانزستور. أما عند الترددات المرتفعة، فلا يمكن إهمال الأثر السعوي الناتج عن المكثفات الطفيلية التي تظهر بين الباعث والقاعدة وبين المجمع والقاعدة، وهي السبب وراء انخفاض الربح عند هذه الترددات.<ref name="Web-71">
 Electronic Devices and Circuit Theory, P.501</ref>

يجري الاهتمام بحساب ترددات القطع الخاصّة بكل مكثف، وتردد القطع هو التردد الذي يحقق دارة الرنين، وهو التردد الذي تكون عنده قيمة المعاوقة أقل ما يمكن. يكون أثر الترددات تراكميّاً على منحني الربح سواء في حالة الترددات المنخفضة أو المرتفعة.

=== عند الترددات المنخفضة ===
[[ملف:BJT amplifer with pypass capacitors.svg|300بك|تصغير|مضخم ترانزستوري ثنائي القطب مع مكثفات التمرير التي تظهر باللون الأزرق. إعداد الوصلة: الباعث المشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد.]]
عند الترددات المُنخفضة، تنخفض قيمة كل من جهدي الدخل الخرج بسبب تابعية مكثفات العزل والتمرير للتردد، ويتأثر بذلك ربح المضخم، وكلما ازدادت قيمة التردد ضعُف أثر هذه المكثفات، حتى يصبح معدوماً وغير ذي أثر في الترددات المتوسطة والعالية، حيث تلعب هذه المكثفات دارات تمرير.

هناك تردد قطع يختص كل منها بمكثفة، الأول هو <math>f_{L_{S}}</math> وينتج عن المكثفة <math>C_{S}</math> الذي يربط بين منبع إشارة الدخل ومدخل المضخم، ويؤثر على قيمة جهد الدخل، أما الثاني فهو <math>f_{L_{L}}</math> وينتج عن المكثفة <math>C_{L}</math> وهي التي تربط الحمل بمخرج المضخم، وتُؤثّر على قيمة جهد الخرج، وأخيراً <math>f_{L_{Com}}</math> وهو ينتج عن المكثفة <math>C_{Com}</math>، التي توصل إلى القطب المشترك.

يحسب تردد القطع المرتبط بمكثف المنبع باستعمال العلاقة:<ref name="Web-73">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Leon Shterengas
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20161022064913/http://www.ece.sunysb.edu/~oe/Leon/ESE372S13/Lecture16.pdf
| تاريخ أرشيف = 22 أكتوبر 2017
| تاريخ =  أبريل 2013
| مسار= http://www.ece.sunysb.edu/~oe/Leon/ESE372S13/Lecture16.pdf
| عنوان= Last time: BJT CE low frequency response
| صفحة = 1
| موقع= The State University of New York
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 22 مارس 2017}}</ref>

{{وسط|<math>f_{L_{S}} = \frac{1}{2*\pi*(R_{s}+R_{i})*C_{S}}</math>}}

:حيث: <math>R_{s}</math> هي مقاومة منبع الدخل و <math>R_{i}</math> هي مقاومة الدخل لدارة المضخم، منظورة من المنبع، وتختلف قيمتها باختلاف دارة التوصيل والنموذج المكافئ المستعمل، فمثلاً في دارة التحييز بمقسم الجهد، وعند استعمال نموذج آر إي، تكون قيمة مقاومة الدخل:<ref name="Web-74">Electronic Devices and Circuit Theory, P.510</ref>

{{وسط|<math>R_{i} = R_{1} || R_{2} || \beta.r_{e}</math>}}

أما تردد القطع المرتبط بمكثفة الحمل فيحسب باستعمال العلاقة:<ref name="Web-73"/>

{{وسط|<math>f_{L_{L}} = \frac{1}{2*\pi*(R_{o}+R_{L})*C_{L}}</math>}}

:حيث: <math>R_{L}</math> هي مقاومة الحمل، و <math>R_{o}</math> هي مقاومة الخرج لدارة المضخم، منظورة من الحمل، وتختلف قيمتها باختلاف دارة التوصيل والنموذج المكافئ المستعمل، فمثلاً في دارة التحييز بمقسم الجهد، وعند استعمال نموذج آر إي، تكون قيمة مقاومة الخرج:

{{وسط|<math>R_{o} = R_{C} || r_{o} </math>}}

أما تردد القطع المرتبط بمكثفة القطب المشترك فتحسب باستعمال العلاقة:

{{وسط|<math>f_{L_{C}} = \frac{1}{2*\pi*R_{com}*C_{com}}</math>}}

:حيث: <math>R_{com}</math> هي مقاومة دارة المضخم، منظورة من القطب المشترك، وتختلف قيمتها باختلاف دارة التوصيل والنموذج المكافئ المستعمل، فمثلاً في دارة التحييز بمقسم الجهد، وعند استعمال نموذج آر إي، تكون مقاومة دارة المضخم منظورة من القطب المشترك هي:<ref name="Web-74"/>

{{وسط|<math>R_{com} = R_{E} ||(\frac{R_s^\prime}{\beta} + r_{e}) </math>}}

:: حيث <math>R_s^\prime</math> هي مقاومة الدخل منظورة من القطب المشترك، وتساوي في دارة التحييز بمقسم الجهد، وعند استعمال نموذج آر إي:<ref name="Web-74"/>
{{وسط|<math>R_s^\prime = R_{s} || R_{1}  || R_{2}  </math>}}

أما تردد القطع الأدنى <math>f_{L}</math>، فهو التردد الذي تصل قيمة الربح عنده إلى 0.707 على المقياس الخطي، أو 3- ديسبل على المقياس اللوغاريتمي، فيُحسب اعتمادا على ترددات القطع السفلية الجزئية باستعمال العلاقة:<ref name="Web-72">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Deborah L. Sharer
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170730131839/https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/H3.pdf
| تاريخ أرشيف = 30 يوليو 2017
| تاريخ =  أبريل 2012
| مسار= https://coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/H3.pd
| عنوان= Section H3: Low-frquency amplifier response
| صفحة = 2
| موقع= The University of North Carolina at Charlotte
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 22 مارس 2017|url-status=dead}}</ref>

{{وسط|<math>f_{L} = \sum_{i=1}^N \frac{1}{2*\pi*\tau_{i}} = \sum_{i=1}^N \frac{1}{2*\pi*R_{eqi}*C_{i}}  </math>}}

:حيث <math>N</math> هو عدد ترددات القطع السفلية الجزئية، و<math>R_{eqi}</math> هي المقاومة المكافئة للدارة <math>i</math> منظورة من المكثفة <math>C_{i}</math>.

=== عند الترددات المرتفعة ===
[[ملف:BJT amplifier with parasitic capacitors.svg|تصغير|300بك|مضخم ترانزستوري ثنائي القطب مع المكثفات الطفيلية التي تظهر باللون الأزرق، الوصلة: باعث مشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد.]]
[[ملف:NPN BJT voltage-divider-bais re model in high frequencies.svg|تصغير|300بك|نمذجة ترانزستور ثنائي القطب NPN بوصلة الباعث المشترك في حالة الترددات المرتفعة من أجل دارة التحييز بمقسم الجهد بواسطة نموذج آر إي، ويظهر أثر المكثفات الطفيلية في دارتي الدخل والخرج]]

ينخفض ربح المضخم عند الترددات المرتفعة بسبب تأثيرات سعوية أيضاً، ولا يكون لمُكثفات التمرير دور في ذلك، حيث تعامل معاملة درات قصر عند هذه الترددات. لكن، وبسبب الترددات المرتفعة، تظهر سعات {{وإو|مواسعة طفيلية|Parasitic capacitance|en|طفيلية}} بين أقطاب الترانزستور، وهي تُمثّل بثلاث مكثفات هي <math>C_{bc}</math> و<math>C_{be}</math> و <math>C_{ce}</math>. بالإضافة لذلك، هناك أثر سعوي لأسلاك التوصيل، لا يمكن إهماله أيضاً عند هذه الترددات، ويُمثل بمكثفتين هما <math>C_{W_{i}}</math> وتوصل بين مدخل المضخم والأرضي، و <math>C_{W_{o}}</math> توصل على التوازي مع الحمل. أخيراً، عند استعمال نموذج مكافئ للترانزستور لدراسة الاستجابة الترددية، هناك أثر سعوي آخر هو [[أثر ميلر]]، وهو تأثير سعوي بين القطبين غير المُشتركين اللذين يمثلان قطبي الدخل والخرج.<ref name="Web-75">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20060918131633/https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa98/lectures_fall_98/111698_lecture28.pdf
| تاريخ أرشيف = 18 سبتمبر 2006
| تاريخ = سبتمبر 1998
| مسار= https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa98/lectures_fall_98/111698_lecture28.pdf
| عنوان= Frequency Response of Transistor Amplifiers
| صفحة =9
| موقع= University of California at Berkeley
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 23 مارس 2019}}</ref> يُمثل أثر ميلر بمُكثّفة <math>C_{M_{i}}</math> في دارة الدخل وأخرى <math>C_{M_{o}}</math> في دارة الخرج.

من أجل وصلة باعث مُشترك، يحسب تردد القطع الأعلى لدارة الدخل باستعمال العلاقة:

{{وسط|<math>f_{H_{i}} = \frac{1}{2*\pi*R_{Th_{i}}*C_{i}}</math>}}

: حيث <math>C_{i}</math> هي مكثفة دارة الدخل المكافئة وتحسب بالعلاقة:

{{وسط|<math>C_{i} = C_{W_{i}} + C_{be} + C_{M_{i}} = C_{W_{i}} + C_{be} + (1-A_{v})*C_{bc}   </math>}}

: و<math>R_{Th_{i}}</math> هي مقاومة ثيفين المكافئة لدارة الدخل في النموذج المُستعمل منظورة من مكثفة الدخل <math>C_{i}</math> وتحسب بالعلاقة:

{{وسط|<math>R_{Th_{i}} = R_{s} || R _{i} </math>}}

:: و <math>R_{i}</math> هي مقاومة الدخل للدارة، وترتبط بدارة التحييز ونموذج الترانزستور المستخدمين.

[[ملف:BJT frequency response bode plot-en.svg|تصغير|300بك|مثال عن مخطط بود للاستجابة الترددية لترانزستور ثنائي القطب، إعداد الوصلة: الباعث المشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد، تظهر ترددات القطع الخاصة بمكثفات التمرير عند الترددات المنخفضة، والخاصة بالسعات الطفيليّة عند الترددات المرتفعة.]]
أمّا تردد القطع الأعلى لدارة الخرج فيُحسب باستعمال العلاقة:

{{وسط|<math>f_{H_{o}} = \frac{1}{2*\pi*R_{Th_{o}}*C_{o}}</math>}}

: حيث <math>C_{o}</math> هي مُكثفة دارة الدخل المكافئة وتحسب بالعلاقة:

{{وسط|<math>C_{o} = C_{W_{o}} + C_{ce} + C_{M_{o}} = C_{W_{o}} + C_{ce} + (1-\frac{1}{Av})*C_{bc} </math>}}

: حيث <math>R_{Th_{o}}</math> هي مقاومة ثيفين المكافئة لدارة الخرج في النموذج المُكافئ منظورة من مكثفة الدخل <math>C_{o}</math> وتحسب بالعلاقة:

{{وسط|<math>R_{Th_{o}} = R_{o} || R _{L} </math>}}

:: و <math>R_{o}</math> هي مقاومة الخرج للدارة، وترتبط بنوع وصلة التحييز ونموذج الترانزستور المكافئ المستخدم، فمثلاً في وصلة الباعث المشترك عند التحييز بمقسم الجهد واستعمال نموذج آر إي فهي تحسب بالعلاقة:
{{وسط|<math>R_{o} = r_{o} || R_{C} </math>}}

عند الترددات المرتفعة تتاثر قيمة العامل بيتا أيضاً بتردد الإشارة بشكل غير مباشر، حيث تتبع قيمة السعات الطفيلية، وتختلف قيمة تردد القطع الخاص بالعامل بيتا حسب وصلة الترانزستور وطريقة التحييز، ففي دارة التحييز بمقسم الجهد من أجل وصلة الباعث المشترك وعند استخدام نموذج آر إي، فإنّ قيمة تردد القطع الخاص بالعامل بيتا تُحسب باستخدام العلاقة:<ref name="Web-77">Electronic Devices and Circuit Theory, P.526</ref>

{{وسط|<math>f_{\beta} = \frac{1}{2*\pi*\beta_{mid}*r_e*(C_{be}+C_{bc})} </math>}}

:حيث <math>\beta_{mid}</math> هي قيمة العامل بيتا المُستعملة عند الترددات المنخفضة والمتوسطة.

أمّا إذا استُعمل نموذج باي الهجين فإن قيمة تردد القطع الخاص بالعامل بينا تُحسب بالعلاقة:<ref name="Web-79">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180713074648/https://www.ece.ucdavis.edu/sscrl/files/2015/10/chap9-sample.pdf
| تاريخ أرشيف = 13 يوليو 2018
| مسار= https://www.ece.ucdavis.edu/sscrl/files/2015/10/chap9-sample.pdf
| صفحة = 522
| عنوان = CHAPTER 9 Amplifier Frequency Response
| موقع=  University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 26 مارس 2019}}</ref>

{{وسط|<math>f_{\beta} = \frac{1}{2*\pi*r_\pi*(C_{\pi}+C_{\mu})} </math>}}

و يمكن إجراء الحسابات نفسها من أجل وصلتي القاعدة المشتركة والمجمع المشترك أيضاً باستعمال نموذج باي الهجين.<ref name="Web-76">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ernie Kim
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20171118185239/http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/bjtfreq.pdf
| تاريخ أرشيف = 18 نوفمبر 2017
| تاريخ = مارس 2001
| مسار= http://home.sandiego.edu/~ekim/e194rfs01/bjtfreq.pdf
| عنوان = HIGH-FREQUENCY RESPONSE OF SIMPLE BJT AMPLIFIERS
| موقع=  University of San Diego
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 23 مارس 2019}}</ref><ref name="Web-78">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Jan Van der Spiegel
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20140124165813/http://www.seas.upenn.edu/~ese319/Lecture_Notes/Lec_10_HF_Model_13.pdf
| تاريخ أرشيف = 24 يناير 2014
| مسار= https://www.seas.upenn.edu/~ese319/Lecture_Notes/Lec_10_HF_Model_13.pdf
| عنوان = High Frequency BJT Model Cascode BJT Amplifier
| موقع=  University of Pennsylvania
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 26 مارس 2019}}</ref>

أمّا تردد القطع الأعلى فيُحسب باستعمال العلاقة:<ref name="Web-80">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Ming C. Wu
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190327175843/https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa15/lectures/Lecture22-High%20Frequency%20Response.pdf
| تاريخ أرشيف = 27 مارس 2019
| تاريخ = سبتمبر 2015
| مسار= https://inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa15/lectures/Lecture22-High%20Frequency%20Response.pdf
| صفحة = 5
| عنوان = Lecture22-High Frequency Response
| موقع=  Berkeley University of California
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 27 مارس 2019}}</ref>

{{وسط|<math>f_{H}= \frac{1}{2*\pi*\sum_{i=1}^NR_{i}*C_{i}}</math>}}

:حيث <math>N</math> هو عدد السعات الطفيلية، و<math>C</math> هي سعة طفيلية، و<math>R</math> هي مقاومة الدارة منظورة من تلك السعة.

== مهارات أساسية ==

=== قراءة ورقة البيانات ===
[[ملف:Seleccion transistor catalogo.PNG|تصغير|300بك|جزء من {{وإو|ورقة البيانات|Datasheet|en|ورقة بيانات}} لعائلة الترانزستورات 2N2219XX، ويظهر فيها جزءا تقييم الحدود القصوى و المُحددات الحراريّة.]]
[[ورقة البيانات]] الخاصّة بعنصر إلكتروني ما هي وسيلة تواصل بين مصنعي العنصر الإلكتروني ومستخدميه، وهي تحتوي على المعلومات اللازمة للمستخدم من أجل إضافة العنصر واستعماله في نظامه الإلكتروني.<ref name="Web-86">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = F. Raymond Dewey
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170428072649/http://www.allegromicro.com/~/media/files/technical-documents/pub26000-complete-guide-to-datasheets.ashx
| تاريخ أرشيف = 28 أبريل 2017
| تاريخ = 1998
| مسار= http://www.allegromicro.com/~/media/files/technical-documents/pub26000-complete-guide-to-datasheets.ashx
| عنوان= A Complete Guide to Data Sheets
| صفحة = 2
| موقع=  Allegro MicroSystems, LLC
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 31 مارس 2019}}</ref> تكون ورقة البيانات الخاصة بالترانزستور مُقسّمة إلى عدد من الأجزاء الرئيسيّة، هي تقييم الحدود القصوى {{إنج|Maximum ratings}} و المحددات الحرارية والمحددات الكهربائية. يستعمل تقييم الحدود القصوى لتحديد الحد الأعلى لقيم التغذية والتي يسبب تجاوزها إحداث ضرر دائم في العنصر الإلكتروني، أما المُحددات الحرارية فتحدد درجة الحرارة المثالية لعمل الترانزستور بالإضافة لدرجات الحرارة القصوى بالاتجاهين العلوي والسفلي، أما المُحددات الكهربائيّة فتكون مقسومة إلى عدة أقسام فرعية أهمها التيار المستمر والتيار المتناوب.<ref name="Web-81">{{استشهاد بويب
| مؤلف = D. Grover
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180127162601/https://www.egr.msu.edu/classes/ece480/capstone/read_datasheet.pdf
| تاريخ أرشيف = 27 يناير 2018
| تاريخ = 5 يوليو 2002
| مسار= https://www.egr.msu.edu/classes/ece480/capstone/read_datasheet.pdf
| عنوان= How to Read a Datasheet
| صفحة = 3
| موقع= Michigan State University
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 30 مارس 2019}}</ref>

يضم قسم تقييم الحدود القصوى القيمة للجهد المطبق بين المجمع والقاعدة من أجل دارة باعث مفتوحة <math>V_{CBO}</math>، وبين المجمع والباعث من أجل دارة قاعدة مفتوحة <math>V_{CEO}</math>، وأيضاً تيار المجمع الأعظمي <math>I_{C}</math> وجهدي الدخل الأعظميين، الأمامي <math>V_{in_(fwd)}</math>والعكسي <math>V_{in_(rev)}</math>.<ref name="Web-82">{{استشهاد بويب
| مؤلف = D. Grover
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190330230029/https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AND9129-D.PDF
| تاريخ أرشيف = 30 مارس 2019
| تاريخ = ديسمبر 2013
| مسار= http://faculty.weber.edu/snaik/EE3110/ON-Understanding%20a%20Digital%20Transistor%20Datasheet.PDF
| عنوان= Understanding a Digital Transistor Datasheet
| صفحة = 1
| موقع= ON Semiconductor
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 30 مارس 2019}}</ref> أمّا قسم المُحددات الحراريّة فيضم قيمَ المحددات الحرارية التي تؤثر على عمل الترانزستور،<ref name="Web-83">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Daniel ROBERT
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180308184654/http://www.electronique-et-informatique.fr/anglais/Semi_conducteurs5_Suite2.html
| تاريخ أرشيف = 8 مارس 2018
| تاريخ = 5 أكتوبر 2015
| مسار= https://www.electronique-et-informatique.fr/anglais/Semi_conducteurs5_Suite2.html
| عنوان= EFFECTS OF THE TEMPERATURE ON THE OPERATION OF THE TRANSISTOR
| موقع= electronique-et-informatique
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 30 مارس 2019}}</ref> وبشكلٍ خاصّ [[مقاومة حرارية|مقاومته الحرارية]]، وهي مُحدد يُستعمل من قبل مُصنعي الترانزستور أو مُستخدميه لحساب درجة الحرارة المثاليّة لتشغيل الترانزستور.<ref name="Web-84">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Sherwin Rubin
| مؤلف2 = Frank F. Oettinger
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190331112748/https://www.govinfo.gov/content/pkg/GOVPUB-C13-3313670b6971f5928bc4a8f033a09f50/pdf/GOVPUB-C13-3313670b6971f5928bc4a8f033a09f50.pdf
| تاريخ أرشيف = 31 مارس 2019
| تاريخ = أبريل 1979
| مسار= https://www.govinfo.gov/content/pkg/GOVPUB-C13-3313670b6971f5928bc4a8f033a09f50/pdf/GOVPUB-C13-3313670b6971f5928bc4a8f033a09f50.pdf
| عنوان= Thermal resistance measurement on power transistor
| صفحة = 2
| موقع= U.S. Government Information
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 31 مارس 2019}}</ref>

أمّا قسم المُحددات الكهربائيّة فيكون مُجزءاً أيضاً إلى عدد من الأقسام الفرعيّة، أهمُها محددات التشغيل والتعطيل {{إنج|On - Off characteristics}} ومُحددات الإشارات الصغيرة، وتحتوي هذه الأقسام على جداول للمحددات الكهربائية تضمّ القيمَ الصُغرى والمثاليّة والعظمى وواحدات القياس المستعملة لكل منها.<ref name="Web-85">Electronic Devices and Circuit Theory, P.131</ref> وأخيراً، تحتوي ورقة البيانات على عدد من الرسوم البيانية التي تبين محددات متنوعة للترانزستور مثل ربح التيار كتابع للتردد وسعات الدخل والخرج كتوابع للجهود المُطبقة ويلي ذلك توصيفٌ فيزيائيّ لشكل العنصر وأبعاده.

=== تحديد النوع والدبابيس ===
[[ملف:BJT Teminal Identificaion-ar.svg|تصغير|300بك|أمثلة مُتعددة لتحديد دبابيس ترانزستور ثنائي القطب اعتماداً على طريقة التغليف.]]
[[ملف:BJT Teminal Identificaion (Measurement)-ar.svg|تصغير|300بك| الترانزستور السليم يجب أن يُعطي قيمةً مُنخفضةً لمقاومة إحدى الوصلتين فيه وقيمةً مُرتفعة للوصلة الأًخرى. تتحددُ الوصلة ذات المقاومةِ المُرتفعة حسب نوع الترانزستور. في الترانزستور NPN، تكونُ مقاومةُ وصلة القاعدة-الباعث مُنخفضةَ المقاومة إذا حُيّزت أماميّاً، ووصلةُ القاعدة-المُجمّع مُرتفعةَالمقاومة إذا حُيّزت عكسيّاً، أمّا في الترانزستور من النوع PNP فيكونُ العكس صحيحاً.]]
تُصنِّع شركات تجارية ترانزستورات ثنائية القطب وهي منتجاتها التجارية، ويرفق معها ورقة بيانات تحتوي على التوصيف الفيزيائي والوظيفي للعنصر الإلكتروني، لذلك يمكن دائماً تحديد نوع ودبابيس الترانزستور من خلال الرجوع إلى ورقة البيانات المُرفقة مع العنصر من قبل الشركة المصنعة.

إذا لم تكن ورقة البيانات بمتناول اليد فيمكن الاعتماد على طرق أخرى لتحديد نوع ودبابيس الترانزستور ثنائي القطب. لتحديد نوع الترانزستور، أي هل هو NPN أم PNP، يُستخدم [[مقياس المقاومة الكهربائية|مقياس المقاومة]] مع مِجسّ ثنائيّ الرأس، وبما أن لدى الترانزستور ثلاث أرجل هي 1 و2 و3، فإن هناك 6 احتمالات ممكنة للقياس، هي:

# المِجسّ الموجب على القطب (1) والمِجسّ السالب ثُنائي الرأس على القطبين (2) و(3).
# المِجسّ الموجب على القطب (2) والمِجسّ السالب ثُنائي الرأس على القطبين (1) و(3).
# المِجسّ الموجب على القطب (3) والمِجسّ السالب ثُنائي الرأس على القطبين (1) و(2).
# المِجسّ السالب على القطب (1) والمِجسّ الموجب ثُنائي الرأس على القطبين (1) و(2).
# المِجسّ السالب على القطب (2) والمِجسّ الموجب ثُنائي الرأس على القطبين (1) و(3).
# المِجسّ السالب على القطب (3) والمِجسّ الموجب ثُنائي الرأس على القطبين (1) و(2).

تجري جميع التجارب السابقة مع ضبط مجال المقاومة في المقياس إلى (x10)، في الحالات (1) و(2) و(3)، يجري تثبيت المجس الموجب وتحريك أحد رأسيّ المِجسّ السالب ثُنائي الرأس، إذا تحركت إبرة المقياس بشدّة عند واحدة فقط من الحالات، فإن الترانزستور من النوع PNP، ويكون المجس الموجب متصلاً مع القاعدة. أمّا في الحالات (4) و(5) و(6)، فيجري تثبيت المجس السالب وتحريك أحد رأسيّ المجس الموجب ثنائي الرأس، فإذا تحركت إبرة المقياس بشدّة عند واحدة فقط من الحالات، فإن الترانزستور من النوع NPN، ويكون المِجسّ السالب مُتصلاً مع القاعدة. إذا تحرّكت الأبرة أكثر بشدة أكثر من مرة في الحالات (1) و(2) و(3)،أو في الحالات (4) و(5) و(6)، فإنّ الترانزستور يكونُ معطوباً.<ref name="Web-89">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Colin Mitchell
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180305110848/http://www.talkingelectronics.com/projects/200TrCcts/1-100TransistorCircuits.pdf
| تاريخ أرشيف = 5 مارس 2018
| مسار= http://www.talkingelectronics.com/projects/200TrCcts/1-100TransistorCircuits.pdf
| عنوان= 200 Transistor circuits a free ebook
| صفحة = 22
| موقع=  talkingelectronics.com
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 أبريل 2019}}</ref>

بعد ذلك، يُستبدل المِجسُّ ذو الرأسين بمِجسّ ذو رأس واحد، ويُضبط مجال المقاومة في المقياس إلى القيمة (x10k)، ثُمّ يُعادُ ترقيمُ الدبابيس إلى (1) و(2). وتجري عمليتي قياس أخرتين لتحديد الباعث والمجمع، بالشكل التالي:

# المجس الموجب على الدبوس (1) والمجس السالب على الدبوس (2)، وأصبع اليد على القاعدة.
# المجس الموجب على الدبوس (2) والمجس السالب على الدبوس (1)، وأصبع اليد على القاعدة.

ستتحرك إبرة المقياس إلى أقصى المجال في واحدة فقط من الحالتين. من أجل الترانزستور PNP، في الحالة التي تتحرك فيها الإبرة يكون المِجسّ المُوجب مُتصّلاً مع الباعث.أمّا من أجل الترانزستور NPN، ففي في الحالة التي تتحرك فيها الإبرة يكون المِجسّ المُوجب مُتصلّاً مع المجمع. وهناك طرق أُخرى مختلفة لتحديد دبابيس التراتزستور اعتماداً على مقياس المقاومة أيضاً.<ref name="Web-91">{{استشهاد بويب
| مؤلف = Sastry CBSE
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20180731081136/http://www.learncbse.in/to-use-a-multimeter-to-a-identify-base-of-transistor-b-distinguish-between-npn-and-pnp-type-transistors-c-see-the-unidirectional-flow-of-current-in-case-of-a-diode-and-an-led-d-check-whethe/
| تاريخ أرشيف = 31 يوليو 2018
| تاريخ = 3 ديسمبر 2016
| مسار= https://www.learncbse.in/to-use-a-multimeter-to-a-identify-base-of-transistor-b-distinguish-between-npn-and-pnp-type-transistors-c-see-the-unidirectional-flow-of-current-in-case-of-a-diode-and-an-led-d-check-whethe/
| عنوان= To use a multimeter to (a) identify base of transistor, (b) distinguish between npn and pnp type transistors, (c) see the unidirectional flow of current in case of a diode and an LED, (d) check whether a given electronic component (e.g., diode, transistor or IC) is in working order
| موقع= learncbse.in
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 أبريل 2019}}</ref>

يُمكن أيضاً الاعتماد على المعلومات الموجودة على غلاف الترانزسنور، سواء كتابة أو شكلاً، وعادة ما يكتب نوع الترانزستور على العنصر الإلكتروني نفسه. أمّا الغلاف الخارجي، فعادةً ما يحتوي على إشارات أو علامات تساعد على تحديد دبابيس الترانزستور، مثل نتوء جانبي أو شكل نصف كروي وما إلى ذلك،<ref name="Web-201">Electronic devices & Circuits Principles andd applications; P.323</ref> وتحتوي ورقة بيانات العنصر في قسم التوصيف الفيزيائي على إرشادات بهذا الخصوص.<ref name="Web-87">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Tareq Zanoon
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190402203213/https://www.academia.edu/8848916/electronics_slides
| تاريخ أرشيف = 2 أبريل 2019
| تاريخ = أكتوبر 2011
| مسار= https://www.academia.edu/8848916/electronics_slides
| عنوان= Electronics 1 - Lecture Notes
| صفحة = 156
| موقع=  Allegro MicroSystems, LLC
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 أبريل 2019}}</ref> أخيراً، تُوفّر بعض المواقع على الإنترنت مجموعة من المعلومات لتحديد نوع الترانزستور ودبابيسه اعتماداً على شكل غلافه.<ref name="Web-90">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20190402213729/http://zoomaviation.com/programs/transistor_specs/transistor_case_pinouts.png
| تاريخ أرشيف = 4 أبريل 2019
| مسار= https://zoomaviation.com/programs/transistor_specs/transistor_case_pinouts.png
| عنوان= transistor case pinouts
| موقع= ZoomAviation.com
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 2 أبريل 2019|url-status=dead}}</ref>

== معرض الصور ==
'''إعلانات تسويقية بعد طرح الترانزستور تجاريّاً'''
<gallery>
Raytheon CK722 April 1955.jpg|إعلان [[رايثيون تيكنولوجيز|رايثون]] عن الترانزستور (CK722) في عام 1955م بسعر 3.10 [[دولار]] للقطعة.
Philco Surface barrier transistor ad=1955.JPG|إعلان من شركة فيلكو عن ترانزستور للترددات المرتفعة في عام 1958م.
Fairchild ad Electronics-1958-08-15.jpg|أول إعلان تجاري عن ترانزستور سيليكوني مصنوع في [[وادي السيليكون]]، نشر الإعلان في مجلة الإلكترونيات في 15 أغسطس 1958م، والمنتجان المعلن عنهما هما الترانزستوران (2N696) و(2N697).
</gallery>

'''أنواع مختلفة من الترانزستور ثنائي القطب'''
<gallery>
Transistors.agr.jpg|مجموعة من الترانزستورات مختلفة الشكل والوظيفة على مقياس واحد.
Transbauformen.jpg|مجموعة من الترانزستورات مختلفة الشكل والوظيفة على مقياس واحد.
ULN2803A Transistor Array cropped.jpg| [[دارة متكاملة|الدارة المتكاملة]] ULN2803A، من إنتاج [[توشيبا]]، تحتوي على مصفوفة من الترانزستورات ثنائية القطب PNP [[ترانزستور دارلينغتون|بوصلة دارلينغتون]]
2N3904.jpg|ترانزستور NPN من النوع 2N3904، يمكن نوع الترانزستور والأحرف E وB وC على الغلاف الخارجي، وهي تشير إلى ترتيب دبابيس الترانزستور: الباعث والقاعدة والمجمع على الترتيب.
TG5-e.jpg|ثلاثة ترانزستورات ثتائية القطب من [[جرمانيوم|الجرمانيوم]] من النوع TG5، مصنوعة في [[بولندا]].
Transistor-2N3055 hg.jpg|ترانزستور NPN سيليكوني من النوع 2N3055، يستعمل لتضخيم الاستطاعة.
CK722.JPG| الترانزستور CK722 المصنوع في شركة رايثون، مع غلاف المنتج التجاري.
OC45 transistors, clear package.jpg| ترانزستور PNP من النوع OC45، مصنوع من الجرمانيوم ومغلف بالزجاج.
KT911A.JPG| ترانزستور NPN سيليكوني من النوع KT911A، مصنوع في [[الاتحاد السوفيتي]].
KT912A.JPG|ترانزستور NPN سيليكوني من النوع KT912A، مصنوع في الاتحاد السوفيتي.
</gallery>

'''قائمة مرتبة أبجدياً لأهم عوائل الترانزستور ثنائي القطب ومحدداتها واستخداماتها'''
<gallery>
Bipolar Transistors 1.jpg|الصفحة الأولى
Bipolar Transistors 2.jpg|الصفحة الثانية
</gallery>

== هوامش ==
<div class="reflist4" style="height: 250px; overflow: auto; padding: 3px" >
{{هامش|1}}. النص الأصلي حسب اللجنة هو {{إنج|"for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor effect"}}.<ref name="Web-12">{{استشهاد بويب
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20181107184558/https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/summary/
| تاريخ أرشيف = 7 نوفمبر 2018
| مسار= http://resources.schoolscience.co.uk/cda/16plus/copelech2pg3.html
| عنوان= The Nobel Prize in Physics 1956
| موقع= Nobel Media AB
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 19 نوفمبر 2018}}</ref>

{{هامش|2}}. الاسم الأصلي للشركة هو {{ياب|東京通信工業 |Tōkyō Tsūshin Kōgyō}}.

{{هامش|3}}. إنّ الإلكترونات هي الجسيم الوحيد الذي يتحرك بين الذرات ضمن البنية البلورية. أمّا الثغرات الإلكترونية، وهي أساساً مفهوم افتراضي يعبر عن غياب إلكترون، فلا تتحرك فعلياً، ولكن انتقال إلكترون من ذرة ما (أ)، إلى ذرة أخرى (ب)، يؤدي إلى اختفاء الثقب الإلكتروني في الذرة (ب) بسبب استقبالها للإلكترون، وظهور ثقب إلكتروني جديد في الذرة (أ) بسبب غياب الإلكترون، فتبدو العملية وكأنها انتقال للثقوب باتجاه معاكس لانتقال الإلكترونات.

{{هامش|4}}. إنّ جهة حركة التيار الكهربائي هي من القطب الموجب للمولد إلى القطب السالب، وهي جهة افتراضية، وهي تعاكس جهة حركة الإلكترونات التي تنجذب نحو القطب الموجب للمولد.

{{هامش|5}}. وهي على الترتيب: {{إنج|Cutoff, saturation and active regions}}.

[[ملف:Sine voltage.svg|300بك|تصغير|الهامش 9، (1) مطال القمة (2) مطال من القمة إلى القمة (3) مطال جذر المتوسط التربيعي (4) دور الإشارة]]

{{هامش|6}}. الأصل في تسمية العوامل كالتالي:
* مقاومة الدخل {{إنج|'''i'''nput resistance}}.
* نسبة تحويل الجهد المقلوب {{إنج|'''r'''everse transfer voltage ratio}}.
* نسبة تحويل التيار المباشر {{إنج|'''f'''orward transfer current ratio}}.
* [[مواصلة كهربائية|مواصلة]] الخرج {{إنج|'''o'''utput conductance}}.

{{هامش|7}}. العنوان الأصلي: {{إنج|Large-Signal Behavior of Junction Transistors}}.<ref name="JOU-2"/>

{{هامش|8}}. زاوية التوصيل {{إنج|Conduction angle}} هي جزء من طور إشارة الدخل الموافق لقيام الترانزستور بالتوصيل،<ref name="Web-52">{{استشهاد بويب
| مؤلف1 = Hae-Seung Lee
| مؤلف2 = Michael Perrott
| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20160618092954/https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-776-high-speed-communication-circuits-spring-2005/lecture-notes/lec18.pdf
| تاريخ أرشيف = 18 يونيو 2016
| تاريخ =14 أبريل 2005
| مسار= https://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-776-high-speed-communication-circuits-spring-2005/lecture-notes/lec18.pdf
| عنوان= ABC’s of Power Amplifiers
| صفحة = 13
| موقع= Massachusetts Institute of Technology MIT
| لغة= en
| تاريخ الوصول= 21 فبرابر 2019}}</ref> والمقصود بالتوصيل هنا هو نقل الإشارة من الدخل إلى الخرج مع تضخيمها.

{{هامش|9}}.التعابير الموافقة هي {{إنج|Peak amplitude, peak-to-peak amplitude and root mean square amplitude}}، وتقابل مطال القمة ومطال من القمة إلى القمة، ومطال جذر المتوسط التربيعي على الترتيب.

{{هامش|10}}. معامل الاقتران {{إنج| Turns ratio}} هو النسبة بين عدد لفات الملف الأولي <math>{N1}</math> إلى عدد لفات الملف الثانوي <math>{N2}</math>، وتحسب بالعلاقة:

{{وسط|<math>a = \frac{N2}{N1}</math>}}

{{هامش|11}}.الإشارة الصغيرة هي إشارة جهد أو تيار مطبقة على مدخل العنصر الإلكتروني متعدد المداخل (3 فما فوق)، يكون مطالها، التابع للزمن بالغ الصغر فتظل إشارة الخرج تابعة خطيّاً لإشارة الدخل.<ref name="Web-219">Fundamentals of Solid-state Electronics; P.791</ref>

{{هامش|12}}. لا توجد قاعدة مُحدَّدة لجهات التيارات في قانون كيرشوف الأول، والمهم أن يكون المجموع الجبري للتيارات الداخلة والخارجة صفريّاً، بعضٌ من المراجع تفترض أن التيارات جميعها تدخل إلى العقدة أي <math>I_{B}+I_{C}+I_{E}=0</math>، وأخرى تفترض أن تيار الباعث يساوي مجموع تياري القاعدة والمُجمّع أي <math>I_{E}=I_{C}+I_{B}</math>، وسيؤدي تطبيق أي منهما مع الانتباه إلى تغيير إشارات التيارات بما يتوافق مع الجهات المفترضة إلى الوصول للنتيجة نفسها.

</div>

== انظر أيضًا ==
* [[ثنائي المساري|ثنائي]]
* [[ترانزستور]]
* [[وصلة الموجب والسالب]]
* [[ترانزستور الأثر الحقلي|ترانزستور الأثر حقلي]]
* [[إلكترونيات رقمية]]
*[[قانون مور]]

== مراجع ==

=== فهرس المراجع ===
;العربية
{{مراجع|مجموعة=عر}}
;الأجنبية
{{مراجع|محاذاة=نعم}}

=== معلومات الكتب كاملة ===

معلومات عن الكتب التي استشهد بها في أكثر من موقع فيها ضمن المقالة:

'''باللغة العربية'''
* {{استشهاد بويكي بيانات|Q113987323|مرجع=الموحد1989}}
* {{استشهاد بويكي بيانات|Q108405620|مرجع=شابسيغ2016}}
* {{استشهاد بويكي بيانات|Q113016239|مرجع=فيزياء مجمع دمشق2015}}
* {{استشهاد بويكي بيانات|Q100601027|مرجع=بكني2019}}
* {{استشهاد بويكي بيانات|Q116821289|مرجع=بدران1980}}

'''باللغة الإنكليزيّة'''
<div style="direction: ltr;">
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Chih-Tang Sah
|عنوان= Fundamentals of Solid-state Electronics
|مسار= https://archive.org/details/fundamentalsofso0000sahc
|طبعة = 1
|سنة=1991
|ناشر= World Scientific
|ردمك=9810206372
|لغة=en
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Robert boylestad
|مؤلف2= Louis nashelsky
|عنوان= Electronic devices and circuit theory
|سنة= 1998
|طبعة = 7
|مسار= https://archive.org/details/ElectronicDevicesAndCircuitTheory
|ناشر= Prentice Hall
|ردمك= 013769282X
|لغة=en
|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20201111192108/https://archive.org/details/ElectronicDevicesAndCircuitTheory|تاريخ أرشيف=2020-11-11}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= U.A.Bakshi A.P.Godse
|عنوان= Semiconductor Devices & Circuits
|سنة=2008
|ناشر= Technical Publications
|ردمك= 9788184312980
}}
* {{استشهاد بكتاب
 |مؤلف1-الأخير  = C. Jaeger
 |مؤلف1-الأول   = Richard
 |مؤلف2-الأخير  = Blalock
 |مؤلف2-الأول   = Travis N
 |عنوان         = Microelectronic Circuit Design
 |طبعة          = 1
 |مسار          = https://ecedmans.files.wordpress.com/2014/03/microelectronic-circuit-design-4th-edition-jaeger.pdf
 |سنة           = 2010
 |ناشر          = McGraw-Hill
 |ردمك          = 978-0-07-338045-2
 |لغة           = en
 |صيغة          = PDF
 |تاريخ-الأرشيف = 7 أكتوبر 2018
 |تاريخ-الوصول  = 9 مايو 2019
 |مسار-الأرشيف  = https://web.archive.org/web/20181007181200/https://ecedmans.files.wordpress.com/2014/03/microelectronic-circuit-design-4th-edition-jaeger.pdf
 |url-status    = bot: unknown
|مسار أرشيف=http://web.archive.org/web/20220412082828/https://ecedmans.files.wordpress.com/2014/03/microelectronic-circuit-design-4th-edition-jaeger.pdf|تاريخ أرشيف=2022-04-12}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Jaume Segura
|مؤلف2= Charles F. Hawkins
|عنوان= CMOS Electronics: How It Works, How It Fails
|مسار= https://archive.org/details/cmoselectronicsh0000segu
|ردمك=0471476692
|سنة= 2004
|ناشر= John Wiley & Sons
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = Deshpande
|عنوان= Electronic devices & Circuits Principles and applications
|سنة=2008
|ناشر= Tata McGraw-Hill Education
|ردمك=0070617112
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= Jerry C. Whitaker
|عنوان= The Electronics Handbook
|مسار= https://archive.org/details/electronicshandb0000unse
|سنة=1996
|ناشر= CRC Press
|ردمك=0849383455
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= C M Kachhava
|عنوان= Solid State Physics, Solid State Device And Electronics
|سنة=2003
|ناشر= New Age International
|ردمك= 8122415008
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= BALBIR KUMAR
|مؤلف2= SHAIL B. JAIN
|عنوان= Electronic Devices and Circuits
|سنة= 2007
|ناشر= PHI Learning Pvt. Ltd.
|ردمك= 9788120348448
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1= D. Chattopadhyay
|عنوان= Electronics (fundamentals And Applications)
|سنة=2006
|ناشر=  New Age International
|ردمك= 8122417809
}}
</div>

=== قراءة مُوسّعة ===
<div style="direction: ltr;">
* {{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Brinkman
|الأول= W.F.
|صحيفة = 1997 IEEE International Solids-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
|عنوان= The transistor: 50 glorious years and where we are going
| تاريخ = فبراير 1997
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/ISSCC.1997.585248
| issn = 0193-6530
|ردمك= 0-7803-3721-2
}}
* {{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Brinkman
|الأول= W.F.
|مؤلف2-الأخير= Haggan
|مؤلف2-الأول= D.E.
|مؤلف3-الأخير= Troutman
|مؤلف3-الأول= W.W.
|صحيفة = IEEE Journal of Solid-State Circuits
|عنوان= A history of the invention of the transistor and where it will lead us
|المجلد= 32
|العدد = 12
| تاريخ = ديسمبر 1997
|صفحة= 1858-1865
| ناشر = IEEE
| doi = 10.1109/4.643644
| issn = 1558-173X
}}
* {{استشهاد بكتاب
|مؤلف1 = Gerold W Neudeck
|عنوان= The bipolar junction transistor
|مسار = https://archive.org/details/bipolarjunctiont00neud
|سنة=1983
|ناشر= Addison-Wesley
|ردمك= 9780201053227
|لغة= en
}}
* {{استشهاد بدورية محكمة
|الأخير= Marston
|الأول= Ray
|صحيفة = Electronics Now
|عنوان= Bipolar Transistors
| تاريخ = سبتمبر 1993
|صفحة= 57-62
| مسار = https://archive.org/details/BipolarTransistors
}}
</div>

== وصلات خارجية ==
* [https://web.archive.org/web/20180216091455/https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/the-lost-history-of-the-transistor التاريخ المفقود للترانزستور]، كيف نجحت [[مختبرات بل]] و[[تكساس إنسترومنتس]] في دفع الإلكترونيات نحو عصر السيلكون، مقالة من [[معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات]].
* الجزء الخاص [https://web.archive.org/web/20180117214728/http://people.seas.harvard.edu:80/~jones/es154/lectures/lecture_3/lecture_3.html بالترانزستور ثنائي القطب] في منهج الهندسة الإلكترونية في [[جامعة هارفارد]].
* [https://web.archive.org/web/20090430164433/http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/Museum_Index.htm موقع متحف الترانزستور].
* مقالات عن الترانزستور على موقع [[الباحثون السوريون]]: ([https://web.archive.org/web/20180701032835/http://www.syr-res.com/article/6653.html 1]-[https://web.archive.org/web/20180701043820/http://www.syr-res.com/article/6734.html 2]-[https://web.archive.org/web/20180701031624/http://www.syr-res.com/article/6750.html 3]) (باللغة العربية).
{{شريط سفلي عناصر إلكترونية}}
{{مضخمات ترانزستورية}}
{{ضبط استنادي}}
{{روابط شقيقة}}
{{شريط بوابات|إلكترونيات|الفيزياء|تقانة النانو}}

{{شريط محتوى متميز|مختارة|التاريخ=23 أكتوبر 2019|النسخة=39189298}}

[[تصنيف:ترانزستور ثنائي القطب|*]]
[[تصنيف:أنواع الترانزستورات]]
[[تصنيف:ترانزستورات ثنائية القطبية]]
[[تصنيف:مكونات إلكترونية]]
[[تصنيف:نمذجة الترانزستور]]
[[تصنيف:هندسة الإلكترونيات]]